【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体为一种sic mosfet的制造方法。
技术介绍
1、sic mosfet器件是一种新型的功率半导体器件，由碳化硅(sic)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)组成。sic mosfet器件具有高耐压、高温度、高频率等优异性能，被广泛应用于电力电子、新能源等领域。
2、碳化硅(sic)电力电子器件，特别是金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，由于其高耐压、低导通电阻和高开关速等特点，在电力转换和输送系统中具有重要的应用。然而，制造高质量、大面积、一致性好的sic mosfet仍然是一项挑战。因此，本专利技术提供了一种sic mosfet的制造方法，旨在解决现有技术中的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术中的上述不足之处，本专利技术提供了一种sic mosfet的制造方法，以解决现有技术中存在的问题。
2、本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：
3、一种sic mosfet的制造方法，包括以下步骤：
4、s1,提供一sic衬底，其具有源极、栅极和漏极；
5、s2,在sic衬底上形成栅氧化层；
6、s3,在栅氧化层上形成导电膜；
7、s4,对导电膜进行图案化处理，形成源极、栅极和漏极的导电区域；
8、s5,在源极和漏极的导电区域上形成金属层；
9、s6,在栅极的导电区域上形成绝缘层；
10、s7,对源极、栅极和漏极
11、优选地，所述s1中，sic半导体基板为6h-sic或4h-sic，该基板通过化学气相沉积或物理气相沉积的方法制备。
12、优选地，所述s2中，栅氧化层为二氧化硅(sio2)或氮化硅(si3n4)，可以使用热氧化、等离子增强化学气相沉积(pecvd)或原子层沉积(ald)等方法。
13、优选地，所述s3中，导电膜为镍(ni)或钴(co)，导电膜可以通过蒸发、溅射或化学气相沉积(cvd)等方法制备，制备过程中可以掺入磷和硼元素，以提供导电性能。
14、优选地，所述s4中，可以使用光刻、电子束光刻(ebl)或离子束刻蚀(ibe)等技术。
15、优选地，所述衬底材料选择高纯度单晶硅，采用化学气相沉积(cvd)或物理气相沉积(pvd)等方法制备碳化硅薄膜，选择合适的掺杂剂，通过离子注入或热扩散等技术形成n型或p型半导体区域。
16、优选地，所述s5中，可以使用蒸发、溅射或化学气相沉积(cvd)等方法，金属层可以由铝、镍、金或银等元素组成。
17、优选的，所述s6中，可以使用pecvd或ald等方法，材料可以选择氧化硅、氮化硅或氟化硅等。
18、优选的，所述s7中，掺杂可以使用离子注入或固态扩散等方法，在此步骤中，磷元素可以用于增强导电性能，而硼元素可以用于调整阈电压可以使用pecvd或ald等方法，材料可以选择氧化硅、氮化硅或氟化硅等。
19、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
20、(1)该制造方法通过在sic衬底上形成栅氧化层，然后形成导电膜，并进行图案化处理，形成源极、栅极和漏极的导电区域，最后在源极和漏极的导电区域上形成金属层，在栅极的导电区域上形成绝缘层，然后进行掺杂以形成源极、栅极和漏极的导电通道，结构更加稳定。
21、(2)通过优化sic单晶生长工艺，可以降低晶格缺陷，提高晶体质量，从而提高了sic mosfet的性能。
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1.一种SiC MOSFET的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET的制造方法，其特征在于，所述S1中，SiC半导体基板为6H-SiC或4H-SiC，该基板通过化学气相沉积或物理气相沉积的方法制备。
3.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET的制造方法，其特征在于，所述S2中，栅氧化层为二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)，可以使用热氧化、等离子增强化学气相沉积(PECVD)或原子层沉积(ALD)等方法。
4.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET的制造方法，其特征在于，所述S3中，导电膜为镍(Ni)或钴(Co)，导电膜可以通过蒸发、溅射或化学气相沉积(CVD)等方法制备，制备过程中可以掺入磷和硼元素，以提供导电性能。
5.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET的制造方法，其特征在于，所述S4中，可以使用光刻、电子束光刻(EBL)或离子束刻蚀(IBE)等技术。
6.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET的制造方法，其特征在于，所述S5中，可以使
7.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET的制造方法，其特征在于，所述S6中，可以使用PECVD或ALD等方法，材料可以选择氧化硅、氮化硅或氟化硅等。
8.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET的制造方法，其特征在于，所述S7中，掺杂可以使用离子注入或固态扩散等方法，在此步骤中，磷元素可以用于增强导电性能，而硼元素可以用于调整阈电压可以使用PECVD或ALD等方法，材料可以选择氧化硅、氮化硅或氟化硅等。
...【技术特征摘要】
1.一种sic mosfet的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种sic mosfet的制造方法，其特征在于，所述s1中，sic半导体基板为6h-sic或4h-sic，该基板通过化学气相沉积或物理气相沉积的方法制备。
3.根据权利要求1所述的一种sic mosfet的制造方法，其特征在于，所述s2中，栅氧化层为二氧化硅(sio2)或氮化硅(si3n4)，可以使用热氧化、等离子增强化学气相沉积(pecvd)或原子层沉积(ald)等方法。
4.根据权利要求1所述的一种sic mosfet的制造方法，其特征在于，所述s3中，导电膜为镍(ni)或钴(co)，导电膜可以通过蒸发、溅射或化学气相沉积(cvd)等方法制备，制备过程中可以掺入磷和硼元素，以提供导电性能。
5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：李春财，张永胜，
申请(专利权)人：江苏晶利恒半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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