【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率半导体器件测试，具体涉及一种功率半导体器件的射线辐照试验装置。
技术介绍
1、特高压直流输电技术凭借输电距离远、输电损耗低等优势，仍然是新能源送出的主要技术方案。我国西南部新能源富集地区大多处于2000米以上及海拔，该地区空间辐射环境恶劣，尤其是大气中子能量高、注量率大，将会严重影响换流功率半导体器件的可靠性。而功率半导体器件是特高压直流输电核心装备－换流阀的主要组成部件，因此需要对高海拔应用场景下功率半导体器件的可靠性进行评估，目前有效的方法是提高射线辐射注量率对功率器件或其组成芯片开展加速寿命试验。
2、功率器件的加速寿命试验需要加载可变的电压和温度，应进行电气绝缘隔离以保证人身和设备安全，并可方便的调整辐照角度。传统试验方法一般是将将器件或其组成芯片悬挂或采用简易结构件临时支撑，这种方法无法保证接触可靠性及支撑稳定性，安装操作也不方便。
技术实现思路
1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的功率器件试验中，一般将器件或其组成芯片悬挂或采用简易结构件临时支撑，存在稳定性不足的缺陷，从而提供一种功率半导体器件的射线辐照试验装置。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种功率半导体器件的射线辐照试验装置，包括：
3、对应设置的支撑前框架和支撑后框架，所述支撑前框架和支撑后框架间形成有第一容纳空间；
4、夹板组件，所述夹板组件设于第一容纳空间内，所述夹板组件包括对应设置的第一夹板和第二夹板，所述第一夹
5、可选地，所述支撑前框架设有凹槽，所述支撑后框架设有凹槽，所述第一夹板的两端设有凸起端，所述第二夹板的两端设有凸起端，所述凸起端与凹槽适配。
6、可选地，所述支撑前框架和支撑后框架的截面均为“u”形，所述支撑前框架的两个水平支撑端均设有凹槽，所述支撑后框架的两个水平支撑端均设有凹槽。
7、可选地，所述支撑前框架的竖向框设有通孔，所述支撑后框架的竖向框设有通孔。
8、可选地，所述支撑前框架的通孔与支撑后框架的通孔大小相同，所述通孔为方形。
9、可选地，所述第一夹板朝向第二夹板的侧面上设有至少两个刻槽，所述第二夹板朝向第一夹板的侧面上设有至少两个刻槽，所述刻槽以与受试器件适配。
10、可选地，所述第一夹板和第二夹板的长度相同。
11、可选地，所述刻槽的方向为竖向。
12、可选地，还包括底部托板，所述底部托板的两端分别支撑前框架和支撑后框架固定连接。
13、可选地，还包括盖板，所述盖板与底部托板相对设置，所述盖板的两端分别与支撑前框架和支撑后框架固定连接。
14、本专利技术技术方案，具有如下优点：
15、1.本专利技术提供的功率半导体器件的射线辐照试验装置，包括：对应设置的支撑前框架和支撑后框架，支撑前框架和支撑后框架间形成有第一容纳空间；夹板组件，设于第一容纳空间内，包括对应设置的第一夹板和第二夹板，第一夹板和第二夹板间形成有第二容纳空间，第二容纳空间内适于容纳受试器件，第一夹板分别与支撑前框架、支撑后框架滑动连接，和/或第二夹板分别与支撑前框架、支撑后框架滑动连接，以使夹板组件根据受试器件大小调节第一夹板和第二夹板间的间距。第一夹板分别与支撑前框架、支撑后框架滑动连接，或者第二夹板分别与支撑前框架、支撑后框架滑动连接，可以根据受试器件的大小，调节第一夹板和第二夹板的间距以固定受试器件，以保证受试器件在试验中的稳定性。或是，第一夹板分别与支撑前框架、支撑后框架滑动连接，和第二夹板分别与支撑前框架、支撑后框架滑动连接，此时，第一夹板和第二夹板均可以滑动连接，以根据受试器件的大小，调节第一夹板和第二夹板的间距以固定受试器件，以保证受试器件在试验中的稳定性。
16、2.本专利技术提供的功率半导体器件的射线辐照试验装置，支撑前框架设有凹槽，支撑后框架设有凹槽，第一夹板的两端设有凸起端，第二夹板的两端设有凸起端，凸起端与凹槽适配，以使第一夹板分别与支撑前框架、支撑后框架滑动连接，和第二夹板分别与支撑前框架、支撑后框架滑动连接。
17、3.本专利技术提供的功率半导体器件的射线辐照试验装置，支撑前框架和支撑后框架的截面均为“u”形，支撑前框架的两个水平支撑端均设有凹槽，支撑后框架的两个水平支撑端均设有凹槽，以起到稳固第一夹板和第二夹板的作用。
18、4.本专利技术提供的功率半导体器件的射线辐照试验装置，支撑前框架的竖向框设有通孔，支撑后框架的竖向框设有通孔，支撑前框架的通孔与支撑后框架的通孔大小相同，通孔为方形，方孔内以进行射线辐射。
