一种鳍型异质结型场效应晶体管制造技术

本申请提供一种鳍型异质结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底层；漏电极金属层；第一导电类型漂移层设置于第一导电类型衬底层背离漏电极金属层的一侧，第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧平面设置有凸出部以形成鳍型结构；厚氧化物屏蔽层设置于第一导电类型漂移层远离第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型导电层设置于厚氧化物屏蔽层背离第一导电类型漂移层的一侧；栅金属层，其设置于第二导电类型导电层背离第一导电类型漂移层的一侧；钝化层设置于栅金属层背离第二导电类型导电层的一侧；第一导电类型介质层设置于凸出部远离第一导电类型衬底层的一侧；源极金属层设置于第一导电类型介质层背离凸出部的一侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路应用领域，尤其涉及一种鳍型异质结型场效应晶体管。

技术介绍

1、氧化镓(ga2o3)是第四代超宽禁带半导体材料代表，受到各国研究人员的广泛关注。其中，β-ga2o3因其4.6-4.9ev的超宽带隙、约8mv/cm的临界场强、超过3000的巴利加优值(baliga’s figure of merit)以及与其他晶相相比更出色的热稳定性和化学稳定性，受到了最广泛的研究。同时，相比碳化硅(sic)、氮化镓(gan),ga2o3拥有成熟的熔融生长方法，能够以相对低的成本生产出大尺寸、高质量的ga2o3块体，具有很大的商业化潜力。但由于缺乏有效的浅受体掺杂剂并且空穴容易发生自陷，在ga2o3材料很难实现有效p型导电，这限制了ga2o3器件的进一步发展。由于缺少有效的p型掺杂，使得ga2o3器件的相关研究许多都集中在无结器件领域。

2、在无结三端器件中，finfet已经被证明具有优秀的性能。finfet是垂直器件，可在不牺牲芯片面积的情况下实现高阻断电压。它还能实现增强型工作，能够简化电路驱动设计。但finfet存在潜在的氧化物稳定性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种鳍型异质结型场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的鳍型异质结型场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型衬底层的掺杂浓度大于所述第一导电类型漂移层的掺杂浓度；所述第一导电类型漂移层的掺杂浓度小于所述第一导电类型介质层的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的鳍型异质结型场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型衬底层的掺杂浓度为2×1018cm-3。

4.根据权利要求1所述的鳍型异质结型场效应晶体管，其特征在于，所述凸出部的宽度为200nm。

5.根据权利要求1所述的鳍型异质结型场效应晶体管，其特征在于，所述第二导电...

【技术特征摘要】

1.一种鳍型异质结型场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的鳍型异质结型场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型衬底层的掺杂浓度大于所述第一导电类型漂移层的掺杂浓度；所述第一导电类型漂移层的掺杂浓度小于所述第一导电类型介质层的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的鳍型异质结型场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型衬底层的掺杂浓度为2×1018cm-3。

4.根据权利要求1所述的鳍型异质结型场效应晶体管，其特征在于，所述凸出部的宽度为200nm。

5.根据权利要求1所述的鳍型异质结型场效应晶体管，其特征在于，所述第二导电类型导电层的材料包括氧化镍，掺杂浓度为5×1018cm-3，厚度为30nm。

6.根据权利要求5所述的鳍型异质结型场效应...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文锁，黄嘉伟文，许豪杰，徐向涛，张澳航，张成方，王航，张力，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：