【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及分布式反馈激光二极管，尤其是一种分布反馈型半导体激光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、在分布式反馈激光二极管设计时，某些模拟激光二极管的应用需要以最小化相对强度噪声（rin）和噪声系数（nf）为优化目标，并保持激光频率响应的恒定幅度（s21），即需要更为平坦的频响曲线。但是，传统的方式是通过增加谐振腔的腔长或增加fp激光器的垂直面反射率来改善rin和nf。但是，恒定幅度（s21）的平坦度受到偏置电平以及谐振腔阻尼的影响。
2、众所周知，从直流到约2 ghz的频率范围内，噪声系数（nf）主要受到光谱中侧模的竞争影响，因此改善侧模抑制比将提高低频范围的相对强度噪声（rin）和噪声系数。在频率大于3 ghz的范围内，噪声系数和相对强度噪声将受到激光频率响应特性的强烈影响，特别是弛豫振荡频率和激光的阻尼。
3、因此，急需要提出一种结构简单、设计可靠的分布反馈型半导体激光二极管及其制备方法。
技术实现思路
1、针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种分布反馈型半导体激光二极管及其制备方法，本专利技术采用的技术方案如下：
2、第一部分，本技术提供了一种分布反馈型半导体激光二极管，其包括：
3、一层n-或p-型掺杂的半导体衬底层；
4、沉积在半导体衬底层上、且与半导体衬底层的掺杂类型相同的下部衬底层；
5、形成在下部衬底层上的半导体有源层；所述半导体有源层内镶嵌有一产生单纵向模的衍射光栅结构；所述衍射光栅结
6、沉积在半导体有源层上、且与半导体衬底层的掺杂类型相反的上部衬底层；
7、沉积在上部衬底层上、且与半导体衬底层的掺杂类型相同的金属导电层；
8、设置在半导体衬底层、下部衬底层、半导体有源层、上部衬底层和金属导电层的前端的前端面镀膜；
9、以及在半导体衬底层、下部衬底层、半导体有源层、上部衬底层和金属导电层的后端的后端面镀膜；
10、所述相移光栅区域的中心与前端面镀膜的距离为110um。
11、第二部分，本技术提供了一种分布反馈型半导体激光二极管的制备方法，其包括以下步骤：
12、提供一层n-或p-型掺杂的半导体衬底层；
13、在所述半导体衬底层上沉积一下部衬底层；所述下部衬底层与半导体衬底层的掺杂类型相同；
14、在下部衬底层上形成一半导体有源层；所述半导体有源层内镶嵌有一产生单纵向模的衍射光栅结构；所述衍射光栅结构包含相移光栅区域；
15、在半导体有源层上沉积一上部衬底层；所述上部衬底层与半导体衬底层的掺杂类型相反；
16、在上部衬底层上沉积一金属导电层；所述金属导电层与半导体衬底层的掺杂类型相同；
17、在半导体衬底层、下部衬底层、半导体有源层、上部衬底层和金属导电层的前端布设一前端面镀膜；
18、在半导体衬底层、下部衬底层、半导体有源层、上部衬底层和金属导电层的后端布设一后端面镀膜。
19、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
20、本专利技术巧妙地地在半导体有源层内设置相移光栅区域，并根据所需的阻尼强度选择对应的相移光栅区域的长度，相移光栅区域的长度在几百纳米至激光器腔长的2/3。本专利技术通过埋藏异质结构提供横向导光。本专利技术通过改变相位移区域的长度和光栅的强度（kl），可以改变局部光强度。另外，本专利技术通过埋藏异质结构提供横向导光和设置衍射光栅结构以产生单纵向模，可以有效的降低漏电流，提高器件的有效带宽。
21、综上所述，本专利技术具有结构简单、设计可靠、局部光强度可变等优点，在分布式反馈激光二极管
具有很高的实用价值和推广价值。
【技术保护点】
1.一种分布反馈型半导体激光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种分布反馈型半导体激光二极管，其特征在于，所述半导体有源层包括波导层和增益层；所述衍射光栅结构设置在增益层内；所述波导层设置在下部衬底层上。
3.根据权利要求1~2任一项所述的一种分布反馈型半导体激光二极管，其特征在于，所述半导体有源层相对于下部衬底层在长度上具有0.5%至2%之间的拉伸或压缩应变。
4.根据权利要求1所述的一种分布反馈型半导体激光二极管，其特征在于，所述前端面镀膜的反射率小于0.5%。
5.一种根据权利要求1~4任一项所述的分布反馈型半导体激光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种分布反馈型半导体激光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种分布反馈型半导体激光二极管，其特征在于，所述半导体有源层包括波导层和增益层；所述衍射光栅结构设置在增益层内；所述波导层设置在下部衬底层上。
3.根据权利要求1~2任一项所述的一种分布反馈型半导体激光二极管，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨军，
申请(专利权)人：上海三菲半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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