【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高分子膜制备，具体涉及一种静电防护型聚氨酯保护膜及其制备方法。
技术介绍
1、pu保护膜是一种以透明pet薄膜为基材，单面涂布聚氨酯胶水，背面贴合离型膜而成的功能性保护膜。现主要用于液晶面板高温控制程保护，ito及玻璃面板的出货保护。光学pu保护膜具有良好的吸附性，良好的稳定性，不易残胶，残留，转移，未来的保护膜市场，光学pu保护膜将逐步替代硅胶保护膜成为触摸屏保护膜的市场主力，薄膜表面电晕处理是薄膜加工中非常重要的薄膜处理工艺，通俗讲就是通过高频电压对塑料薄膜表面进行电击处理，使得薄膜表面具备更高的附着性，以便于薄膜的后道加工，如印刷、涂布、复合，但高分子材料经过电晕处理后会出现变脆的现象，使得保护膜不能起到保护效果。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种静电防护型聚氨酯保护膜及其制备方法，解决了现阶段聚氨酯保护膜的pet基膜在电晕处理后，机械性能会大幅下降的问题。
2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
3、一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，具体包括如下步骤：
4、步骤s1：将改性单体、2，2-二羟甲基丙酸、聚乙二醇1000和二甲苯混合均匀，在转速为200-300r/min，温度为80-85℃的条件下，搅拌30-40min后，加入异佛尔酮二异氰酸酯和二月桂酸二丁基锡，进行反应6-8h，加入乙二胺继续搅拌1-1.5h，制得聚氨酯乳液；
5、步骤s2：将聚氨酯乳液涂覆在pet基膜表面，在温度为115
6、进一步，步骤s1所述的改性单体、2，2-二羟甲基丙酸、聚乙二醇1000、二甲苯、异佛尔酮二异氰酸酯、二月桂酸二丁基锡和乙二胺的用量比5g:3g:10g:80ml:6g:1mg:1g。
7、进一步，所述的pet基膜由如下步骤制成：
8、步骤a1：将纳米氮化硼、多巴胺和去离子水混合均匀，加入trist-hcl缓冲液调节ph值为8.5，在转速为200-300r/min，温度为20-25℃的条件下，搅拌20-25h后，过滤去除滤液，将底物重新分散在去离子水中，加入硝酸铝，在转速为300-500r/min的条件下，搅拌30-40min后，滴加氨水，继续搅拌30-40min，过滤去除滤液，再依次在温度为300-350℃的条件下，焙烧2-3h，温度为500-550℃的条件下，焙烧1-1.5h，温度为1000-1100℃的条件下，焙烧2-3h，制得负载颗粒；
9、步骤a2：将负载颗粒分散在去离子水中，加入kh560，在转速为150-200r/min，温度为25-30℃的条件下，搅拌3-5h，制得改性负载颗粒，将kh550、乙醇和氢氧化钠水溶液混合均匀，在转速为800-1000r/min，温度为80-85℃的条件下，搅拌回流20-25h后，过滤去除滤液，将底物溶于氯仿，加入改性负载颗粒，调节反应液ph值为10-11，继续反应6-8h，过滤去除滤液，制得复合颗粒；
10、步骤a3：将复合颗粒、聚丙烯酰氯、三乙胺和去离子水混合，在转速为200-300r/min，温度为20-25℃的条件下，进行反应10-15h，过滤去除滤液，将底物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、二氯乙烷和三氟乙酸混合均匀，在转速为600-800r/min，温度为80-85℃的条件下，搅拌40-50h后，蒸馏去除低沸物，在温度为180-200℃的条件下，熔融挤出并拉伸，制得pet薄膜，将pet薄膜，在速度为8m/s，电流强度为8-10a的条件下，电晕处理，制得pet基膜。
11、进一步，步骤a1所述的纳米氮化硼、多巴胺、去离子水、硝酸铝和氨水的用量比为2g:2g:500ml:3g:50ml，氨水的质量分数为10-15%。
12、进一步，步骤a2所述的kh560的用量为负载颗粒质量5-8%，kh550、乙醇、氢氧化钠水溶液和改性负载颗粒的用量比为6ml:100ml:12ml:1g，氢氧化钠水溶液质量分数为20%。
13、进一步，步骤a3所述的复合颗粒、聚丙烯酰氯、三乙胺和去离子水的用量比为40mg:1g:1g:20ml，底物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、二氯乙烷和三氟乙酸的用量比为40mg:2g:9ml:5ml。
14、进一步，所述的改性单体由如下步骤制成：
15、步骤b1：将2,2-二羟甲基丙酸、氯化亚砜和dmf混合均匀，在温度为80-85℃的条件下，回流反应5-7h，制得中间体1，将吡咯溶于去离子水中，加入钾，在温度为105-110℃的条件下，回流5-7h后，加入对甲苯磺酰氯，在转速为200-300r/min，温度为20-25℃的条件下，进行反应20-25h，制得中间体2；
16、反应过程如下：
17、
18、步骤b2：将中间体1、中间体2、三氯化铝和二氯甲烷混合均匀，在转速为150-200r/min，温度为20-25℃的条件下，搅拌4-6h，制得中间体3，将中间体3溶于二氧六环中，加入氢氧化钠水溶液，在温度为105-110℃的条件下，回流反应6-8h，制得中间体4；
19、反应过程如下：
20、
21、步骤b3：将中间体4、吡咯、氯化铁和氯仿混合均匀，在转速为150-200r/min，温度为20-25℃的条件下，进行反应7-9h后，将反应物加入甲醇中，过滤去除滤液，将滤饼用氨水浸泡5-7h，再过滤去除滤液，并用去离子水洗涤至中性，制得改性单体。
