在半导体基片上电镀的简易装置制造方法及图纸

本技术涉及一种在半导体基片上电镀的简易装置，属于光通讯领域Ⅲ‑Ⅴ族有源芯片电镀技术领域；包括磁力搅拌机、电镀液容器、阴极样片架和阳极铂金钛网，所述阴极样片架设置在电镀液容器内，所述括磁力搅拌机的转子设置在电镀液容器底部。将电源加在阳极铂金钛网和阴极样片架上的镀件之间，溶液产生电流并形成电场。阳极发生氧化反应释放出电子，同时阴极得到电子发生还原反应。阴极附近的络合态金离子与电子结合，以金原子的形式沉积在镀件表面。镀液中的络合态金离子在外加电场的作用，向阴极定向移动并补充阴极附近的浓度消耗。能够针对无规则小片电镀，且工作时仅需1升电镀液，大大增加了电镀工艺实用性与经济性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种在半导体基片上电镀的简易装置，属于光通讯领域ⅲ-ⅴ族有源芯片电镀。

技术介绍

1、利用ⅲ-ⅴ族半导体材料制作的半导体激光器具有光电转化效率高、体积小和价格低等优势，已被广泛应用于光纤激光器、泵浦激光器、材料加工及医疗等领域。为了提高器件芯片的成品率，降低器件的热阻，提高可靠性。通常，需要在蒸发或溅射电极的基础上再加厚电极，采用其他工艺方法制备的难以达到器件要求的厚度(一般几个微米)，所以，通常采用电化学电镀方式来制备。但通常的电镀台设备造价昂贵，每台达到几十万元，且电镀台运行需要大量的电镀液，通常在10升以上，随着金价的攀升，使用电镀台费用较高。之外，电镀台每一种工装夹具仅能支持一种尺寸的基片，因此并不适用于经常改变基片尺寸的电镀场景，尤其是对于一些还未产业化或者处于开发阶段的产品。

2、例如，中国专利授权公告号cn 102492971 b，公开了一种用于半导体基片表面进行电镀的装置，包括一个内部盛装有电镀液的电镀槽；一个阳极组置于所述电镀槽的底部并浸没于电镀液中；一个夹持机构夹持被电镀的半导体基片置于所述电镀槽的顶部，并使半导体基片的电镀面面向电镀槽底部的阳极组且浸没于电镀液中；所述阳极组由两个以上不同大小的圆盘型电极上下叠放组成，尺寸较小的圆盘型电极置于尺寸较大的圆盘型电极上方。其由多根独立的阳极上下叠放组成电极组，每根电极可独立控制施加电压与电流。单根电极可上下移动，调节每根单独电极与被电镀阴极基片表面的距离，可以有效调节阴极基片表面各处的电流强度，在基片表面沉积厚度均匀的金属层。

3、但是，设备造价昂贵，每台达到几十万元，且电镀台运行需要大量的电镀液，通常在10升以上，随着金价的攀升，使用电镀台费用较高。

4、再如，中国专利授权公告号cn 103617962 b，公开了一种基片电镀夹具，包括若干凹槽、金属弹片、中间导电层；所述若干凹槽的周围设置有导电通孔，用于与中间导电层相连接；所述导电通孔上还设置有金属弹片；所述中间导电层相互连接后形成一终端，在所述终端上设置有导电通孔，用于与外部电源相连接。采用上述方案，可以有效降低薄基片碎片率、电接触一致性好、基片装卸效率高。

5、但是仅能支持一种尺寸的基片，因此并不适用于经常改变基片尺寸的电镀场景，尤其是对于一些还未产业化或者处于开发阶段的产品。

6、因此，简易电镀台的优势不言而喻，急需研发一种简易电镀台。

技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题是：提供一种在半导体基片上电镀的简易装置，能够针对无规则小片电镀，设备简单、所需电镀液少，大大增加了电镀工艺实用性与经济性。

