一种基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法技术

本发明专利技术公开了一种基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法，通过采用浅刻蚀形成台面型探测器，可以实现更佳的横向关键尺寸控制，在提高器件制备的均匀性的同时，有效提升器件的频响特性和饱和电流。浅台面技术还可以减少台面侧壁的粗糙度和刻蚀损伤，降低器件暗电流和改善器件可靠性，有效改善探测器的最大功率容限和线性度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子器件制造方法，尤其涉及一种基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法。

技术介绍

1、高速单行载流子探测器是一种先进的光电探测器器件架构，其利用吸收光子产生的电子实现载流子的高速输运，大幅降低了空间电荷效应，因而探测器具有高速、高饱和输出等优点，被广泛应用于模拟光通信和光载无线系统中。但是高速单行探测器外延结构设计复杂，器件性能对横向尺寸和台面控制极为敏感。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是要提供一种基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法。

2、为达到上述目的，本专利技术是按照以下技术方案实施的：

3、本专利技术高速大功率单行载流子探测器包括高速探测器外延结构，所述高速探测器外延结构由衬底、下高掺接触层、载流子输运层、低掺吸收层、高掺吸收层、上高掺接触层组成，制造方法包括以下步骤：

4、s1：在衬底上通过有机金属化学气相沉积法mocvd依次外延生长下高掺接触层、载流子输运层、低掺吸收层、高掺吸收层、上高掺接触层形成探测器的层状外延结构；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法，其特征在于：高速大功率单行载流子探测器包括高速探测器外延结构，所述高速探测器外延结构由衬底（0）、下高掺接触层（1）、载流子输运层（2）、低掺吸收层（3）、高掺吸收层（4）、上高掺接触层（5）组成，制造方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法，其特征在于：所述步骤S2采用的盐酸磷酸体系溶液摩尔配比为：HCl:H3PO4:H2O = 1:3:2。

3.根据权利要求1所述的基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法，其特征在于：所述步骤S3中采用的柠檬酸双氧水...

【技术特征摘要】

1.一种基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法，其特征在于：高速大功率单行载流子探测器包括高速探测器外延结构，所述高速探测器外延结构由衬底（0）、下高掺接触层（1）、载流子输运层（2）、低掺吸收层（3）、高掺吸收层（4）、上高掺接触层（5）组成，制造方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法，其特征在于：所述步骤s2采用的盐酸磷酸体系溶液摩尔配比为：hcl:h3po4:h2o = 1:3:2。

3.根据权利要求1所述的基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法，其特征在于：所述步骤s3中采用的柠檬酸双氧水体系溶液摩尔配比为：c6h8o7:h2o2:h2o = 1:5:25。

4.根据权利要求1所述的基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨军，
申请(专利权)人：上海三菲半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：