【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及形成薄膜的方法和包括该薄膜的结构。更具体地，本公开涉及形成包括氮化硅层的结构的方法以及包括这种层的结构。
技术介绍
1、氮化硅膜用于各种各样的应用。例如，氮化硅膜可用于在电子器件形成过程中形成的结构上形成绝缘区、蚀刻停止区、抗蚀刻保护区等。
2、为了形成包括氮化硅的区域或特征，氮化硅膜通常沉积到衬底表面上。然后使用例如光刻法对沉积的膜进行图案化，然后蚀刻该膜以去除一些氮化硅，从而形成包括剩余氮化硅材料的所需特征或区域。随着器件特征尺寸不断减小，图案化和蚀刻氮化硅膜以形成所需尺寸的图案化氮化硅特征或区域变得越来越困难。此外，光刻和蚀刻步骤会增加与器件制造相关的成本，并增加器件制造所需的时间量。
3、最近，已经开发了在衬底表面的一部分上选择性地形成氮化硅的技术。这种技术通常包括在沉积前化学修饰表面。虽然这些技术在某些应用中可以很好地工作，但这些技术会在衬底表面上引入不希望的污染。这种过程还会增加形成结构的过程的复杂性。
4、因此，需要用于形成包括氮化硅膜的结构的改进方法。
5、本...
【技术保护点】
1.一种选择性沉积氮化硅的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料包括氮化硅或硅。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二材料包括金属氧化物、氧化硅或金属。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述反应物包括氮气(N2)、氢气(H2)、氩气(Ar)、氦气(He)中的一种或多种。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述处理气体包括氢气(H2)、氮气(N2)、氩气(Ar)、氦气(He)中的一种或多种。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，...
【技术特征摘要】
1.一种选择性沉积氮化硅的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料包括氮化硅或硅。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二材料包括金属氧化物、氧化硅或金属。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述反应物包括氮气(n2)、氢气(h2)、氩气(ar)、氦气(he)中的一种或多种。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述处理气体包括氢气(h2)、氮气(n2)、氩气(ar)、氦气(he)中的一种或多种。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，所述硅前体包括硅烷、甲硅烷基胺、氨基硅烷和卤化硅化合物中的一种或多种。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，所述沉积等离子体功率大于所述处理等离子体功率。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，在执行一个或多个沉积循环期间所述反应室内的压力大于在执行所述处理过程期间所述反应室内的压力。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在执行一个或多个沉积循环期间所述反应室内的压力比在执行所述处理过程期间所述反应室内的压力大至少2.5倍。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，所述处理气体不包含所述反应物。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·塞蒂亚迪，松田宏贵，川原润，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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