【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高度扩展性扩散偶产生装置及方法，特别是石墨烯扩散装置以及用于使沉积材料穿过沉积在基板上的扩散偶迁移到基板表面的方法。
技术介绍
1、固相扩散现象使“材料堆栈”中形成“扩散偶”的原子发生迁移。这种现象可以利用于在相对较低的温度下合成高质量的薄膜，以满足涵盖微电子、光电子、生物电子学、量子计算以及其他多种
的广泛应用上的需求。然而，要将这种固相扩散技术实现在薄膜生长，特别是在大型“晶圆级”(例如200毫米、300毫米等)基板上，并在合理的生长时间内完成，则有赖于设计并制造出能够在整个表面上均匀施加各种温度和压力的新型设备，才能在半导体晶圆或任何其他种类的基板整个表面区域形成扩散偶。这种设备的核心元件是一个反应器。该反应器必须不仅能够承载如此大面积的基板，而且还能接受以化学方式净化环境，也需能以接近无温度不均匀性的状态加热大面积的基板，并且还须具备易于应用的机制，以对扩散偶施加相对较大且均匀的机械压力(例如，高达1000psi等)。须请注意的是，某些实例中压力可以利用大气压提供。
2、在原子级厚度的二维(2d)...
【技术保护点】
1.一种石墨烯扩散装置，包括：
2.如权利要求1所述的装置，还包括一个以上泵，所述泵配置为能够将所述处理腔室中的压力值控制在10-3torr至10-7torr之间。
3.如权利要求1所述的装置，其中所述基板包括直径为300mm、直径为200mm或直径为150mm的硅晶圆。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述可加热底盘包括直径大于或等于300mm的圆盘。
5.如权利要求1所述的装置，其中在所述可加热顶盘向所述基板施加机械压力时，所述可加热底盘加热到500℃，且整个加热底盘具有±3℃的均匀性。
6.如权利要求5...
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯扩散装置，包括：
2.如权利要求1所述的装置，还包括一个以上泵，所述泵配置为能够将所述处理腔室中的压力值控制在10-3torr至10-7torr之间。
3.如权利要求1所述的装置，其中所述基板包括直径为300mm、直径为200mm或直径为150mm的硅晶圆。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述可加热底盘包括直径大于或等于300mm的圆盘。
5.如权利要求1所述的装置，其中在所述可加热顶盘向所述基板施加机械压力时，所述可加热底盘加热到500℃，且整个加热底盘具有±3℃的均匀性。
6.如权利要求5所述的装置，其中所述可加热顶盘向所述晶圆施加50psi至125psi的机械压力。
7.如权利要求1所述的装置，其中在所述可加热顶盘施加机械压力时，所述腔室压力保持在10-6至10-7torr，以防止生长制程受污染。
8.如权利要求1所述的装置，其中在所述处理腔室中进行高质量原子级薄膜的直接合成。
9.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：考斯塔夫·班纳吉，拉维·伊延格尔，纳林·鲁佩辛格，萨蒂什·桑达尔，
申请(专利权)人：迪斯尼二D公司，
类型：发明
国别省市：
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