一种GaN基发光芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种GaN基发光芯片的制备方法，包括以下步骤：S1、准备GaN基外延片，所述GaN基外延片由下至上依次包括衬底层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和欧姆接触层；S2、对所述GaN基外延片进行清洗，然后进行MESA光刻以暴露出N型半导体层，得到第一晶圆片；S3、对所述第一晶圆片进行清洗，然后在所述第一晶圆片的表面沉积SiO<subgt;2</subgt;层、上光阻、曝光、显影、刻蚀、去除光阻，得到表面带有电流阻挡层的第二晶圆片，其中，在显影过程中，采用纯水进行冲洗并以第一转速低速旋转；S4、在所述第二晶圆片表面制备ITO电流扩展层，得到第三晶圆片；S5、在所述第三晶圆片上制备电极，得到GaN基发光芯片。本发明专利技术能够有效提升GaN基发光芯片的ESD良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电，尤其涉及一种gan基发光芯片及其制备方法。

技术介绍

1、gan基发光芯片是常用的led芯片，但与gaas基发光芯片相比，其抗静电放电能力明显较差。gan基发光芯片属于静电敏感器件，在生产和使用过程中，如果没有良好的静电防护措施或者防护措施不当，极可能造成失效或者光电参数变化。gan基发光芯片的制备流程大致包括：mesa、cbl层的制备、ito层的制备、制作电极、钝化层的制备，其中在cbl层的制备过程中，对gan基发光芯片的抗静电能力损害尤其严重。因此，在gan基发光芯片的制备过程中，如何实现提升gan基发光芯片的抗静电能力迫在眉睫。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种gan基发光芯片的制备方法，其工艺简单，能够有效提升gan基发光芯片的esd良率。

2、本专利技术所要解决的技术问题还在于，提供一种gan基发光芯片，其esd良率高。

3、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种gan基发光芯片的制备方法，包括以下步骤：

4、s本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述电流阻挡层的厚度为2000埃～2200埃。

3.如权利要求1所述的GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述第一转速为200rpm～1500rmp。

4.如权利要求3所述的GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述第一转速为250rpm～800rmp。

5.如权利要求1所述的GaN基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，采用纯水进行冲洗并以第一转速低速旋转，冲洗时间持...

【技术特征摘要】

1.一种gan基发光芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的gan基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述电流阻挡层的厚度为2000埃～2200埃。

3.如权利要求1所述的gan基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述第一转速为200rpm～1500rmp。

4.如权利要求3所述的gan基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述第一转速为250rpm～800rmp。

5.如权利要求1所述的gan基发光芯片的制备方法，其特征在于，步骤s3中，采用纯水进行冲洗并以第一转速低速旋转，冲洗时间持续20s～40s。

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【专利技术属性】
技术研发人员：吕守贵，左乐，杨燕，张炳伟，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：