一种半导体激光器及其制备方法和激光设备技术

本发明专利技术公开了一种半导体激光器及其制备方法和激光设备，半导体激光器包括：衬底；第一外延结构，位于衬底的一侧，其包括第一半导体层；第二外延结构，位于第一半导体层远离衬底的一侧；其中，第一半导体层用于电隔离衬底和第二外延结构；第一半导体层包含至少一个P‑I‑N异质结。本发明专利技术提供的技术方案，保证生长出来的激光器器件的性能和可靠性的同时，提高了衬底与激光器外延结构之间的绝缘效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及激光器，尤其涉及一种半导体激光器及其制备方法和激光设备。

技术介绍

1、半导体激光器，如边发射激光器(edge emitting laser,eel)和垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser,vcsel)广泛应用于三维传感(3dsensing)、激光雷达(lidar)、光通信(optical communication)以及照明(lighting)等应用中。

2、在一些应用场景下，激光器外延结构和衬底之间需要电绝缘，有利于实现激光器阵列的分区控制功能。例如，在三维传感和激光雷达等应用中，需要将激光器阵列进行分区，以实现分区控制开关(即可寻址)，以及实现不同区的不同驱动条件(例如以不同的电流大小、脉宽、占空比等不同驱动条件进行驱动)。相关技术中，将激光器外延结构和衬底之间进行电绝缘的方式可以包括采用绝缘或半绝缘衬底，或者采用n型或者p型导电衬底并在导电衬底和激光器外延结构之间加入反向pn结等方式；但是采用绝缘或半绝缘衬底易影响激光器外延生长的质量，降低了生长出来的激光器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述P-I-N异质结包括一层第一种半导体材料层和两层第二种半导体材料层；

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一半导体层由至少两种交替排列的半导体材料层构成；

4.根据权利要求2或3所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一种半导体材料层的带隙能量，高于所述第二种半导体材料层的带隙能量；

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第二外延结构包括：

6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述p-i-n异质结包括一层第一种半导体材料层和两层第二种半导体材料层；

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一半导体层由至少两种交替排列的半导体材料层构成；

4.根据权利要求2或3所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一种半导体材料层的带隙能量，高于所述第二种半导体材料层的带隙能量；

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第二外延结构包括：

6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，还包括电流扩散层，所述电流扩散层位于所述第二半导体层中；所述电流扩散层的掺杂浓度高于1.0×1019atom/cm3。

8.根据权利要求5所述的半导体激光器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张成，梁栋，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：