【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频，具体涉及一种超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路。
技术介绍
1、当前射频前端关键芯片向着高性能、高集成度方向发展。低噪声放大器(lna)作为射频接收链路的核心器件，被广泛的应用在雷达t/r组件、射频前端收发机等系统中。
2、超宽带通信系统在采用基带脉冲工作方式时，具有较强的穿透能力和抗多径干扰能力。一般使用时会将低噪声放大器工作在线性放大状态，输出频谱不会受到高次谐波功率的影响。目前，现代通信系统往往要求低噪声放大器的输出1db压缩点达到较大功率要求，并且要求由于非线性的功率压缩带来的高次谐波输出功率也必须降低。在窄带低噪声放大器设计中加入滤波器可以非常容易实现这类要求，但是在数个倍频程的超宽带低噪声放大器中是不能加入任何形式的滤波电路，否则将会显著降低通带内的增益和恶化噪声系数。因此，如何实现低噪声放大器满足超宽带性能的同时也能显著提升高次谐波抑制比是目前需要解决的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供的一种超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路解决了现有技术总无法满足超宽带性能并同时提升高次谐波抑制比的问题。
2、为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：
3、提供了一种超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其包括依次串联的输入模块、低噪声放大模块以及输出模块；输入模块包括分频器、第一低频巴伦以及第一高频巴伦；低噪声放大模块包括两个并联的第一低频低噪声放大单元和第二低频低噪声放大单元
4、分频器的第一端作为信号输入端，分频器的第二端口连接第一低频巴伦的一端，分频器的第三端口连接第一高频巴伦的一端；第一低频巴伦的正极连接第一低频低噪声放大单元的一端，第一低频巴伦的负极连接第二低频低噪声放大单元的一端；第一低频低噪声放大单元的另一端连接第二低频巴伦的正极；第二低频低噪声放大单元的另一端连接第二低频巴伦的负极；第二低频巴伦的一端连接移相调控单元的一端；移相调控单元的另一端连接合路器的第一端口；第一高频巴伦的正极连接第一高频低噪声放大单元的一端，第一高频巴伦的负极连接第二高频低噪声放大单元的一端；第一高频低噪声放大单元的另一端连接第二高频巴伦的正极；第二高频低噪声放大单元的另一端连接第二高频巴伦的负极；第二高频巴伦的一端连接合路器的第二端口；合路器的第三端口作为信号输出端。
5、进一步地，分频器和合路器为互异性结构，均包括高通滤波器和低通滤波器；低通滤波器包括电感l1、电感l2、电感l3、电感l4、电感l5、电容c1以及电容c2，高通滤波器包括电感l6、电感l7、电感l8、电感l9、电感l10、电容c3以及电容c4；
6、电感l1的一端连接电感l8的一端并作为分频器的输入端，电感l1的另一端分别连接电感l2的一端和电感l4的一端；电感l2的另一端分别连接电感l3的一端和电感l4的一端；电感l3的另一端作为分频器的低频输出端；电感l4的另一端连接电容c1的负极；电容c1的正极接地；电感l5的另一端连接电容c2的负极；电容c2的正极接地；
7、电感l8的另一端分别连接电感l7的一端和电感l9的一端；电感l7的另一端分别连接电感l6的一端和电感l10的一端；电感l10的另一端作为分频器的高频输出端；电感l9的另一端连接电容c4的负极；电容c4的正极接地；电感l6的另一端连接电容c3的负极；电容c3的正极接地。
8、进一步地，巴伦电路采用微带耦合线或者有源fet管芯。
9、进一步地，第一低频巴伦、第一高频巴伦和第二低频巴伦、第二高频巴伦为互异性结构，均包括单根微带线tl1、单根微带线tl2、耦合微带线cl1、耦合微带线cl2、电感l1以及电容c1；
10、单根微带线tl1的一端分别连接接地电感l1和电容c1的一端，单根微带线tl1的另一端作为巴伦的输入端；电容c1的另一端连接耦合微带线cl1的端口2；耦合微带线cl1的端口1接地，耦合微带线cl1的端口3连接耦合微带线cl2的端口4，耦合微带线cl1的端口4连接单根微带线tl2的一端；耦合微带线cl2的端口2接地，耦合微带线cl2的端口3作为巴伦的第一输出端；单根微带线tl2的另一端作为巴伦的第二输出端。
11、进一步地，第一低频巴伦、第一高频巴伦输出的差分信号的幅度相等且相位相差180度。
12、进一步地，第一低频低噪声放大单元、第二低频低噪声放大单元和第一高频低噪声放大单元、第二高频低噪声放大单元均采用输入匹配网络、第一级fet1管芯、直流偏置电路、级间匹配电路、第二级fet2管芯、输出匹配网络、两个栅极直流偏置电路以及两个漏极直流偏置电路进行搭建；输入匹配网络的一端分别连接第一级fet1管芯的栅极和第一栅极直流偏置电路的一端，输入匹配网络的另一端作为放大单元的输入端；第一栅极直流偏置电路的另一端作为直流电压输入端；第一级fet1管芯的源极接地，第一级fet1管芯的漏极分别连接第一漏极直流偏置电路的一端和级间匹配电路的一端；第一漏极直流偏置电路的另一端作为直流电压输入端；级间匹配电路的另一端分别连接第二栅极直流偏置电路的一端和第二级fet2管芯的栅极；第二栅极直流偏置电路的另一端作为直流电压输入端；第二级fet2管芯的源极接地，第二级fet2管芯的漏极分别连接第二漏极直流偏置电路的一端和输出匹配电路的一端；第二漏极直流偏置电路的另一端作为直流电压输入端；输出匹配电路的另一端作为放大单元的输出端。
13、进一步地，第一级fet1管芯的直流工作点为低噪声工作点；第二级fet2管芯的直流工作点为a类功率放大工作点。
14、进一步地，移相调控单元采用串联微带线或并联微带线。
