一种三维立体集成的GCPW-SIW的垂直过渡结构制造技术

本发明专利技术属于微波技术领域，公开了一种三维立体集成的GCPW‑SIW的垂直过渡结构。传统的GCPW‑SIW过渡结构为单层平面的过渡结构，无法实现更高集成度的三维立体集成结构。本发明专利技术通过将GCPW、层间垂直过渡结构、SIW整体集成设计，实现了底层GCPW至顶层SIW的低损耗的垂直过渡转换。本发明专利技术结构简单、加工精度要求低、工作带宽较宽、插入损耗低。本发明专利技术适用于有源器件的三维立体集成应用，能够实现更高的系统集成度和更小的系统整体尺寸。同时，该过渡结构具有低过渡损耗、实现结构简单和较宽工作带宽的特点，能够广泛应用于微波毫米波前端的系统集成中。仿真结果显示该过渡结构在89.7‑99GHz频段内，具有低传输损耗和低反射系数的良好工作特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微波毫米波，尤其涉及一种三维立体集成的gcpw-siw的垂直过渡结构。

技术介绍

1、随着无线通信系统和雷达探测感知系统应用的快速发展，迫切需要系统设备中的微波毫米波电路子系统集成度不断提高，以满足高性能、小型化、低功耗的系统应用需求。而在微波毫米波频段，基片集成波导(siw)因其低成本、低传输损耗、可实现高性能天线阵列且易于与其他组件集成，而被广泛使用。接地共面波导(gcpw)则可将微波毫米波芯片与电路高效互联，并且具备优良的信号传输特性。因此，gcpw和siw的过渡互联结构，非常适合于微波毫米波电路模块的集成和封装天线形式的射频微系统，具有广泛的应用场景。

2、传统的gcpw-siw过渡结构为单层平面内的过渡结构，电路尺寸大且难以在同层集成更多的芯片和器件，已无法满足更高集成度的三维立体电路集成与封装的发展要求。而本专利技术提出的gcpw-siw垂直过渡结构，正是针对使用微波毫米波芯片和器件实现三维立体集成电路模块和射频微系统的一种技术方案，通过层间垂直过渡结构，实现了各层电路的层叠互联，并具有优良的过渡性能和工作带宽，适合于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三维立体集成的GCPW-SIW的垂直过渡结构，其特征在于，所述三维立体集成的GCPW-SIW的垂直过渡结构包括：依次对齐叠置的分别为；

2.如权利要求1所述三维立体集成的GCPW-SIW的垂直过渡结构，其特征在于，第一层、第二层、第四层使用的板材可为标准板材，可用多种微波毫米波适用的加工制造技术。

3.如权利要求1所述三维立体集成的GCPW-SIW的垂直过渡结构，其特征在于，第一层包括主GCPW传输线、匹配GCPW传输线和过渡探针，主GCPW传输线与匹配GCPW传输线的线宽相匹配、传输线与地之间的间距通过仿真优化调整以实现良好的阻抗匹配，主GCPW传输线与...

【技术特征摘要】

1.一种三维立体集成的gcpw-siw的垂直过渡结构，其特征在于，所述三维立体集成的gcpw-siw的垂直过渡结构包括：依次对齐叠置的分别为；

2.如权利要求1所述三维立体集成的gcpw-siw的垂直过渡结构，其特征在于，第一层、第二层、第四层使用的板材可为标准板材，可用多种微波毫米波适用的加工制造技术。

3.如权利要求1所述三维立体集成的gcpw-siw的垂直过渡结构，其特征在于，第一层包括主gcpw传输线、匹配gcpw传输线和过渡探针，主gcpw传输线与匹配gcpw传输线的线宽相匹配、传输线与地之间的间距通过仿真优化调整以实现良好的阻抗匹配，主gcpw传输线与有源器件通过封装工艺技术连接。

4.如权利要求1所述三维立体集成的gcpw-siw的垂直过渡结构，其特征在于，第二层中，在对应第一层中的过渡探针位置的正上方，开设有第一矩形槽和矩形槽外围周期性排列的通孔。

5.如权利要求1所述三维立体集成的gcpw-siw的垂直过渡结构，其特征在于，第三层中，开设有第二矩形槽，第二矩形槽且位于第一层中过渡探针位置的正上方。

6.如权利要求1所述三维立体集成的gcpw-siw的垂直过渡结构，其特征在于，第四层包括构成siw传输结构的周期性排列的金属孔，和设置在介质基板上顶面和下底面的金属导体层，上顶面和下底面的金属层之间通过所述金属化过孔连接。下底面的金属导体层通过金属腐蚀，开设有第三矩...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵明华，冯涛，程钰间，何宗锐，林先其，王洪斌，方逸，王鼎，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：