System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件技术_技高网

背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件技术

技术编号:40088273 阅读:7 留言:0更新日期:2024-01-23 15:48
本申请实施例涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件,电池包括:基底,基底第一表面具有沿第一方向相对的两个第一边缘和沿第二方向相对的两个第二边缘;位于第一表面的多个第一掺杂区,包括:一个沿第二方向延伸的第一部和多个第二部,第二部沿第一方向延伸,且与第一部交叉;位于第一表面的多个与第一掺杂区的导电类型不同的第二掺杂区,包括:一个沿第二方向延伸的第三部和多个第四部,第四部沿第一方向延伸,且与第三部交叉,第一部与第三部沿第一方向交替排布,位于最外侧的第一部位于第一边缘,第二部与第四部沿第二方向交错排布,每一第一掺杂区中,位于最外侧的两个第二部分别位于两个第二边缘。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及太阳能电池领域,特别涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件


技术介绍

1、太阳能电池具有较好的光电转化能力,其中,背接触电池是一种正面无电极遮挡,将p型区域(以下简称p区)与n型区域(以下简称n区)交替设置在电池背面的一种新型结构电池。

2、p区与n区中的一者与基底构成pn结,产生相应的电子-空穴对,p区与n区中的另一者与基底构成高低结。电子-空穴对的数量对背接触太阳能电池所生成的光电流的大小具有较大的影响,进而影响背接触太阳能电池的光电转化性能。高低结能够形成指向基底内部的内建电场,减小基底界面处的载流子的复合速率,提升背接触太阳能电池的光电转化效率。因此,pn结与高低结在基底表面的分布十分的重要。

3、基于此,目前的背接触太阳能电池中,p区以及n区的排布需要进一步设计,以提升背接触太阳能电池的光电转化性能。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件,至少有利于提高背接触太阳能电池的光电转化性能。

2、本申请实施例提供一种背接触太阳能电池,包括:基底,所述基底具有第一表面,所述第一表面具有沿第一方向相对的两个第一边缘和沿第二方向相对的两个第二边缘,所述第一方向与所述第二方向垂直;位于所述第一表面的多个第一掺杂区,所述第一掺杂区包括:一个沿所述第二方向延伸的第一部和多个沿所述第二方向间隔排布的第二部,每一所述第二部沿所述第一方向延伸,且与所述第一部交叉;位于所述第一表面的多个第二掺杂区,所述第二掺杂区与所述第一掺杂区的导电类型不同,所述第二掺杂区包括:一个沿所述第二方向延伸的第三部和多个沿所述第二方向间隔排布的第四部,每一所述第四部沿所述第一方向延伸,且与所述第三部交叉,其中,所述第一部与所述第三部沿所述第一方向交替排布,其中,位于最外侧的所述第一部位于所述第一边缘,相邻的所述第一掺杂区与所述第二掺杂区中,所述第二部与所述第四部沿所述第二方向交错排布,每一所述第一掺杂区中,位于最外侧的两个第二部分别位于两个所述第二边缘。

3、另外,第一掺杂区的数量与所述第二掺杂区的数量相等,交替排布的所述第一部和所述第二部中,位于最外侧的所述第一部和所述第三部分别位于两个所述第一边缘。

4、另外,第一掺杂区的数量大于所述第二掺杂区的数量,交替排布的所述第一部和所述第二部中,位于最外侧的两个所述第一部分别位于两个所述第一边缘。

5、另外,每一第一掺杂区的多个第二部中,位于最外侧的所述第二部记为边缘第二部,其余所述第二部记为非边缘第二部,其中,在所述第二方向上,所述边缘第二部的宽度与所述非边缘第二部的宽度相差第一差值;和/或,沿所述第一方向间隔排布的所述第一部中,位于所述第一边缘的第一部记为边缘第一部,其余所述第一部记为非边缘第一部,在沿所述第一方向上,所述边缘第一部的宽度大于所述非边缘第一部的宽度;和/或,沿所述第一方向间隔排布的所述第三部中,位于所述第一边缘的第三部记为边缘第三部,其余所述第三部记为非边缘第三部,在沿所述第一方向上,所述边缘第三部的宽度大于非边缘第三部的宽度。

6、另外,第一差值为0~50μm;所述边缘第一部的宽度与所述非边缘第一部的宽度的差值为50μm~200μm,所述边缘第三部的宽度与所述非边缘第三部的宽度的差值为50μm~200μm。

7、另外,第一掺杂区与所述第二掺杂区彼此间隔开,所述背接触太阳能电池还包括:隔离结构,所述隔离结构介于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间。

