一种大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶抛光液及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶抛光液及其制备方法，所述抛光液包括以下重量份的原料：12—15份硅溶胶，3—5份碱性调节剂，1—2份山梨坦单硬脂酸酯，1—2份有机络合清洗剂，2—3份螯合剂，3—5份十二烷基硫酸钠，2—3份甲基戊醇，4—6份碱性调节剂，3—5份表面活性修饰剂，1—2份聚天冬氨酸，2—3份抛光平衡剂和50—80份去离子水；所述碱性调节剂为NaOH、KOH、Na<subgt;2</subgt;CO<subgt;3</subgt;和K<subgt;2</subgt;CO<subgt;3</subgt;中的一种或几种混合物；所述螯合剂为多磷酸钠和1,3—二酮中的一种或几种混合物。本发明专利技术不仅提高了大粒径晶圆片的抛光效率，而且提高了抛光效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅溶胶抛光液，尤其是涉及一种大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶抛光液及其制备方法。

技术介绍

1、晶圆片是电子元器件中非常重要的的一种材料，通常用于制作芯片和集成电路等。根据不同的制造工艺和用途，晶圆片可以分为多种类型。对于电子产业来说，晶圆片的质量和制造工艺是非常关键的，只有不断地提高制造工艺和技术水平，才能生产出更加高质量和高性能的电子器件。

2、在晶圆片的加工过程中，抛光是重要的环节之一，在抛光的过程中，需要添加抛光液，因此抛光液的选择对晶圆片的加工非常重要。用于晶圆片的抛光液，不仅要考虑到晶圆片的抛光效率，而且还要考虑晶圆片的抛光的效果和抛光液的稳定性和成本，如何利制备出高品质的抛光液成为我们亟待解决的问题。

3、此外，硅溶胶可用于抛光液组成部分，但其杂质含量，稳定性，胶粒粒形、粒径、ph值、密度等对抛光液质量均有一定影响，如何利用硅溶胶制备出高品质的抛光液也是我们亟待解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于以上问题，本专利技术提供了一种大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶抛光液，其特征在于，所述抛光液主要由以下重量份的组分调配而成：12—15份硅溶胶，3—5份促进剂，1—2份山梨坦单硬脂酸酯，1—2份有机络合清洗剂，2—3份螯合剂，3—5份十二烷基硫酸钠，2—3份甲基戊醇，4—6份碱性调节剂，3—5份表面活性修饰剂，1—2份聚天冬氨酸，2—3份抛光平衡剂。

2.根据权利要求1所述的大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶抛光液，其特征在于，所述抛光液包括以下重量份的原料：12份硅溶胶，3份促进剂，1份山梨坦单硬脂酸酯，1份有机络合清洗剂，2份螯合剂，3份十二烷基硫酸钠，2份甲基戊醇，4份碱性调节剂，3份表面活性...

【技术特征摘要】

1.一种大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶抛光液，其特征在于，所述抛光液主要由以下重量份的组分调配而成：12—15份硅溶胶，3—5份促进剂，1—2份山梨坦单硬脂酸酯，1—2份有机络合清洗剂，2—3份螯合剂，3—5份十二烷基硫酸钠，2—3份甲基戊醇，4—6份碱性调节剂，3—5份表面活性修饰剂，1—2份聚天冬氨酸，2—3份抛光平衡剂。

2.根据权利要求1所述的大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶抛光液，其特征在于，所述抛光液包括以下重量份的原料：12份硅溶胶，3份促进剂，1份山梨坦单硬脂酸酯，1份有机络合清洗剂，2份螯合剂，3份十二烷基硫酸钠，2份甲基戊醇，4份碱性调节剂，3份表面活性修饰剂，1份聚天冬氨酸，2份抛光平衡剂。

3.根据权利要求1所述的大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶抛光液，其特征在于，所述抛光液包括以下重量份的原料：13.5份硅溶胶，4份促进剂，1.5份山梨坦单硬脂酸酯，1.5份有机络合清洗剂，2.5份螯合剂，4份十二烷基硫酸钠，2.5份甲基戊醇，5份碱性调节剂，4份表面活性修饰剂，1.5份聚天冬氨酸，2.5份抛光平衡剂。

4.根据权利要求1所述的大粒径晶圆片用高纯单质改性硅溶胶抛光液，其特征在于，所述抛光液包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏军勇，肖凯，李比为，严国平，杨小俊，
申请(专利权)人：湖北工业大学，
类型：发明
国别省市：