一种在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法技术

本发明专利技术公开了一种在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法，包括S1：将铺放有碳纳米管薄膜和遮蔽模块的陶瓷托盘放置于管式炉的炉膛内；S2：检查管式炉前后两端的氩气流通畅性，设置管式炉升温速率、反应温度、反应时间，启动升温程序；S3：当管式炉内部的温度达到设定的反应温度时，向管式炉内部注入碳源和氢气，反应生长无定型碳层，得到图案化的碳纳米管薄膜。本发明专利技术的方法，即在碳纳米管薄膜表面覆盖特殊形状的遮蔽模块，二次气相沉积生长出银亮色的无定型碳沉积层，此无定型碳沉积层硬度好，并且与碳纳米管薄膜表面通过C‑C化学键结合，结合牢固性好，在不破坏碳纳米管薄膜的情况下，形成尺寸、形状可控的增材图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜图案化，具体涉及一种在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法。

技术介绍

1、基底表面图案化的常用手段是光刻法，然而这是一种制造成本较为昂贵的方法，并且多适用于硅基半导体表面。除此之外，纳米压印是一个较为常用的成本相对较低的基底表面图案化的方法，然而，采用纳米压印技术在基底表面图案化的过程中，由于压印的受力等问题，对于大面积图案的填充和高深宽比结构的图形化则不适用。碳纳米管薄膜厚度较薄，上述两种基底表面图案化的方法很容易将碳纳米管薄膜破坏，因此，光刻法和纳米压印技术均不适用于碳纳米管薄膜表面的图案化。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于，克服现有技术中存在的缺陷，提供一种在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法，具体提供一种以二次生长方式结合遮蔽物阻挡模式进行任意表面化图案的处理方法，即在碳纳米管薄膜表面覆盖特殊形状的遮蔽模块，然后将碳纳米管薄膜和遮蔽模块一起放入气相化学沉积(cvd)炉内进行二次气相沉积生长出银亮色的无定型碳沉积层，此无定型碳沉积层硬度好，并且与碳纳米管薄膜表面通过c-c化学键本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法，其特征在于，包括如下操作步骤：

2.如权利要求1所述的在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法，其特征在于，所述的步骤S1中，所用的遮蔽模块为陶瓷块。

3.如权利要求1所述的在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法，其特征在于，所述的步骤S2中，氩气流量为100～120sccm、升温速率为8～15℃/min、反应温度为1000～1200℃、反应时间为0.5～2h。

4.如权利要求3所述的在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法，其特征在于，所述的步骤S2中，氩气流量为110sccm、升温速率为10℃/min、反应温度为...

【技术特征摘要】

1.一种在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法，其特征在于，包括如下操作步骤：

2.如权利要求1所述的在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法，其特征在于，所述的步骤s1中，所用的遮蔽模块为陶瓷块。

3.如权利要求1所述的在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法，其特征在于，所述的步骤s2中，氩气流量为100～120sccm、升温速率为8～15℃/min、反应温度为1000～1200℃、反应时间为0.5～2h。

4.如权利要求3所述的在柔性碳纳米管薄膜表面制造图案的方法，其特征在于，所述的步骤s2中...

【专利技术属性】
技术研发人员：弓晓晶，郭池，
申请(专利权)人：常州六边形纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：