高精度可编程电流偏置电路制造技术

本发明专利技术提供一种高精度可编程电流偏置电路，所述电路包括参考输入模块、第一输出模块、第二输出模块及负反馈模块，通过参考输入模块产生内部偏置电压，通过第一输出模块产生第一偏置电压，通过第二输出模块产生第二偏置电压，通过负反馈模块的负反馈作用对参考电流进行精确复制，得到第一复制电流，再将第一偏置电压及第二偏置电压分别施加到负载电路，通过负载电路对第一复制电流进行复制，得到第二复制电流；再基于第二输出模块中宽度由可编程控制器输出的数字码调节控制的MOS管调节第一复制电流与参考电流的比例系数，进而得到精度高、可编程调节大小的第二复制电流，能有效消除器件的二阶效应和PVT波动对参考电流复制精度和复制灵活性的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别是涉及一种高精度可编程电流偏置电路。

技术介绍

1、在模拟集成电路中，每个单元模块均需要偏置电流(或者偏置电压)。偏置电流(或者偏置电压)的好坏直接决定了模块的性能好坏。例如，在高速高精度数模转换器中，偏置电流直接决定了数模转换器的精度。现有技术要么采用电阻分压的方式，要么通过mos管的二极管连接来产生偏置电压。这些传统的方式，受器件的二阶效应和pvt(process、voltage、temperature，即工艺、电压和温度)波动的影响较大，且不能根据实际的工况进行动态调节。无法满足目前高性能模拟集成电路对高精度偏置的设计要求。

2、因此，目前亟需一种精度高、灵活可调的偏置电流拷贝技术方案。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种精度高、灵活可调的偏置电流拷贝技术方案，利用输入的参考电流，结合负反馈的方式产生两个偏置电压并对参考电流进行倍数可调的灵活复制，得到第一复制电流，再将产生的两个偏置电压作用于负载电路上，通过负载电路对第一复本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高精度可编程电流偏置电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高精度可编程电流偏置电路，其特征在于，所述参考输入模块包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的漏极接所述参考电流，所述第一NMOS管的栅极产生并输出所述内部偏置电压。

3.根据权利要求1所述的高精度可编程电流偏置电路，其特征在于，所述第一输出模块包括第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻及第二电阻，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极接所述内部偏置电压，所述第二NMOS管...

【技术特征摘要】

1.一种高精度可编程电流偏置电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高精度可编程电流偏置电路，其特征在于，所述参考输入模块包括第一nmos管，所述第一nmos管的源极接地，所述第一nmos管的栅极接所述第一nmos管的漏极，所述第一nmos管的漏极接所述参考电流，所述第一nmos管的栅极产生并输出所述内部偏置电压。

3.根据权利要求1所述的高精度可编程电流偏置电路，其特征在于，所述第一输出模块包括第二nmos管、第一pmos管、第二pmos管、第一电阻及第二电阻，所述第二nmos管的源极接地，所述第二nmos管的栅极接所述内部偏置电压，所述第二nmos管的漏极接所述第一pmos管的漏极，所述第一pmos管的栅极接所述初始偏置电压，所述第一pmos管的源极接所述第二pmos管的漏极，所述第一pmos管的漏极还经串接的所述第一电阻后接所述第二pmos管的栅极，所述第二pmos管的源极经串接的所述第二电阻后接电源电压，所述第二pmos管的栅极产生并输出所述第一偏置电压。

4.根据权利要求2所述的高精度可编程电流偏置电路，其特征在于，所述第二输出模块包括第三nmos管、第三pmos管、第四pmos管、第三电阻及第一电容，所述第三nmos管的源极接地，所述第三nmos管的栅极接所述内部偏置电压，所述第三nmos管的漏极接所述第三pmos管的漏极，所述第三pmos管的栅极接所述第一偏置电压，所述第三pmos管的源极接所述第四pmos管的漏极，所述第三pmos管的漏极还经依次串接的所述第一电容及所述第三电阻后接所述第四pmos管的栅极，所述第四pmos管的源极接电源电压，所述第四pmos管的栅极产生并输出所述第二偏置电压。

5.根据权利要求4所述的高精度可编程电流偏置电路，其特征在于，所述负反馈模块包括运算放大器，所述运算放大器的同相输入端接所述第三nmos管的漏极，所述运算放大器的反相输入端接所述第三nmos管的栅极，所述运算放大器的输出端接所述第四pmos管的栅极，所述第三pmos管的漏极输出所述第一复制电流，所述运算放大器包括第四nmos管、第五nmos管、第五pmos管及第六pmos管，所述第四nmos管的源极接地，所述第四nmos管的栅极作为所述运算放大器的同相输入端，所述第四nmos管的栅极接所述第三nmos管的漏极，所述第四nmos管的漏极接所述第五pmos管的漏极，所述第五pmos管的栅极接所述第五pmos管的漏极，所述第五pmos管的源极接所述电源电压，所述第五nmos管的源极接地，所述第五nmos管的栅极作为所述运算放大器的反相输入端，所述第五nmos管的栅极接所述第三nmos管的栅极，所述第五nmos管的漏极接所述第六pmos管的漏极，所述第六pmos管的栅极接所述第五pmos管的栅极，所述第六pmos管的源极接所述电源电压，所述第六pmos管的漏极作为所述运算放大器的输出端，所述第六pmos管的漏极接所述第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：王友华，付东兵，罗永双，董吉，万贤杰，冉波，徐茂佳，李白，范佳淋，
申请(专利权)人：重庆吉芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：