8、另外,背接触太阳能电池还包括:第一钝化层,所述第一钝化层覆盖所述第一掺杂区远离所述基底的表面与所述第二掺杂区远离所述基底的表面,且所述第一钝化层还填充于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的间隙,位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的所述第一钝化层作为所述隔离结构。

9、另外,背接触太阳能电池还包括:多个第一栅极和多个第二栅极,所述第一栅极包括:第一主栅和多个沿所述第二方向间隔排布的第一副栅,所述第一主栅沿所述第二方向延伸,且所述第一主栅在所述第一表面上的正投影位于所述第一部表面,所述第一副栅在所述第一表面上的正投影位于所述第二部表面;所述第二栅极包括:第二主栅和多个沿所述第二方向间隔排布的第二副栅,所述第二主栅沿所述第二方向延伸,且所述第二主栅在所述第一表面上的正投影位于所述第三部表面,所述第二副栅在所述第一表面上的正投影位于所述第四部表面。

10、另外,在沿所述第二方向上,所述第一部的宽度大于所述第一主栅的宽度,所述第三部的宽度大于所述第二主栅的宽度。

11、另外,第三部在所述第二方向上的两端分别与两个所述第二边缘重合。

12、相应地,本申请实施例还提供一种光伏组件,包括:电池串,所述电池串由多个上述任一项所述的背接触太阳能电池连接而成;封装层,所述封装层用于覆盖所述电池串的表面;盖板,所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。

13、相应地,本申请实施例还提供一种背接触太阳能电池的制备方法,包括:提供基底,所述基底具有第一表面,所述第一表面具有沿第一方向相对的两个第一边缘和沿第二方向相对的两个第二边缘,所述第一方向与所述第二方向垂直;在所述第一表面形成多个第一掺杂区,所述第一掺杂区包括:一个沿所述第二方向延伸的第一部和多个沿所述第二方向间隔排布的第二部,每一所述第二部沿所述第一方向延伸,且与所述第一部交叉;在所述第一表面形成多个第二掺杂区,所述第二掺杂区与所述第一掺杂区的导电类型不同,所述第二掺杂区包括:一个沿所述第二方向延伸的第三部和多个沿所述第二方向间隔排布的第四部,每一所述第四部沿所述第一方向延伸,且与所述第三部交叉,其中,所述第一部与所述第三部沿所述第一方向交替排布,位于最外侧的所述第一部位于所述第一边缘,相邻的所述第一掺杂区与所述第二掺杂区中,所述第二部与所述第四部沿所述第二方向交错排布,每一所述第一掺杂区中,位于最外侧的两个第二部分别位于两个所述第二边缘。

14、另外,形成多个第一掺杂区的方法包括:提供初始基底,所述初始基底掺杂有第一掺杂元素;采用掺杂工艺,自所述初始基底表面向所述初始基底内部掺杂第二掺杂元素,以将部分厚度的所述初始基底转化为初始第一掺杂区,剩余所述初始基底作为所述基底,所述第二掺杂元素与所述第一掺杂元素的导电类型不同;对所述初始第一掺杂区进行第一图案化工艺,形成具有预设图案的所述第一掺杂区。

15、另外,第一图案化工艺包括:采用激光工艺刻蚀去除部分所述初始第一掺杂区,以形成第一开口,剩余所述初始第一掺杂区形成所述第一掺杂区。

16、另外,在所述掺杂工艺中,还在所述初始第一掺杂区表面形成第一玻璃层,且在所述第一图案化工艺后,位于所述第一掺杂区表面的所述第一玻璃层被保留,形成多个第二掺杂区的方法包括:形成填充于所述第一开口中的初始第二掺杂区,所述初始第二掺杂区掺杂有第三掺杂元素,所述第三掺杂元素与所述第二掺杂元素导电类型不同;在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触太阳能电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,所述第一掺杂区的数量与所述第二掺杂区的数量相等,交替排布的所述第一部和所述第二部中,位于最外侧的所述第一部和所述第三部分别位于两个所述第一边缘。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,所述第一掺杂区的数量大于所述第二掺杂区的数量,交替排布的所述第一部和所述第二部中,位于最外侧的两个所述第一部分别位于两个所述第一边缘。

4.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池,其特征在于,每一第一掺杂区的多个第二部中,位于最外侧的所述第二部记为边缘第二部,其余所述第二部记为非边缘第二部,其中,在所述第二方向上,所述边缘第二部的宽度与所述非边缘第二部的宽度相差第一差值;和/或,沿所述第一方向间隔排布的所述第一部中,位于所述第一边缘的第一部记为边缘第一部,其余所述第一部记为非边缘第一部,在沿所述第一方向上,所述边缘第一部的宽度大于所述非边缘第一部的宽度;和/或,沿所述第一方向间隔排布的所述第三部中,位于所述第一边缘的第三部记为边缘第三部,其余所述第三部记为非边缘第三部,在沿所述第一方向上,所述边缘第三部的宽度大于非边缘第三部的宽度。

