【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路领域，具体而言，涉及一种防拆检测接口的扩展电路和安全芯片。
技术介绍
1、防拆开关，也称防拆检测io口。是一种用于检测设备是否被拆开的接口。它通常被用于需要防止非法访问或盗窃的设备上，例如安全系统、智能锁等。当设备被拆开时，开关就会打开，从而触发报警或其他安全措施。
2、在金融电子支付终端产品领域，为了保护终端用户的信息安全，防止终端用户银行卡的账户信息和交易密码不被非法轻易窃取，同时为了保护支付终端的密钥相关敏感信息不被轻易非法获取和篡改。金融电子支付终端会在终端内部比如ic卡，磁条卡，lcd等敏感区域分布防拆开关，来检测和阻止非法入侵攻击。一旦防拆开关检测到电平状态的变化，达到触发电平门限，将会触发安全芯片启用安全机制，立即擦除安全芯片内部相关的敏感信息，使敏感信息不被获取，同时停止终端的正常使用，保护用户账户数据相关信息安全。
3、一般的安全芯片会提供4到6个防拆开关，但是有些场景，设备需要的防拆开关数量远远超过安全芯片所提供的防拆开关。而为了通过一些金融安全认证，防拆开关的简单串联在一些重要的敏感保护区域比如密码输入按键区域是无法满足金融安全认证强度要求。
4、为了满足金融安全认证安全要求，一般有以下两种方法：第一种方法是使用带有更多防拆开关的安全芯片，此类芯片价格会更高，带来成本的上升。同时更换安全芯片，软件需要重新移植适配，加大项目开发的整体工作量，无形中提高了项目的开发成本。
5、第二种方法使用逻辑芯片去扩展更多防拆开关，一般的逻辑芯片带有多路逻辑单
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本技术提供一种防拆检测接口的扩展电路和安全芯片，通过mos管对防拆开关进行电路扩展实现防拆开关总数量增加，提高安全芯片的保护强度。
2、具体的，本技术的技术方案如下：
3、第一方面，本技术公开一种防拆检测接口的扩展电路，包括：
4、mos管和防拆开关，所述mos管为nmos管；所述nmos管的漏极与安全芯片的防拆检测引脚相连，所述nmos管的源极与第一电阻的第一端相连，所述nmos管的栅极与第二电阻的第一端相连；
5、所述第一电阻的第二端与第一防拆开关的第一端相连，所述第一防拆开关的第二端接地，所述第一防拆开关的第三端连接高电平；
6、所述第二电阻的第二端与第二防拆开关的第一端相连，所述第二防拆开关的第二端连接高电平，所述第二防拆开关的第三端接地；
7、所述第二电阻的第二端与第三电阻的第一端相连，所述第三电阻的第二端接地。
8、在一些实施方式中，若所述第一防拆开关由闭合状态切换到为开状态，则所述nmos管的源极断开，所述nmos管的栅极－源极之间电压低于阈值电压，由导通状态变为截止状态；所述nmos管的漏极产生变化的电平信号；
9、若所述第二防拆开关由闭合状态切换到为开状态，则所述nmos管的栅极直接通过所述第二电阻和所述第三电阻之后连接到地；所述nmos管的栅极－源极之间电压低于阈值电压，由导通状态变为截止状态；所述nmos管的漏极产生变化的电平信号。
10、在一些实施方式中，所述nmos管的漏极和源极之间存在第一反向势垒二极管。
11、在一些实施方式中，所述nmos管的栅极和源极之间存在第二反向势垒二极管和第一正向势垒二极管；所述nmos管的源极与所述第一正向势垒二极管的负极相连，所述第一正向势垒二极管的正极与所述第二反向势垒二极管的正极相连，所述第二反向势垒二极管的负极与所述nmos管的栅极相连。
12、第二方面，本技术公开一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于，包括：
13、mos管和防拆开关，所述mos管为pmos管；所述pmos管的漏极与安全芯片的防拆检测引脚相连，所述pmos管的源极与第一电阻的第一端相连，所述pmos管的栅极与第二电阻的第一端相连；
14、所述第一电阻的第二端与第一防拆开关的第一端相连，所述第一防拆开关的第二端连接高电平，所述第一防拆开关的第三端接地；
15、所述第二电阻的第二端与第二防拆开关的第一端相连，所述第二防拆开关的第二端接地，所述第二防拆开关的第三端连接高电平；
16、所述第二电阻的第二端与第三电阻的第一端相连，所述第三电阻的第二端连接高电平。
17、在一些实施方式中，若所述第一防拆开关由闭合状态切换到为开状态，则所述pmos管的源极断开，所述pmos管的栅极－源极之间电压高于阈值电压，由导通状态变为截止状态；所述pmos管的漏极产生变化的电平信号；
18、若所述第二防拆开关由闭合状态切换到为开状态，则所述pmos管的栅极直接通过所述第二电阻和所述第三电阻之后连接到高电平；所述pmos管的栅极－源极之间电压高于阈值电压，由导通状态变为截止状态；所述pmos管的漏极产生变化的电平信号。
19、在一些实施方式中，所述pmos管的漏极和源极之间存在第一反向势垒二极管。
20、在一些实施方式中，所述pmos管的栅极和源极之间存在第二反向势垒二极管和第一正向势垒二极管；所述pmos管的源极与所述第一正向势垒二极管的正极相连，所述第一正向势垒二极管的负极与所述第二反向势垒二极管的负极相连，所述第二反向势垒二极管的正极与所述pmos管的栅极相连。
21、第三方面，本技术还公开一种安全芯片，其特征在于，所述安全芯片包括上述任一项实施方式中所述的防拆开关的扩展电路。
22、与现有技术相比，本技术至少具有以下一项有益效果：
23、1、本技术利用mos管的特性，通过控制mos管栅极－源极电压，从而改变漏极电压的输出，从而对防拆开关进行电路扩展，此电路能比较简洁，灵活扩展防拆开关，相较于使用逻辑芯片进行扩展和使用增加更多防拆开关的安全芯片方案来说，成本更低。
24、2、本技术利用mos管扩展出来的两个防拆开关，屏蔽其中的任何一个，都不会对另外一个防拆开关造成失效影响，提高了安全强度。同时扩展出来的两路防拆开关的电平状态是相反的，可以满足一些需要在电路板内部使用高低电平互绕走线，提高保护强度。
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1.一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于：
3.如权利要求1所述的一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于：
4.如权利要求1所述的一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于，包括：
5.一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于，包括：
7.如权利要求5所述的一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于，包括：
8.如权利要求5所述的一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于，包括：
9.一种安全芯片，其特征在于，所述安全芯片包括权利要求1-8中任一项所述的防拆开关的扩展电路。
【技术特征摘要】
1.一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于：
3.如权利要求1所述的一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于：
4.如权利要求1所述的一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于，包括：
5.一种防拆检测接口的扩展电路，其特征在于，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：冯金朝，林喆，
申请(专利权)人：上海商米科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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