19、5.本专利技术提供的功率半导体器件的射线辐照试验装置，第一夹板朝向第二夹板的侧面上设有至少两个刻槽，第二夹板朝向第一夹板的侧面上设有至少两个刻槽，刻槽以与受试器件适配，以固定受试器件。
20、6.本专利技术提供的功率半导体器件的射线辐照试验装置，第一夹板和第二夹板的长度相同，以使第一夹板和第二夹板的刻槽的数量相同。
21、7.本专利技术提供的功率半导体器件的射线辐照试验装置，刻槽的方向为竖向，以使受试器件沿第一夹板和第二夹板的长度方向等间距排列。
22、8.本专利技术提供的功率半导体器件的射线辐照试验装置，还包括底部托板，底部托板的两端分别支撑前框架和支撑后框架固定连接，底板托板以支撑受试器件。
23、9.本专利技术提供的功率半导体器件的射线辐照试验装置，还包括盖板，盖板与底部托板相对设置，盖板的两端分别与支撑前框架和支撑后框架固定连接，盖板与底板托板以共同保护受试器件。
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1.一种功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)设有凹槽(9)，所述支撑后框架(5)设有凹槽(9)，所述第一夹板(7)的两端设有凸起端(12)，所述第二夹板(8)的两端设有凸起端(12)，所述凸起端(12)与凹槽(9)适配。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)和支撑后框架(5)的截面均为“U”形，所述支撑前框架(1)的两个水平支撑端(11)均设有凹槽(9)，所述支撑后框架(5)的两个水平支撑端(11)均设有凹槽(9)。
4.根据权利要求3所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)的竖向框(14)设有通孔，所述支撑后框架(5)的竖向框(14)设有通孔。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)的通孔与支撑后框架(5)的通孔大小相同，所述通孔为方形。
6.根据权利要求2所述的功率半导体器件
7.根据权利要求6所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述第一夹板(7)和第二夹板(8)的长度相同。
8.根据权利要求7所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述刻槽(13)的方向为竖向。
9.根据权利要求1－8任一项所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，还包括底部托板(2)，所述底部托板(2)的两端分别与支撑前框架(1)和支撑后框架(5)固定连接。
10.根据权利要求9所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，还包括盖板，所述盖板与底部托板(2)相对设置，所述盖板的两端分别与支撑前框架(1)和支撑后框架(5)固定连接。
...【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)设有凹槽(9)，所述支撑后框架(5)设有凹槽(9)，所述第一夹板(7)的两端设有凸起端(12)，所述第二夹板(8)的两端设有凸起端(12)，所述凸起端(12)与凹槽(9)适配。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)和支撑后框架(5)的截面均为“u”形，所述支撑前框架(1)的两个水平支撑端(11)均设有凹槽(9)，所述支撑后框架(5)的两个水平支撑端(11)均设有凹槽(9)。
4.根据权利要求3所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)的竖向框(14)设有通孔，所述支撑后框架(5)的竖向框(14)设有通孔。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)的通孔与支撑后框架(5)的通孔大...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳文敏，王成昊，杨俊，张升，
申请(专利权)人：国网智能电网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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