2、本技术所述在半导体基片上电镀的简易装置，包括磁力搅拌机、电镀液容器、阴极样片架和阳极铂金钛网，所述阴极样片架设置在电镀液容器内，所述括磁力搅拌机的转子设置在电镀液容器底部，所述阳极铂金钛网安装在阴极样片架上。

3、将电源加在阳极铂金钛网和阴极样片架上的镀件之间，溶液产生电流并形成电场。阳极发生氧化反应释放出电子，同时阴极得到电子发生还原反应。阴极附近的络合态金离子与电子结合，以金原子的形式沉积在镀件表面。镀液中的络合态金离子在外加电场的作用下，向阴极定向移动并补充阴极附近的浓度消耗。能够针对无规则小片电镀，且工作时仅需1升电镀液，大大增加了电镀工艺实用性与经济性。

4、优选的，还包括电源，所述电源的阳极连接到阳极铂金钛网，所述电源的阴极连接到阴极样片架。

5、优选的，所述阴极样片架一端接触样片，另一端与电源的阴极连接。

6、优选的，所述阴极样片架呈“╪”形，“╪”形的∣一端接触样片，另一端与电源的阴极连接。

7、优选的，所述阳极铂金钛网位于“╪”形阴极样片架的左侧或右侧，阳极铂金钛网通过连接端连接电源的阳极。

8、优选的，所述阴极样片架和样片之间的接触方式采用压接。

9、与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：

10、本技术所述在半导体基片上电镀的简易装置，可针对任意形状的样片进行电镀，且无需固定工装夹具。配置和使用成本都很低，可以针对开发和非量产场景。

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【技术保护点】

1.一种在半导体基片上电镀的简易装置，其特征在于，包括磁力搅拌机(1)、电镀液容器(2)、阴极样片架(3)和阳极铂金钛网(4)，所述阴极样片架(3)设置在电镀液容器(2)内，所述磁力搅拌机(1)的转子(5)设置在电镀液容器(2)底部，所述阳极铂金钛网(4)安装在阴极样片架(3)上。

2.根据权利要求1所述的在半导体基片上电镀的简易装置，其特征在于，还包括电源(6)，所述电源(6)的阳极(7)连接到阳极铂金钛网(4)，所述电源(6)的阴极(8)连接到阴极样片架(3)。

3.根据权利要求2所述的在半导体基片上电镀的简易装置，其特征在于，所述阴极样片架(3)一端接触样片，另一端与电源(6)的阴极(8)连接。

4.根据权利要求1-3任一项所述的在半导体基片上电镀的简易装置，其特征在于，所述阴极样片架(3)呈“╪”形，“╪”形的“∣”一端接触样片，另一端与电源(6)的阴极(8)连接。

5.根据权利要求4所述的在半导体基片上电镀的简易装置，其特征在于，所述阳极铂金钛网(4)位于“╪”形阴极样片架(3)的左侧或右侧，阳极铂金钛网(4)通过连接端(9)连接电源(6)的阳极(7)。

6.根据权利要求4所述的在半导体基片上电镀的简易装置，其特征在于，所述阴极样片架(3)和样片之间的接触方式采用压接。

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【技术特征摘要】

1.一种在半导体基片上电镀的简易装置，其特征在于，包括磁力搅拌机(1)、电镀液容器(2)、阴极样片架(3)和阳极铂金钛网(4)，所述阴极样片架(3)设置在电镀液容器(2)内，所述磁力搅拌机(1)的转子(5)设置在电镀液容器(2)底部，所述阳极铂金钛网(4)安装在阴极样片架(3)上。

2.根据权利要求1所述的在半导体基片上电镀的简易装置，其特征在于，还包括电源(6)，所述电源(6)的阳极(7)连接到阳极铂金钛网(4)，所述电源(6)的阴极(8)连接到阴极样片架(3)。

3.根据权利要求2所述的在半导体基片上电镀的简易装置，其特征在于，所述阴极样片架(...

【专利技术属性】
技术研发人员：石铸，季安，王莉，曹玉莲，
申请(专利权)人：山东中科际联光电集成技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：