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带有预充电功能的LDO电路和芯片制造技术

技术编号:40074148 阅读:7 留言:0更新日期:2024-01-17 00:43
一种带有预充电功能的LDO电路和芯片,该电路包括预充电模块、功率管模块和稳压模块;其中:预充电模块接收使能信号和基准电压建立判定信号,并响应于使能信号指示启用且基准电压建立判定信号指示基准电压未建立而输出预充电电压,否则不输出预充电电压;稳压模块接收基准电压建立判定信号,并响应于基准电压建立判定信号指示基准电压已建立而输出稳压电压,否则不输出稳压电压;功率管模块基于预充电电压和稳压电压输出供电电压;其中,基准电压建立判定信号是由偏置模块产生的,偏置模块由供电电压供电。本发明专利技术通过使预充电模块和稳压模块共用功率管模块,加快了预充电模块的充电速度,并节省了芯片面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子电路,具体涉及一种用于启动dcdc转换器的电路和芯片。


技术介绍

1、dc/dc转换器通常用于开关电源芯片,其利用电容、电感的储能的特性,通过可控开关(mosfet等)进行高频开关的动作,将输入的电能储存在电容(感)里,当开关断开时,电能再释放给负载,提供能量。dc/dc转换器在启动时通常需要依靠启动电路进行上电。

2、目前,现有的dcdc转换器的启动电路通常包括:预上电模块prevdd、偏置模块bias和低压差线性稳压器(low dropout regulator,ldo)。其中,prevdd模块用于给ldo和dcdc转换器的偏置模块bias提供电源,当ldo建立好后,prevdd模块将被关断;bias模块用于产生dcdc转换器所需要的基准电压和基准电流;ldo模块用于在dcdc转换器工作时,给dcdc转换器中相关模块供电。

3、在现有启动电路中,通常prevdd模块的输出端和ldo模块的输出端短接,并带有4.7uf大电容,同时prevdd模块中功率管的尺寸远小于ldo模块中功率管的尺寸,这就意味着prevdd模块的充电电流远小于ldo模块的充电电流,因此prevdd的充电斜率很缓慢,导致prevdd的建立速度较慢,进而导致ldo模块的建立时间较长。这是导致dcdc转换器从开始接收使能信号到第一次开关动作的时间较长的根本原因。


技术实现思路

1、为解决现有技术中存在的不足,本专利技术提供一种带有预充电功能的ldo电路和芯片,以加快预充电模块的充电速度,缩短预充电模块的建立时间,从而节省dcdc转换器从开始接收使能信号到第一次开关动作的时间。

2、本专利技术采用如下的技术方案。

3、根据本专利技术的第一方面,提供一种带有预充电功能的ldo电路。该电路包括预充电模块、功率管模块和稳压模块;其中:

4、所述预充电模块接收使能信号和基准电压建立判定信号,并响应于所述使能信号指示启用且所述基准电压建立判定信号指示基准电压未建立而输出预充电电压,否则不输出预充电电压;

5、所述稳压模块接收基准电压建立判定信号,并响应于所述基准电压建立判定信号指示基准电压已建立而输出稳压电压,否则不输出稳压电压;

6、所述功率管模块基于所述预充电电压和所述稳压电压输出供电电压;

7、其中,所述基准电压建立判定信号是由偏置模块产生的,所述偏置模块由所述供电电压供电。

8、优选的,所述预充电模块包括:第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4、三极管、第一nmos管、第二nmos管和第三nmos管;

9、r1和r2串联连接在电源电压和接地电压之间;

10、所述第一nmos管的源极经由第四电阻连接至接地电压,所述第一nmos管的漏极连接至所述第二nmos管的源极;

11、所述第二nmos管的漏极连接至所述预充电电压,所述第二nmos管的栅极连接至r1和r2的连接点;

12、r3的一端连接至所述使能信号,r3的另一端连接至所述第一nmos管的栅极和所述三极管的集电极;

13、所述三极管的发射极连接至接地电压,所述三极管的基极连接至所述第一nmos管的源极;

14、所述第三nmos管的栅极连接至所述基准电压建立判定信号,所述第三nmos管的漏极和源极分别连接至所述第一nmos管的栅极和所述接地电压。

15、优选的,当所述使能信号指示启用时,所述使能信号为高电位且大于所述第一nmos管的阈值电压。

16、优选的,当所述基准电压建立判定信号指示基准电压已建立时,所述基准电压建立判定信号为高电位且大于所述第三nmos管的阈值电压。

17、优选的,所述稳压模块包括第五电阻r5、第六电阻r6、第七电阻r7和放大器;

