【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电，尤其涉及一种gan基发光芯片及其制备方法。
技术介绍
1、gan基发光芯片是常用的led芯片，但与gaas基发光芯片相比，其抗静电放电能力明显较差。gan基发光芯片属于静电敏感器件，在生产和使用过程中，如果没有良好的静电防护措施或者防护措施不当，极可能造成失效或者光电参数变化。gan基发光芯片的制备流程大致包括：mesa、cbl层的制备、ito层的制备、制作电极、钝化层的制备，其中在cbl层的制备过程中，对gan基发光芯片的抗静电能力损害尤其严重。因此，在gan基发光芯片的制备过程中，如何实现提升gan基发光芯片的抗静电能力迫在眉睫。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种gan基发光芯片的制备方法，其工艺简单，能够有效提升gan基发光芯片的esd良率。
2、本专利技术所要解决的技术问题还在于，提供一种gan基发光芯片，其esd良率高。
3、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种gan基发光芯片的制备方法，包括以下步骤：
4、s1、准备gan基外延片，所述gan基外延片由下至上依次包括衬底层、n型半导体层、多量子阱层、p型半导体层和欧姆接触层；
5、s2、对所述gan基外延片进行清洗，然后进行mesa光刻以暴露出n型半导体层，得到第一晶圆片；
6、s3、对所述第一晶圆片进行清洗，然后在所述第一晶圆片的表面沉积sio2层、上光阻、曝光、显影、刻蚀、去除光阻，得到表面带有电流阻挡层
7、s4、在所述第二晶圆片表面制备ito电流扩展层，得到第三晶圆片；
8、s5、在所述第三晶圆片上制备电极，得到gan基发光芯片。
9、在一种实施方式中，步骤s3中，所述电流阻挡层的厚度为2000埃～2200埃。
10、在一种实施方式中，步骤s3中，所述第一转速为200rpm～1500rmp。
11、在一种实施方式中，步骤s3中，所述第一转速为250rpm～800rmp。
12、在一种实施方式中，步骤s3中，采用纯水进行冲洗并以第一转速低速旋转，冲洗时间持续20s～40s。
13、在一种实施方式中，步骤s2中，采用清洗液对所述gan基外延片进行清洗，所述清洗液包括硫酸、双氧水和水，其中，硫酸、双氧水和水的比例为(4～6)：1：1。
14、在一种实施方式中，步骤s4中，所述ito电流扩展层的厚度为200埃～400埃。
15、在一种实施方式中，步骤s5中，所述电极的结构为cr/al/ni/pt/ni/pt/au。
16、相应地，本专利技术还提供一种gan基发光芯片，所述gan基发光芯片采用上述的gan基发光芯片的制备方法制得。
17、实施本专利技术，具有如下有益效果：
18、本专利技术提供的gan基发光芯片的制备方法，在制备电流阻挡层过程中，在所述第一晶圆片的表面沉积sio2层、上光阻、曝光、显影、刻蚀、去除光阻，其中，在显影过程中，采用纯水进行冲洗并以第一转速低速旋转。本专利技术通过在cbl显影工序降低显影后纯水冲洗时芯片自旋的转速，可以降低纯水和sio2的摩擦，进而提升gan基发光芯片的esd良率。
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1.一种GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述电流阻挡层的厚度为2000埃～2200埃。
3.如权利要求1所述的GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述第一转速为200rpm～1500rmp。
4.如权利要求3所述的GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述第一转速为250rpm～800rmp。
5.如权利要求1所述的GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，采用纯水进行冲洗并以第一转速低速旋转，冲洗时间持续20s～40s。
6.如权利要求1所述的GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤S2中，采用清洗液对所述GaN基外延片进行清洗，所述清洗液包括硫酸、双氧水和水，其中，硫酸、双氧水和水的比例为(4～6)：1：1。
7.如权利要求1所述的GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述ITO电流扩展层的厚度为200埃～400埃。
8.如权利要求1所述的
9.一种GaN基发光芯片，其特征在于，所述GaN基发光芯片采用如权利要求1～8任一项所述的GaN基发光芯片的制备方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种gan基发光芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的gan基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述电流阻挡层的厚度为2000埃～2200埃。
3.如权利要求1所述的gan基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述第一转速为200rpm～1500rmp。
4.如权利要求3所述的gan基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述第一转速为250rpm～800rmp。
5.如权利要求1所述的gan基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤s3中，采用纯水进行冲洗并以第一转速低速旋转，冲洗时间持续20s～40s。
...【专利技术属性】
技术研发人员：吕守贵，左乐，杨燕，张炳伟，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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