等离子体处理装置制造方法及图纸

本技术涉及一种等离子体处理装置，包括：设备箱体、第一电极、第二电极、升降机构以及导流机构。设备箱体具有处理腔室，第二电极与第一电极间隔相对设于处理腔室，第二电极的表面具有清洁薄弱部分，升降机构能够驱动第二电极升降，导流机构设于处理腔室内，导流机构包括导流板以及传动结构，导流板具有相对的第一端以及第二端，第一端铰接于设备箱体，第一端临近于第一电极，第二端铰接于传动结构，传动结构连接于第二电极，传动结构能够跟随第二电极升降，以将第二端抬起，使第二端指向清洁薄弱部分，从而使更多的用于清洁的等离子体能够在导流板的导流作用下流向清洁薄弱部分，以提升等离子体处理装置的自我清洁效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及等离子体处理，尤其涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

1、如图1与图2所示，相关技术中的等离子体处理装置1'，往往包括具有处理腔室100'的设备箱体10'，设于处理腔室100'顶部的第一电极11'，设于处理腔室100'底部的第二电极12'，以及用于驱动第二电极12'升降的升降机构(图中未示出)，在对面板进行覆膜时，面板设置于第二电极12'的上方，处理腔室100'内填充有反应气体，通过使第一电极11'与第二电极12'相导通，来将反应气体转变为等离子态的等离子体，以在面板的表面均匀地反应并沉积形成膜层。

2、在使用等离子体处理装置1'对面板的表面进行覆膜的过程中，处理腔室100'的内壁以及第二电极12'的表面也会被沉积，第二电极12'表面的沉积物1a'堆积过多时，沉积物1a'易于直接接触设置于第二电极12'上方的面板，且在处理腔室100'内部的发生常压状态与真空状态的切换时，沉积物1a'还易于脱落而随着扰动的气流飘至被放置于处理腔室100'内的面板上，影响面板的覆膜良率，因此，相关技术中往往定期对等离子体处理装置1'的内部进行清洁，以去本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导流板为平直的板状；或者，

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导流板具有弹性。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一端设有第一铰接部，所述第一铰接部铰接于所述设备箱体；和/或，

5.根据权利要求1-4任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，沿垂直于所述第一端与所述第二端的相对方向的方向上，所述导流板具有宽度，所述导流板在所述第一端处的宽度，小于所述导流板在所述第一端与所述第二端之间处的宽...

【技术特征摘要】

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导流板为平直的板状；或者，

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导流板具有弹性。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一端设有第一铰接部，所述第一铰接部铰接于所述设备箱体；和/或，

5.根据权利要求1-4任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，沿垂直于所述第一端与所述第二端的相对方向的方向上，所述导流板具有宽度，所述导流板在所述第一端处的宽度，小于所述导流板在所述第一端与所述第二端之间处的宽度。

6.根据权利要求1-4任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二端指向所述清洁薄弱部分的指向方向与竖直向下的方向之间呈夹角θ1，10°≤θ1≤60°。

7.根据权利要求1-3任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述传动结构包括固定传动件以及活动件，所述固定传动件的一端连接于所述第二电极，所述固定传动件的另一端铰接于所述活动件，所述活动件的远离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨贤烁，
申请(专利权)人：乐金显示光电科技中国有限公司，
类型：新型
国别省市：