System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 芯片转移方法、芯片修补方法及显示面板技术_技高网

芯片转移方法、芯片修补方法及显示面板技术

技术编号:40094290 阅读:6 留言:0更新日期:2024-01-23 16:41
本发明专利技术属于芯片转移技术领域,具体涉及一种芯片转移方法、芯片修补方法及显示面板。本芯片转移方法通过将第二转移载板粘附有芯片的一面与驱动基板贴合,将芯片与驱动基板连接,然后去除第二基板,让光吸收层保留在芯片表面,通过激光照射芯片,光吸收层吸收激光能量转化为热能,传递至芯片与驱动基板的焊接部,以对焊接部进行熔融,使得坏点芯片易被去除,再用正常的芯片补休,不会损伤驱动背板上电路。修补方法中,驱动基板上的芯片是采用芯片转移方法转移至驱动基板表面的芯片,光吸收层保留在芯片表面,可以通过激光照射光吸收层将异常芯片取下;并且临时载板上的芯片表面留有光吸收层,在修补至驱动基板表面后与其余芯片一样易于被取下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于芯片转移,具体涉及一种芯片转移方法、芯片修补方法及显示面板


技术介绍

1、随着显示技术的逐渐发展,micro-led技术越来越多的被提及,这是一种小型化的led,它的尺寸介于1um-100um之间,微发光二极管(micro-light emitting diode,micro-led)与有机显示发光器件相比具有发光效率高、亮度高等优点,是目前最有希望替代lcd和oled的新一代半导体显示技术。然而,在现有技术中,当固定在电路基板上的led芯片发生损坏后,很难进行修补。

2、目前的面板检修方法中,一般是通过金属焊接实现led芯片与电路基板的电性连接,之后对已焊接于电路背板的led芯片进行检测,若检测出存在缺陷的坏点led芯片时,先将坏点led芯片从电路背板上去除,再将正常的led芯片再次通过焊接电性连接于电路背板,以用正常的led芯片替换坏点led芯片。

3、但是,现有技术中去除坏点芯片的方法一般采用高能量激光击碎异常led芯片,这种方法容易在击碎坏点led芯片的同时易损伤驱动背板,例如损伤驱动背板的焊接金属和下层的金属电路,且击碎led芯片也会产生一些碎屑残留,导致降低芯片修补的成功率。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种芯片转移方法、芯片修补方法、显示面板及芯片修补用临时载板,以解决现有技术中在去除坏点芯片易损伤驱动背板的技术问题。

2、本申请提供一种芯片转移方法。包括:

3、提供芯片外延片,其包括衬底和位于衬底上的芯片;

4、提供第一转移载板,其包括第一基板和位于第一基板上的粘结层;

5、将外延片与第一转移载板贴合,然后去除衬底,以将芯片转移到第一转移载板上;

6、提供第二转移载板,其包括第二基板、位于第二基板上的光解胶层、以及位于光解胶层上的光吸收层;

7、将第一转移载板粘附有芯片的一面与第二转移载板贴合,去除第一转移载板,以将芯片转移到第二转移载板上;

8、将第二转移载板粘附有芯片的一面与驱动基板贴合,将芯片与驱动基板连接;

9、去除第二基板。

10、在本申请的一实施例中,所述光吸收层对芯片的粘附力大于第一转移载板上的粘结层对芯片的粘附力。

11、在本申请的一实施例中,所述提供第二转移载板的方法包括:

12、在第二基板上依次涂覆光解胶层和光吸收层;

13、刻蚀沟道,以在第二基板表面留存与芯片对应的图案。

14、在本申请的一实施例中,所述光吸收层的激光作用波长与光解胶层的激光作用波长不同。

15、在本申请的一实施例中,所述光吸收层的厚度为30-50um;和/或

16、所述光解胶层的厚度为30-50um。

17、在本申请的一实施例中,所述衬底包括氮化镓基板。

18、上述芯片转移方法中,通过将第二转移载板粘附有芯片的一面与驱动基板贴合,将芯片与驱动基板连接,然后去除第二基板,让光吸收层保留在芯片表面,便于通过激光照射芯片,光吸收层吸收激光能量转化为热能,传递至芯片与驱动基板的焊接部,以对焊接部进行熔融,使得坏点芯片易被去除,再用正常的芯片补休,不会损伤驱动背板上电路。

19、相应地,本申请提供一种显示面板,包括:驱动基板及位于驱动基板表面的多个芯片;其中多个芯片的表面设置有光吸收层。

20、上述显示面板,包括多个采用前述实施例提供的芯片转移方法转移至驱动基板表面的芯片,因此,前述芯片转移方法所能实现的技术效果,该显示面板也均能实现,此处不再详述。

21、相应地,本申请提供一种芯片修补方法,包括:

22、确认异常芯片;

23、对异常芯片照射激光,芯片上的光吸收层吸收能量转化为热能,传递至芯片与驱动基板的焊接部,以对焊接部进行熔融;

24、去除异常芯片;

25、提供临时载板,其粘附有待用芯片,且待用芯片的表面设置有光吸收层;

26、拾取待用芯片放置在驱动基板的空位上,并进行连接。

27、在本申请的一实施例中,所述提供临时载板的方法包括:

28、提供芯片外延片,其包括衬底和位于衬底上的芯片;

29、提供第一转移载板,其包括第一基板和位于第一基板上的粘结层;

30、将外延片与第一转移载板贴合,然后去除衬底,以将芯片转移到第一转移载板上;

31、提供第二转移载板,其包括第二基板、位于第二基板上的光解胶层、以及位于光解胶层上的光吸收层;

32、将第一转移载板粘附有芯片的一面与第二转移载板贴合,去除第二基板。

33、上述芯片修补方法中,驱动基板上的异常芯片是采用前述实施例提供的芯片转移方法转移至驱动基板表面的芯片,因此,光吸收层保留在芯片表面,可以通过激光照射光吸收层将异常芯片取下,并且临时载板上的芯片表面留有光吸收层,在修补至驱动基板表面后与其余芯片一样易于被取下。

34、相应的,本申请提供一种芯片修补用临时载板,包括:基板,其表面粘附有多个芯片;其中多个芯片的表面设置有光吸收层。

35、本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

36、为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片转移方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,

7.一种显示面板,其特征在于,包括:

8.一种芯片修补方法,其特征在于,包括:

9.根据权利要求8所述的芯片转移方法,其特征在于,

10.一种芯片修补用临时载板,其特征在于,包括:

【技术特征摘要】

1.一种芯片转移方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵云飞
申请(专利权)人:英诺激光科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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