22、进一步，步骤b1所述的2,2-二羟甲基丙酸和氯化亚砜的摩尔比为1:1，吡咯、钾和对甲苯磺酰氯的摩尔比为1:1:1.1。
23、进一步，步骤b2所述的中间体1、中间体2和三氯化铝的摩尔比为1:1.5:1.5，中间体3、二氧六环和氢氧化钠水溶液的用量比为1mmol:3ml:3ml，氢氧化钠水溶液的质量分数为20%。
24、进一步，步骤b3所述的中间体4、吡咯和氯化铁的摩尔比为1:8:27，氨水的质量分数为3.5-4.0%。
25、本专利技术的有益效果：本专利技术制备一种静电防护型聚氨酯保护膜通过将改性单体、2，2-二羟甲基丙酸、聚乙二醇1000、异佛尔酮二异氰酸酯反应形成预聚体，再用乙二胺扩链，制得聚氨酯乳液，将聚氨酯乳液涂覆在pet基膜表面，烘烤后，再贴合离型膜，保温熟化制得，改性单体以2,2-二羟甲基丙酸为原料与氯化亚砜反应，使得羧基酰氯化，制得中间体1，将吡咯用对甲苯磺酰氯保护，制得中间体2，将中间体1和中间体2在氯化铝的作用下反应，制得中间体3，将中间体3在氢氧化钠的作用下脱保护，制得中间体4，将中间体4和吡咯在氯化铁的作用下缩聚，形成侧链含有羟基的聚吡咯，制得改性单体，改性单体使聚氨酯保护膜上的聚氨酯层具有很好的导电性，同时聚氨酯分子侧链含有大量的羧基，羧基为亲水基团，亲水基团能够与空气中的水本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种静电防护型聚氨酯保护膜及其制备方法，其特征在于：具体包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：所述的PET基膜由如下步骤制成：
3.根据权利要求2所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：步骤A1所述的纳米氮化硼、多巴胺、去离子水、硝酸铝和氨水的用量比为2g:2g:500mL:3g:50mL。
4.根据权利要求2所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：步骤A2所述的KH560的用量为负载颗粒质量5-8%，KH550、乙醇、氢氧化钠水溶液和改性负载颗粒的用量比为6mL:100mL:12mL:1g。
5.根据权利要求2所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：步骤A3所述的复合颗粒、聚丙烯酰氯、三乙胺和去离子水的用量比为40mg:1g:1g:20mL，底物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、二氯乙烷和三氟乙酸的用量比为40mg:2g:9mL:5mL。
6.根据权利要求1所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：所述的改性单体
7.根据权利要求6所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：步骤B1所述的2,2-二羟甲基丙酸和氯化亚砜的摩尔比为1:1，吡咯、钾和对甲苯磺酰氯的摩尔比为1:1:1.1。
8.根据权利要求6所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：步骤B2所述的中间体1、中间体2和三氯化铝的摩尔比为1:1.5:1.5，中间体3、二氧六环和氢氧化钠水溶液的用量比为1mmol:3mL:3mL。
9.根据权利要求6所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：步骤B3所述的中间体4、吡咯和氯化铁的摩尔比为1:8:27，氨水的质量分数为3.5-4.0%。
10.一种静电防护型聚氨酯保护膜，其特征在于：根据权利要求1-9任一所述的制备方法制备而成。
...【技术特征摘要】
1.一种静电防护型聚氨酯保护膜及其制备方法，其特征在于：具体包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：所述的pet基膜由如下步骤制成：
3.根据权利要求2所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：步骤a1所述的纳米氮化硼、多巴胺、去离子水、硝酸铝和氨水的用量比为2g:2g:500ml:3g:50ml。
4.根据权利要求2所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：步骤a2所述的kh560的用量为负载颗粒质量5-8%，kh550、乙醇、氢氧化钠水溶液和改性负载颗粒的用量比为6ml:100ml:12ml:1g。
5.根据权利要求2所述的一种静电防护型聚氨酯保护膜的制备方法，其特征在于：步骤a3所述的复合颗粒、聚丙烯酰氯、三乙胺和去离子水的用量比为40mg:1g:1g:20ml，底物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、二氯乙烷和三氟乙酸的用量比为40...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘燕，
申请(专利权)人：鸿邦高分子复合新材料科技江苏南通有限公司，
类型：发明
国别省市：
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