【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子材料，具体而言涉及一种陶瓷覆铜基板及其制备方法。
技术介绍
1、陶瓷覆铜常用技术包括直接覆铜技术(dbc，direct bonded copper)和活性金属钎焊技术(amb，active metal bonding)。采用直接覆铜技术获得的陶瓷覆铜基板可靠性低，且只适用于氧化铝陶瓷，适用性不高。采用活性金属钎焊技术获得的陶瓷覆铜基板利用活性元素与陶瓷反应实现铜与陶瓷的连接，可靠性高，但是选用了传统活性焊料例如ag-cu-ti合金焊料，价格昂贵，获得的陶瓷覆铜基板成本较高。
2、因此，需要一种陶瓷覆铜基板及其制备方法，以至少部分地解决以上问题。
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
2、为至少部分地解决上述问题，本专利技术提供了一种陶瓷...
【技术保护点】
1.一种陶瓷覆铜基板，其特征在于，包括陶瓷基层和铜金属层，以及位于所述陶瓷基层和所述铜金属层之间的如下层：
2.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜基板，其特征在于，所述金属间化合物层与所述铜金属层相邻，所述固溶层位于所述反应层和所述金属间化合物层之间。
3.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜基板，其特征在于，
4.一种用于根据权利要求1至3中的任一项所述的陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括：
...
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷覆铜基板，其特征在于，包括陶瓷基层和铜金属层，以及位于所述陶瓷基层和所述铜金属层之间的如下层：
2.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜基板，其特征在于，所述金属间化合物层与所述铜金属层相邻，所述固溶层位于所述反应层和所述金属间化合物层之间。
3.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜基板，其特征在于，
4.一种用于根据权利要求1至3中的任一项所述的陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括：
7.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：周维，徐强，刘维维，吴磊，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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