18、r5和r6串联连接在所述供电电压和接地电压之间;

19、所述放大器的正相输入端连接至r5和r6的连接点,所述放大器的反相输入端连接至参考电压,所述放大器的输出端与r7串联后引出并输出所述稳压电压,所述放大器还具有用于接收基准电压建立判定信号的控制端。

20、优选的,所述放大器响应于所述基准电压建立判定信号指示基准电压已建立而被启用,否则不启用。

21、优选的,所述功率管模块包括第一pmos管、第二pmos管和第三pmos管:

22、所述第一pmos管和第二pmos管的源极连接至电源电压;

23、所述第二pmos管的漏极连接至第三pmos管的源极;

24、所述第三pmos管的漏极连接至所述预充电电压和所述稳压电压;

25、所述第一pmos管的栅极、第二pmos管的栅极以及第三pmos管的栅极和漏极相连;

26、所述第一pmos管的漏极引出并输出所述供电电压。

27、优选的,所述供电电压经由电容连接至接地电压。

28、优选的,所述带有预充电功能的ldo电路还包括设于电源电压和功率管模块的输入端之间的第八电阻r8。

29、根据本专利技术的第二方面,提供一种芯片。该芯片包括根据本专利技术第一方面所述的带有预充电功能的ldo电路。

30、本专利技术的有益效果在于,与现有技术相比,通过使能信号和基准电压建立判定信号控制预充电模块和稳压模块分别在基准电压建立前和建立后与功率管模块导通,从而实现预充电模块和稳压模块共用同一尺寸较大的功率管模块,大大加快了预充电模块的充电速度;同时,相比于预充电模块和稳压模块分别采用不同功率管的方案而言,节省了芯片面积。

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【技术保护点】

1.一种带有预充电功能的LDO电路,其特征在于,包括预充电模块、功率管模块和稳压模块;其中:

2.根据权利要求1所述的带有预充电功能的LDO电路,其特征在于:所述预充电模块包括:第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、三极管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管;

3.根据权利要求2所述的带有预充电功能的LDO电路,其特征在于,当所述使能信号指示启用时,所述使能信号为高电位且大于所述第一NMOS管的阈值电压。

4.根据权利要求2所述的带有预充电功能的LDO电路,其特征在于,当所述基准电压建立判定信号指示基准电压已建立时,所述基准电压建立判定信号为高电位且大于所述第三NMOS管的阈值电压。

5.根据权利要求1所述的带有预充电功能的LDO电路,其特征在于,所述稳压模块包括第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7和放大器;

6.根据权利要求5所述的带有预充电功能的LDO电路,其特征在于,所述放大器响应于所述基准电压建立判定信号指示基准电压已建立而被启用,否则不启用。

7.根据权利要求1所述的带有预充电功能的LDO电路,其特征在于,所述功率管模块包括第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管:

8.根据权利要求1所述的带有预充电功能的LDO电路,其特征在于,所述供电电压经由电容连接至接地电压。

9.根据权利要求1所述的带有预充电功能的LDO电路,其特征在于,所述带有预充电功能的LDO电路还包括设于电源电压和功率管模块的输入端之间的第八电阻R8。

10.一种芯片,包括根据权利要求1-9中任一项所述的带有预充电功能的LDO电路。

...

【技术特征摘要】

1.一种带有预充电功能的ldo电路,其特征在于,包括预充电模块、功率管模块和稳压模块;其中:

2.根据权利要求1所述的带有预充电功能的ldo电路,其特征在于:所述预充电模块包括:第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4、三极管、第一nmos管、第二nmos管和第三nmos管;

3.根据权利要求2所述的带有预充电功能的ldo电路,其特征在于,当所述使能信号指示启用时,所述使能信号为高电位且大于所述第一nmos管的阈值电压。

4.根据权利要求2所述的带有预充电功能的ldo电路,其特征在于,当所述基准电压建立判定信号指示基准电压已建立时,所述基准电压建立判定信号为高电位且大于所述第三nmos管的阈值电压。

5.根据权利要求1所述的带有预充电功能的ldo电路,其特征在于,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:王子函李小涛刘承远
申请(专利权)人:骏盈半导体上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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