【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电力电子领域,具体涉及一种测试组件和测试机台。
技术介绍
1、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)、金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)等半导体器件的开关特性作为半导体器件的主要特征之一,决定了半导体器件的工作效率和稳定性。
2、通常可以通过测试组件对半导体器件的开关特性进行测试。相关技术提供的测试组件往往将罗氏线圈套在电容与被测试的半导体器件之间的连接线上,通过电磁感应原理对半导体器件的电流进行采集,进而实现半导体器件开关特性的测试。但是罗氏线圈的带宽一般不超过30mhz,无法满足碳化硅、氮化镓等高开关速度的半导体器件的电流的采集需求,因此相关技术提供的测试组件适用性较差。
技术实现思路
1、为了解决现有技术适用性差的问题,本申请提供了一种测试组件,可以包括叠层母排、分流器和电容。
2
...【技术保护点】
1.一种测试组件,其特征在于,包括叠层母排、分流器和电容;
2.根据权利要求1所述的测试组件,其特征在于,所述叠层母排还包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第四金属层;
3.根据权利要求或1或2所述的测试组件,其特征在于,所述分流器包括第一接口和第二接口,所述叠层母排设有第一过孔和第二过孔;
4.根据权利要求1或2所述的测试组件,其特征在于,所述电容包括第三接口和第四接口,所述叠层母排设有第三过孔和第四过孔;
5.根据权利要求2所述的测试组件,其特征在于,所述叠层母排设有第五过孔和第六过孔;
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【技术特征摘要】
1.一种测试组件,其特征在于,包括叠层母排、分流器和电容;
2.根据权利要求1所述的测试组件,其特征在于,所述叠层母排还包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第四金属层;
3.根据权利要求或1或2所述的测试组件,其特征在于,所述分流器包括第一接口和第二接口,所述叠层母排设有第一过孔和第二过孔;
4.根据权利要求1或2所述的测试组件,其特征在于,所述电容包括第三接口和第四接口,所述叠层母排设有第三过孔和第四过孔;
5.根据权利要求2所述的测试组件,其特征在于,所述叠层母排设有第五过孔和第六过...
【专利技术属性】
技术研发人员:张祎慧,孙帅,张雷,杨霏,季凌云,张见,
申请(专利权)人:国网智能电网研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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