一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置及系统制造方法及图纸

技术编号:40090621 阅读:18 留言:0更新日期:2024-01-23 16:09
本公开公开了一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置及系统,属于半导体制造技术领域,包括:获取待测晶圆的多个采集图像;对所述多个采集图像中的每一个进行分割,获得待测缺陷区域;结合形态特征分析和深度学习分析,识别所有待测缺陷区域中的每一个待测缺陷区域所表征的缺陷类型。结合形态特征分析和深度学习对缺陷进行识别和分类,减少过检情况的发生,避免将普通脏污识别为严重缺陷而导致晶圆淘汰。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体制造,尤其涉及一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置及系统


技术介绍

1、半导体领域中,通过直拉法晶体生长设备制备出单晶硅棒,进而对单晶硅棒进行包含切片等一系列工业加工后,制备出单晶硅晶圆片,后文统称晶圆。在晶圆运输或生产过程中因摩擦、刮蹭、磕碰或化学药液浸染等原因,导致的崩边、划伤、化学脏污等缺陷是晶圆表面最主要的几种缺陷。包含此类缺陷的晶圆如果不能被有效检出而流入后序工艺,则此类晶圆很容易引起后序抛光工艺过程出现碎片问题,进而导致抛光设备故障宕机,损坏设备,造成严重的经济损失。

2、因此,对晶圆的各种缺陷进行评价是非常重要的一个环节,例如:崩边、划痕、颗粒、化学赃物、缺损、隐裂等缺陷。使用人工复检的方式进行检测,此方式具有很大的局限性。首先,人工判别会消耗大量的人力资源成本;其次,人工判别偏向于主观判别,会因为复检员的状态导致复检结果存在差异;最后,人眼睛的精度无法达到相机的精度,依旧会导致一定程度的漏检。因此,针对晶圆表面外观的缺陷检测问题,需要一种准确、稳定、高效的检测方法,提高质检水平,并为前序工艺提供改进方向及建议。...

【技术保护点】

1.一种晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述多个采集图像中的每一个进行分割,获得待测缺陷区域,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述结合形态特征分析和深度学习分析,识别所有待测缺陷区域中的每一个待测缺陷区域所表征的缺陷类型,包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述分别根据各缺陷类型对应的分割阈值,获取所述晶圆区域图像中与各缺陷类型分别对应的待测缺陷区域,包括:

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述对于所有待测缺陷区域中的每一个与所述第...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述多个采集图像中的每一个进行分割,获得待测缺陷区域,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述结合形态特征分析和深度学习分析,识别所有待测缺陷区域中的每一个待测缺陷区域所表征的缺陷类型,包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述分别根据各缺陷类型对应的分割阈值,获取所述晶圆区域图像中与各缺陷类型分别对应的待测缺陷区域,包括:

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述对于所有待测缺陷区域中的每一个与所述第二缺陷类型对应的第二待测缺陷区域,联合形态特征分析和深度学习识别所述每一个第二待测缺陷区域所表征的缺陷类型,包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述基于所述每一个第...

【专利技术属性】
技术研发人员:李子奇
申请(专利权)人:西安芯晖检测技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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