半导体结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体结构，包括：双极结型晶体管，包括：集电极区的第一有源区，包括沿第一方向延伸的第一鳍以及外延生长在第一鳍上的第一源极/漏极部件；基极区的第二有源区和第三有源区，第二有源区和第三有源区的每个有源区包括沿第一方向延伸的第二鳍以及外延生长在第二鳍上的第二源极/漏极部件；以及发射极区的第四有源区包括沿第一方向延伸的第三鳍以及外延生长在第三鳍上的第三源极/漏极部件，第二有源区和第三有源区设置在第四有源区在第一方向上的相对两侧，第一有源区比第四有源区长，第四有源区述第二有源区和第三有源区长。本发明专利技术提高了增益倍数并且改善了Vbe的失配。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构。

技术介绍

1、可以使用cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)兼容工艺形成的双极结型晶体管(bipolar junction transistor,bjt)是诸如带隙电压参考电路的模拟集成电路(analog integrated circuit)的关键部分。这些电路(带隙电压参考电路)通常对bjt的vbe(基极-发射极(base-emitter)电压)值和vbe失配非常敏感。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供一种半导体结构，以解决上述问题。

2、根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体结构，包括：

3、半导体基板；

4、深n型阱区，形成于所述半导体基板中；

5、第一p型阱区，形成于所述半导体基板上方；

6、n型阱区，形成于所述深n型阱区之上，并被所述第一p型阱区围绕；

7、第二p型阱区，形成于所述深n型阱区之上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基极区的有源区不设置在所述第一有源区和第四有源区之间。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述第一有源区与所述第四有源区之间的距离等于所述第一有源区与所述第二有源区之间的距离。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一有源区与所述第二有源区之间的距离等于所述第一有源区与所述第三有源区之间的距离。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一鳍长于所述第三鳍，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基极区的有源区不设置在所述第一有源区和第四有源区之间。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述第一有源区与所述第四有源区之间的距离等于所述第一有源区与所述第二有源区之间的距离。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一有源区与所述第二有源区之间的距离等于所述第一有源区与所述第三有源区之间的距离。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一鳍长于所述第三鳍，所述第三鳍长于所述第二鳍。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二鳍的数量少于所述第一鳍的数量和所述第三鳍的数量。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述双极结型晶体管还包括：

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述双极结型晶体管还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第六有源区设置在所述第二有源区与所述第五有源区之间，并且所述第七有源区设置在所述第三有源区与所述第五有源区之间，其中，所述第二有源区、第三有源区、第六有源区和第七有源区具有相同数量的第二鳍。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述双极结型晶体管还包括：

11.一种半导体结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱士权，胡嘉欣，曾峥，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：