【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硫化镉，具体涉及一种硫化镉靶片加工设备及加工工艺。
技术介绍
1、硫化镉(cds)属于ⅱ-ⅳ族化合物，宽禁带直接跃迁型半导体，室温下禁带宽度为2.42ev，是发展光电子技术的一种理想材料，主要用来制造光电池和光敏电阻，应用于照相机自动曝光、机电设备光电控制、光电耦合、光电检测、以及光控玩具、光控照明开完等场合的光敏电阻；
2、硫化镉薄膜的生产需要中间产物-靶材，靶材的性能对于薄膜的均匀性、导电性等性质具有决定性影响，因此制备良好性能的靶材就显得十分重要，而现有的靶材生产方式，多采用先制坯、后烧结的方式，因此对坯料的加工精度与烧结过程中温度的控制要求严格，极大地影响了靶材的生产效率。
技术实现思路
1、对于现有技术中所存在的问题，本专利技术提供的一种硫化镉靶片加工设备及加工工艺，采用不同粒径的硫化镉粉末均匀混合后进行热压，通过不同粒径硫化镉粉末之间的互相填充，可促进硫化镉靶片热压更加均匀紧实，有利于提高产品质量，同时采用分体式加工模具进行加工，不同型块之间的接触面设为平面设计，不同接触面之间的间隙在热压过程中促进硫化镉粉末中的空气外排，有利于提高硫化镉靶片的热压效果，有利于提高靶材的生产效率。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
3、一种硫化镉靶片加工工艺，包括如下步骤：
4、步骤1，备料：将粒径分别为1微米、80微米和200微米的硫化镉粉末按3:3:4的比例进行混合；
5、步骤2，混合：将2
6、步骤3，装模：将混合均匀的硫化镉粉末按相同的重量逐次添加到组装好的硫化镉靶片分体式加工模具中，每次添加完成后覆盖一层石墨纸；
7、步骤4，热压：将添加完硫化镉粉末的硫化镉靶片分体式加工模具安放在热压机下进行压制获得硫化镉片，其中热压机热压温度设为900-1000摄氏度、真空热压压力设为200吨、热压时间设为300-400分钟；
8、步骤5，将热压完成的硫化镉片进行切割、平磨获得硫化镉片成品，然后将硫化镉片成品进行包装。
9、优选的，步骤4中热压完成后保温4小时，然后真空条件下自然冷却至室温。
10、一种硫化镉靶片分体式加工模具，包括底座，所述底座上设有若干型块，若干型块一次首尾相连形成柱状结构，所述柱状结构中心设为与热压机相配合的型腔，所述柱状结构外侧设有用于固定的套环。
11、优选的，相邻两所述型块之间的接触面均设为平面。
12、优选的，所述型块设为3块，所述型腔设为三棱柱结构。
13、优选的，所述型块设为4块，所述型腔设为四棱柱结构。
14、本专利技术的有益效果表现在：
15、1、本专利技术中采用热压成型工艺替代原有的先制坯、后烧结的工艺，既缩短了工艺流程，又降低了加工难度，可有效提高硫化镉靶片的加工效率；
16、2、本专利技术中采用分体式加工模具，不同型块之间的接触面设为平面设计，不同接触面之间的间隙在热压过程中促进硫化镉粉末中的空气外排，有利于提高硫化镉靶片的热压效果，且生产效率高；
17、3、本专利技术中采用不同粒径的硫化镉粉末均匀混合后进行热压，通过不同粒径硫化镉粉末之间的互相填充，可促进硫化镉靶片热压更加均匀紧实，有利于提高产品质量。
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1.一种硫化镉靶片加工工艺，其特征是，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种硫化镉靶片加工工艺，其特征是，步骤4中热压完成后保温4小时，然后真空条件下自然冷却至室温。
3.一种权利要求1至2任一项中所述的硫化镉靶片分体式加工模具，其特征是，包括底座，所述底座上设有若干型块，若干型块一次首尾相连形成柱状结构，所述柱状结构中心设为与热压机相配合的型腔，所述柱状结构外侧设有用于固定的套环。
4.根据权利要求3所述的一种硫化镉靶片分体式加工模具，其特征是，相邻两所述型块之间的接触面均设为平面。
5.根据权利要求4所述的一种硫化镉靶片分体式加工模具，其特征是，所述型块设为3块，所述型腔设为三棱柱结构。
6.根据权利要求4所述的一种硫化镉靶片分体式加工模具，其特征是，所述型块设为3块，所述型腔设为三棱柱结构。
【技术特征摘要】
1.一种硫化镉靶片加工工艺，其特征是，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种硫化镉靶片加工工艺，其特征是，步骤4中热压完成后保温4小时，然后真空条件下自然冷却至室温。
3.一种权利要求1至2任一项中所述的硫化镉靶片分体式加工模具，其特征是，包括底座，所述底座上设有若干型块，若干型块一次首尾相连形成柱状结构，所述柱状结构中心设为与热压机相配合的型腔，所述柱...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵涛，李超，焦玉彦，
申请(专利权)人：潍坊卓宇新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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