【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及钙钛矿涂膜，尤其涉及钙钛矿涂膜调平装置及调平方法。
技术介绍
1、晶硅太阳能电池经过几十年的发展，占据光伏市场的主导地位，其最高效率达到26.81％。而单结晶硅电池理论极限为29.4％，可见已经非常接近理论极限。高效、低成本是太阳能电池发展的必然趋势，钙钛矿/晶硅叠层电池作为新型电池，正越来越受到光伏界的广泛关注，叠层电池拓宽了太阳能光谱利用范围，提高电池效率，经过短短几年时间效率达到31.3％，其理论极限超过40％。叠层电池具有较大的商业化应用价值。
2、狭缝涂布法是最有可能实现钙钛矿/晶硅太阳能电池产业化的方法。理论计算表明，在具有良好陷光结构的晶硅衬底上制备钙钛矿薄膜能够获得高效单结或多结钙钛矿太阳能电池，但是产业化中晶硅电池表面具有1-5μm的金字塔绒面，在晶硅绒面衬底上制备大面积钙钛矿薄膜是当前的一个技术难题，且产业化过程中不同批次的晶硅面板表面偏差较大，也影响到钙钛矿薄膜涂布质量及涂布效率。
3、钙钛矿涂布时，需要用到基准平台，为待涂布的晶硅面板提供水平调节的基准平面。需要将待涂布的晶硅...
【技术保护点】
1.钙钛矿涂膜调平装置，用于对晶硅组件（100）进行调平，以在所述晶硅组件（100）上涂布钙钛矿层，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的钙钛矿涂膜调平装置，其特征在于，所述激光测距机构（3）包括：
3.根据权利要求1所述的钙钛矿涂膜调平装置，其特征在于，所述晶硅组件承载机构（2）包括：
4.根据权利要求3所述的钙钛矿涂膜调平装置，其特征在于，所述激光测距机构（3）对所述晶硅组件（100）的测量点，与所述调平组件（23）对所述承载件（21）的抵接点的中心在同一直线上，且所述直线垂直所述晶硅组件（100）的上表面。
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【技术特征摘要】
1.钙钛矿涂膜调平装置，用于对晶硅组件（100）进行调平，以在所述晶硅组件（100）上涂布钙钛矿层，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的钙钛矿涂膜调平装置，其特征在于，所述激光测距机构（3）包括：
3.根据权利要求1所述的钙钛矿涂膜调平装置，其特征在于，所述晶硅组件承载机构（2）包括：
4.根据权利要求3所述的钙钛矿涂膜调平装置，其特征在于，所述激光测距机构（3）对所述晶硅组件（100）的测量点，与所述调平组件（23）对所述承载件（21）的抵接点的中心在同一直线上，且所述直线垂直所述晶硅组件（100）的上表面。
5.根据权利要求3所述的钙钛矿涂膜调平装...
【专利技术属性】
技术研发人员：周斌，张恒，丁中山，张海军，谭奇略，王此宏，何强，周懿，
申请(专利权)人：德沪涂膜设备苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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