电子感光元件、成像镜头模块与电子装置制造方法及图纸

技术编号:40057233 阅读:22 留言:0更新日期:2024-01-16 22:07
一种电子感光元件、成像镜头模块与电子装置,电子感光元件包含一影像感测晶片、一透光元件、一抗反射膜层以及一抗反射结构。影像感测晶片包含一光电转换层以及一微透镜层,微透镜层设置于光电转换层的上方。透光元件设置于微透镜层的上方,且与微透镜层之间形成一间隙。光线通过透光元件进入电子感光元件。抗反射膜层至少设置于透光元件的上表面。抗反射结构设置于透光元件的下表面与微透镜层二者中的至少一者。借此,可减少杂散光线于电子感光元件中反射。

【技术实现步骤摘要】

本揭示内容是关于一种电子感光元件以及成像镜头模块,且特别是一种应用在可携式电子装置上的电子感光元件以及成像镜头模块。


技术介绍

1、现有技术的成像镜头中,杂散光线会于电子感光元件内部的元件之间反射,影响成像品质。请配合参照图5,其是现有技术成像镜头模块5的电子感光元件中透光元件51与影像感测晶片52的示意图。由图5可知,现有技术中,微透镜层521直接配置于影像感测晶片52朝向物侧的表面,并直接接收自透光元件51进入的光线il,而在微透镜层521与透光元件51之间产生杂散光线的反射,而影响成像品质。因此,如何减少杂散光线在电子感光元件内部的反射,为业界急需寻求解决方案的课题。


技术实现思路

1、本揭示内容提供的电子感光元件、成像镜头模块以及电子装置,通过在电子感光元件的透光元件与微透镜层设置抗反射膜层与抗反射结构,以减少杂散光线于电子感光元件中反射。

2、依据本揭示内容一态样提供一种电子感光元件,包含一影像感测晶片、一透光元件、至少一抗反射膜层以及至少一抗反射结构。影像感测晶片包含一光电转换层以及一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子感光元件,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的电子感光元件,其特征在于,设置有该至少一抗反射膜层的表面对应光线波长440纳米至680纳米的平均反射率为R4468,其满足下列条件:

3.如权利要求2所述的电子感光元件,其特征在于,设置有该至少一抗反射膜层的表面对应光线波长680纳米至800纳米的平均反射率为R6880,其满足下列条件:

4.如权利要求3所述的电子感光元件,其特征在于,设置有该至少一抗反射膜层的表面对应光线波长420纳米至450纳米的平均反射率为R4245,其满足下列条件:

5.如权利要求1所述的电子感光元件,...

【技术特征摘要】

1.一种电子感光元件,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的电子感光元件,其特征在于,设置有该至少一抗反射膜层的表面对应光线波长440纳米至680纳米的平均反射率为r4468,其满足下列条件:

3.如权利要求2所述的电子感光元件,其特征在于,设置有该至少一抗反射膜层的表面对应光线波长680纳米至800纳米的平均反射率为r6880,其满足下列条件:

4.如权利要求3所述的电子感光元件,其特征在于,设置有该至少一抗反射膜层的表面对应光线波长420纳米至450纳米的平均反射率为r4245,其满足下列条件:

5.如权利要求1所述的电子感光元件,其特征在于,设置有该至少一抗反射结构的表面对应光线波长380纳米至880纳米的平均反射率为r3888,其满足下列条件:

6.如权利要求1所述的电子感光元件,其特征在于,所述多个脊状凸起的一结构平均高度大于等于70纳米且小于等于350纳米。

7.如权利要求1所述的电子感光元件,其特征在于,该至少一抗反射结构还包含一结构连接层,该结构连接层包含至少一二氧化硅层,其中该至少一二氧化硅层的一顶部与各该脊状凸起的该底部实体接触。

8.如权利要求7所述的电子感光元件,其特征在于,该至少一二氧化硅层的该顶部的部分区域与空气接触。

9.如权利要求1所述的电子感光元件,其特征在于,该透光元件的材料包含光吸收材料。

10.如权利要求1所述的电子感光元件,其特征在于,该透光元件还包含一遮光结构,该遮光结构用于遮挡该光线通过。

11.如权利要求1所述的电子感光元件,其特征在于,该透光元件与该微透镜层之间形成一封闭空间。

12.如权利要求1所述的电子感光元件,其特征在于,该透光元件与该微透镜层之间的该间隙的距离为d,其满足下列条件:

13.一种成像镜头模块,其特征在于,包含:

14.一种电子装置,其特征在于,包含:...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈子淦范丞纬蔡温祐
申请(专利权)人:大根光学工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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