15、本专利技术的有益效果为：该低噪声放大器电路可以满足数个倍频程的超宽带性能并显著提升高次谐波抑制比；引入移相调控单元，并通过分频器及合路器可以提升三次谐波及以上的高次谐波抑制度，且解决合路器交叉频带的增益恶化问题；采用第一低频巴伦、第一高频巴伦、第二低频巴伦和第二高频巴伦可抑制二次谐波功率。
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1.一种超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：包括依次串联的输入模块、低噪声放大模块以及输出模块；所述输入模块包括分频器、第一低频巴伦以及第一高频巴伦；所述低噪声放大模块包括两个并联的第一低频低噪声放大单元和第二低频低噪声放大单元以及两个并联的第一高频低噪声放大单元和第二高频低噪声放大单元；所述输出模块包括第二低频巴伦、第二高频巴伦、移相调控单元以及合路器；
2.根据权利要求1所述的超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：所述分频器和合路器为互异性结构，均包括高通滤波器和低通滤波器；所述低通滤波器包括电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电容C1以及电容C2，高通滤波器包括电感L6、电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电容C3以及电容C4；
3.根据权利要求1所述的超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：巴伦电路采用微带耦合线或者有源FET管芯。
4.根据权利要求3所述的超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：所述第一低频巴伦、第一高频巴伦和第二低频巴伦、第二高频巴伦为互异性结构，均包
5.根据权利要求4所述的超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：所述第一低频巴伦、第一高频巴伦输出的差分信号的幅度相等且相位相差180度。
6.根据权利要求1所述的超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：所述第一低频低噪声放大单元、第二低频低噪声放大单元和第一高频低噪声放大单元、第二高频低噪声放大单元均采用输入匹配网络、第一级FET1管芯、直流偏置电路、级间匹配电路、第二级FET2管芯、输出匹配网络、两个栅极直流偏置电路以及两个漏极直流偏置电路进行搭建；所述输入匹配网络的一端分别连接第一级FET1管芯的栅极和第一栅极直流偏置电路的一端，输入匹配网络的另一端作为放大单元的输入端；所述第一栅极直流偏置电路的另一端作为直流电压输入端；所述第一级FET1管芯的源极接地，第一级FET1管芯的漏极分别连接第一漏极直流偏置电路的一端和级间匹配电路的一端；所述第一漏极直流偏置电路的另一端作为直流电压输入端；所述级间匹配电路的另一端分别连接第二栅极直流偏置电路的一端和第二级FET2管芯的栅极；所述第二栅极直流偏置电路的另一端作为直流电压输入端；所述第二级FET2管芯的源极接地，第二级FET2管芯的漏极分别连接第二漏极直流偏置电路的一端和输出匹配电路的一端；所述第二漏极直流偏置电路的另一端作为直流电压输入端；所述输出匹配电路的另一端作为放大单元的输出端。
7.根据权利要求6所述的超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：所述第一级FET1管芯的直流工作点为低噪声工作点；所述第二级FET2管芯的直流工作点为A类功率放大工作点。
8.根据权利要求1所述的超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：所述移相调控单元采用串联微带线或并联微带线。
...【技术特征摘要】
1.一种超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：包括依次串联的输入模块、低噪声放大模块以及输出模块；所述输入模块包括分频器、第一低频巴伦以及第一高频巴伦；所述低噪声放大模块包括两个并联的第一低频低噪声放大单元和第二低频低噪声放大单元以及两个并联的第一高频低噪声放大单元和第二高频低噪声放大单元；所述输出模块包括第二低频巴伦、第二高频巴伦、移相调控单元以及合路器；
2.根据权利要求1所述的超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：所述分频器和合路器为互异性结构，均包括高通滤波器和低通滤波器；所述低通滤波器包括电感l1、电感l2、电感l3、电感l4、电感l5、电容c1以及电容c2，高通滤波器包括电感l6、电感l7、电感l8、电感l9、电感l10、电容c3以及电容c4；
3.根据权利要求1所述的超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：巴伦电路采用微带耦合线或者有源fet管芯。
4.根据权利要求3所述的超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：所述第一低频巴伦、第一高频巴伦和第二低频巴伦、第二高频巴伦为互异性结构，均包括单根微带线tl1、单根微带线tl2、耦合微带线cl1、耦合微带线cl2、电感l1以及电容c1；
5.根据权利要求4所述的超宽带高谐波抑制比的低噪声放大器电路，其特征在于：所述第一低频巴伦、第一高频巴伦输出的差分信号的幅度相等且相位相差180度。
6.根据权利要求1所述的超宽带高谐波抑制比...
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