5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述第一差值为0~50μm;所述边缘第一部的宽度与所述非边缘第一部的宽度的差值为50μm~200μm,所述边缘第三部的宽度与所述非边缘第三部的宽度的差值为50μm~200μm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区与所述第二掺杂区彼此间隔开,所述背接触太阳能电池还包括:隔离结构,所述隔离结构介于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间。

7.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述背接触太阳能电池还包括:第一钝化层,所述第一钝化层覆盖所述第一掺杂区远离所述基底的表面与所述第二掺杂区远离所述基底的表面,且所述第一钝化层还填充于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的间隙,位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的所述第一钝化层作为所述隔离结构。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的背接触太阳能电池,其特征在于,还包括:多个第一栅极和多个第二栅极,所述第一栅极包括:第一主栅和多个沿所述第二方向间隔排布的第一副栅,所述第一主栅沿所述第二方向延伸,且所述第一主栅在所述第一表面上的正投影位于所述第一部表面,所述第一副栅在所述第一表面上的正投影位于所述第二部表面;所述第二栅极包括:第二主栅和多个沿所述第二方向间隔排布的第二副栅,所述第二主栅沿所述第二方向延伸,且所述第二主栅在所述第一表面上的正投影位于所述第三部表面,所述第二副栅在所述第一表面上的正投影位于所述第四部表面。

9.根据权利要求8所述的背接触太阳能电池,其特征在于,在沿所述第二方向上,所述第一部的宽度大于所述第一主栅的宽度,所述第三部的宽度大于所述第二主栅的宽度。

10.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述第三部在所述第二方向上的两端分别与两个所述第二边缘重合。

11.一种光伏组件,包括:

12.一种背接触太阳能电池的制备方法,包括:

13.根据权利要求12所述的背接触太阳能电池的制备方法,其特征在于,形成多个第一掺杂区的方法包括:

14.根据权利要求13所述的背接触太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第一图案化工艺包括:采用激光工艺刻蚀去除部分所述初始第一掺杂区,以形成第一开口,剩余所述初始第一掺杂区形成所述第一掺杂区。

15.根据权利要求14所述的背接触太阳能电池的制备方法,其特征在于,在所述掺杂工艺中,还在所述初始第一掺杂区表面形成第一玻璃层,且在所述第一图案化工艺后,位于所述第一掺杂区表面的所述第一玻璃层被保留,形成多个第二掺杂区的方法包括:

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【技术特征摘要】

1.一种背接触太阳能电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,所述第一掺杂区的数量与所述第二掺杂区的数量相等,交替排布的所述第一部和所述第二部中,位于最外侧的所述第一部和所述第三部分别位于两个所述第一边缘。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,所述第一掺杂区的数量大于所述第二掺杂区的数量,交替排布的所述第一部和所述第二部中,位于最外侧的两个所述第一部分别位于两个所述第一边缘。

4.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池,其特征在于,每一第一掺杂区的多个第二部中,位于最外侧的所述第二部记为边缘第二部,其余所述第二部记为非边缘第二部,其中,在所述第二方向上,所述边缘第二部的宽度与所述非边缘第二部的宽度相差第一差值;和/或,沿所述第一方向间隔排布的所述第一部中,位于所述第一边缘的第一部记为边缘第一部,其余所述第一部记为非边缘第一部,在沿所述第一方向上,所述边缘第一部的宽度大于所述非边缘第一部的宽度;和/或,沿所述第一方向间隔排布的所述第三部中,位于所述第一边缘的第三部记为边缘第三部,其余所述第三部记为非边缘第三部,在沿所述第一方向上,所述边缘第三部的宽度大于非边缘第三部的宽度。

5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述第一差值为0~50μm;所述边缘第一部的宽度与所述非边缘第一部的宽度的差值为50μm~200μm,所述边缘第三部的宽度与所述非边缘第三部的宽度的差值为50μm~200μm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区与所述第二掺杂区彼此间隔开,所述背接触太阳能电池还包括:隔离结构,所述隔离结构介于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间。

7.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述背接触太阳能电池还包括:第一钝化层,所述第一钝化层覆盖所述第一掺杂区远离所述基底的表面与所...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑京京廖晖徐孟雷杨洁张昕宇
申请(专利权)人:晶科能源海宁有限公司
类型:发明
国别省市:

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