一种具有优化布拉格结构的体声波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有优化布拉格结构的体声波谐振器及其制备方法；该体声波谐振器，包括依次层叠设置的衬底、布拉格反射栅、底电极、压电层和顶电极。所述的布拉格反射栅包括依次交替层叠设置的多个高声阻抗层和多个低声阻抗层；底电极与低声阻抗层接触。低声阻抗层的底面设置有凸台；低声阻抗层上的凸台嵌入相邻的高声阻抗层或衬底的凹槽结构中。本发明专利技术在布拉格反射栅的低声阻抗层和多层高声阻抗层上形成凹凸嵌合结构，使得低声阻抗层和高声阻抗层在谐振器有源区内的厚度与无源区(即有源区以外的区域)的厚度不同，能够有效抑制能量由布拉格反射栅向衬底泄露的现象，从而显著提升具有布拉格反射栅结构体声波谐振器的品质因数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜体声波谐振器，具体涉及一种具有优化布拉格结构的体声波谐振器及其制备方法。

技术介绍

1、对于通信基站而言，需要有高容量功率的滤波器；目前，组成滤波器的主流体声波谐振器有两种，一种是空腔型谐振器，一种为布拉格反射栅谐振器。传统空腔型滤波器器件与衬底面积接触较小，产生热累计效应较为严重，在高功率下发热严重，容易导致器件滤波频率偏移。布拉格反射栅谐振器虽然具有较高的功率容量，但是因为布拉格反射栅反射能力不如空气，导致一部分杂波泄露到衬底，造成布拉格反射栅谐振器的q值一般比空腔型谐振器低，难以实现高性能的布拉格反射栅滤波器。

2、现有的布拉格反射栅谐振器，包括由下至上依次层叠设置的衬底110、布拉格反射栅120、底电极130、压电层140和顶电极150。布拉格反射栅120包括多个高声阻抗层122和多个低声阻抗层121；各高声阻抗层122和各个低声阻抗层121依次交替叠置；最上层的低声阻抗层121与底电极130的底面贴合。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供本专利技术的目的是提供种一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有优化布拉格结构的体声波谐振器，包括依次层叠设置的衬底(110)、布拉格反射栅(120)、底电极(130)、压电层(140)和顶电极(150)；所述的布拉格反射栅(120)包括依次交替层叠设置的多个高声阻抗层(122)和多个低声阻抗层(121)；底电极(130)与低声阻抗层(121)接触；其特征在于：所述的低声阻抗层(121)的厚度h1为0.24λ1～0.26λ1；高声阻抗层(122)的厚度h2为0.24λ2～0.26λ2；λ1为低声阻抗层(121)的谐振频率对应的波长；λ2为高声阻抗层(122)的谐振频率对应的波长；低声阻抗层(121)的底面设置有凸台；低声阻抗层(121)上...

【技术特征摘要】

1.一种具有优化布拉格结构的体声波谐振器，包括依次层叠设置的衬底(110)、布拉格反射栅(120)、底电极(130)、压电层(140)和顶电极(150)；所述的布拉格反射栅(120)包括依次交替层叠设置的多个高声阻抗层(122)和多个低声阻抗层(121)；底电极(130)与低声阻抗层(121)接触；其特征在于：所述的低声阻抗层(121)的厚度h1为0.24λ1～0.26λ1；高声阻抗层(122)的厚度h2为0.24λ2～0.26λ2；λ1为低声阻抗层(121)的谐振频率对应的波长；λ2为高声阻抗层(122)的谐振频率对应的波长；低声阻抗层(121)的底面设置有凸台；低声阻抗层(121)上的凸台嵌入相邻的高声阻抗层(122)或衬底(110)的凹槽结构中；

2.根据权利要求1所述的一种具有优化布拉格结构的体声波谐振器，其特征在于：所述凸台与低声阻抗层(121)一体成型且材质相同。

3.根据权利要求1所述的一种具有优化布拉格结构的体声波谐振器，其特征在于：所述的低声阻抗层(121)的材料采用二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的一种具有优化布拉格结构的体声波谐振器，其特征在于：所述的高声阻抗层(122)的材料采用钨、钼、氮化铝和铌酸锂。

5.根据权利要求1所述的一种具有优化布拉格结构的体声波谐振器，其特征在于：所述凸台的深度为0.08～0.09λ1。

6.一种体声波谐振器的制备方法，其特征在于：用于制备如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：轩伟鹏，张志恒，蒋泓，董树荣，金浩，骆季奎，李文钧，孙玲玲，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：