【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电池制备，尤其是涉及一种极片及极片的制备方法。
技术介绍
1、相关技术在集流体涂覆活性物质前，在集流体的表面事先预涂过渡层，以通过过渡层提升极片的性能。活性物质层的涂覆会覆盖过渡层，并在过渡层对应的位置形成一定的凸起。在后续的工艺中，需要对活性物质层的一部分进行去除，以露出过渡层，确保过渡层的性能发挥。去除了部分活性物质层后，活性物质层的表面依然会存在部分凸起，且凸起和活性物质层平整的表面相对于集流体的高度具有较大的高度差，凸起和过渡层相对于集流体的高度也具有较大的高度差。较大的高度差会提高极片在进行后续的辊压工序中出现打皱现象的几率。因此，有必要针对上述问题进行研究解决。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种极片，能够降低完成辊压工序后的极片出现打皱现象的几率，确保极片良率。
2、本专利技术还提出一种上述极片的制备方法。
3、根据本专利技术实施例的极片，包括集流体、过渡层和活性物质层，所述集流体具有设定的厚度。过渡层连接于所述集流体，所述过渡层背离所述集流体的一侧设置有第一凹槽。所述活性物质层连接于所述集流体，所述活性物质层覆盖所述过渡层，至少部分所述活性物质层位于所述第一凹槽内，所述活性物质层设置有去除区域，所述去除区域与所述过渡层对应。
4、根据本专利技术实施例的极片，至少具有如下有益效果：通过在过渡层背离集流体的一侧设置有第一凹槽，能够在集流体的厚度方向上提供补偿空间
5、根据本专利技术的一些实施例，所述集流体具有设定的长度，所述第一凹槽与所述去除区域在所述长度方向上错开设置。
6、根据本专利技术的一些实施例，所述去除区域沿所述厚度方向在所述过渡层的端面的投影，位于所述过渡层的端面在所述长度方向上的内侧，所述第一凹槽位于所述过渡层在垂直于所述集流体的厚度方向上的外边沿。
7、根据本专利技术的一些实施例，所述集流体具有设定的宽度，所述过渡层在所述长度方向和所述宽度方向的外边沿均设置有所述第一凹槽。
8、根据本专利技术的一些实施例，所述过渡层背离所述集流体的一侧具有第一端面和第二端面，所述第一端面为所述过渡层背离所述集流体的一侧与所述集流体间距最大的端面，所述第一端面与所述集流体的间距为l1，所述第二端面为所述第一凹槽朝向所述集流体的底面，所述第二端面与所述集流体的间距为l2，满足：2um≤l1-l2≤20μm。
9、根据本专利技术的一些实施例，所述过渡层为陶瓷层。
10、根据本专利技术的一些实施例，所述活性物质层背离所述集流体的一侧设置有第二凹槽，所述第二凹槽对应于所述去除区域，所述第二凹槽连通所述过渡层背离所述集流体一侧的表面。
11、根据本专利技术的实施例的极片的制备方法，用于制备上述实施例中的极片，包括以下步骤：
12、在集流体的一侧涂覆过渡层涂料以形成过渡层；
13、去除所述过渡层背离所述集流体一侧的一部分以形成第一凹槽；
14、将活性物质层涂料涂覆于所述集流体，使至少部分所述活性物质层涂料覆盖所述过渡层，以形成活性物质层。
15、根据本专利技术实施例的极片的制备方法，至少具有如下有益效果：通过去除过渡层的一部分以形成第一凹槽，能够在活性物质层涂料涂覆成型后，使得部分活性物质层位于第一凹槽内，第一凹槽能够提供空间补偿，以降低由于过渡层的设置所带来的活性物质层的凸起高度，以降低后续完成辊压工序后的极片出现打皱现象的几率，确保极片良率。
16、根据本专利技术的一些实施例，在形成所述活性物质层后，还包括以下步骤：去除所述活性物质层背离所述集流体一侧的一部分，以形成露出所述过渡层的第二凹槽。
17、根据本专利技术的一些实施例，在形成所述活性物质层后，还包括以下步骤：去除所述活性物质层背离所述集流体一侧的一部分；去除所述过渡层背离所述集流体一侧的一部分，所述活性物质层和所述过渡层之间限定出露出所述过渡层的第二凹槽。
18、根据本专利技术的一些实施例，在形成所述第二凹槽后，还包括以下步骤：对所述集流体、所述活性物质层和所述过渡层进行辊压。
19、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.极片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述集流体具有设定的长度，所述第一凹槽与所述去除区域在所述长度方向上错开设置。
3.根据权利要求2所述的极片，其特征在于，所述去除区域沿所述厚度方向在所述过渡层的端面的投影，位于所述过渡层的端面在所述长度方向上的内侧，所述第一凹槽位于所述过渡层在垂直于所述集流体的厚度方向上的外边沿。
4.根据权利要求3所述的极片，其特征在于，所述集流体具有设定的宽度，所述过渡层在所述长度方向和所述宽度方向的外边沿均设置有所述第一凹槽。
5.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述过渡层背离所述集流体的一侧具有第一端面和第二端面，所述第一端面为所述过渡层背离所述集流体的一侧与所述集流体间距最大的端面，所述第一端面与所述集流体的间距为L1，所述第二端面为所述第一凹槽朝向所述集流体的底面，所述第二端面与所述集流体的间距为L2，满足：2um≤L1-L2≤20μm。
6.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述过渡层为陶瓷层。
7.根据权利要求1至6任一项所述
8.极片的制备方法，用于制备权利要求1至7任一项所述的极片，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的极片的制备方法，其特征在于，在形成所述活性物质层后，还包括以下步骤：去除所述活性物质层背离所述集流体一侧的一部分，以形成露出所述过渡层的第二凹槽。
10.根据权利要求8所述的极片的制备方法，其特征在于，在形成所述活性物质层后，还包括以下步骤：
11.根据权利要求9或10所述的极片的制备方法，其特征在于，在形成所述第二凹槽后，还包括以下步骤：对所述集流体、所述活性物质层和所述过渡层进行辊压。
...【技术特征摘要】
1.极片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述集流体具有设定的长度，所述第一凹槽与所述去除区域在所述长度方向上错开设置。
3.根据权利要求2所述的极片，其特征在于，所述去除区域沿所述厚度方向在所述过渡层的端面的投影，位于所述过渡层的端面在所述长度方向上的内侧，所述第一凹槽位于所述过渡层在垂直于所述集流体的厚度方向上的外边沿。
4.根据权利要求3所述的极片，其特征在于，所述集流体具有设定的宽度，所述过渡层在所述长度方向和所述宽度方向的外边沿均设置有所述第一凹槽。
5.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述过渡层背离所述集流体的一侧具有第一端面和第二端面，所述第一端面为所述过渡层背离所述集流体的一侧与所述集流体间距最大的端面，所述第一端面与所述集流体的间距为l1，所述第二端面为所述第一凹槽朝向所述集流体的底面，所述第二端面与所述集流体的间距为l2，满足：2um≤l...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪春林，冯彪，李聪，纪荣进，陈杰，项海标，
申请(专利权)人：惠州锂威新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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