【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电子，具体而言，涉及一种振荡器电路、芯片及电子设备。
技术介绍
1、晶体振荡器是电子系统中常用的高精度时钟基准。相关技术中的晶体振荡器的工作点固定，启动前后跨导不变，工作频率稳定，但是偏置电流小则容易导致晶体振荡器不起振，偏置电流大则带来功耗大的问题。由于外接晶体参数以及环境温度变化，导致晶体振荡器对应的最佳直流工作点不同，折中不当，容易导致晶体振荡器不起振或功耗大。另外电路的工作电压和温度变化，也会导致工作点变化，导致晶体振荡器的振荡频率不稳。
2、如上所述，如何使晶体振荡器提供振荡频率稳定的输出信号成为亟待解决的问题。
3、在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种振荡器电路、芯片及电子设备，至少在一定程度上提高晶体振荡器提供输出信号的稳定性。
2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
3、根据本公开的一方面，提供一种振荡器电路，包括：第一端子和第二端子；放大电路，所述放大电路的输入端通过所述第一端子耦接晶体电路的第一端，所述放大电路的输出端通过所述第二端子耦接所述晶体电路的第二端；增益控制电路，所述增益控制电路耦接到所述放大电路，所述增益控制电路包括差分放大器、第一电流源、反馈路径和电流镜，其中：所述差分放大器包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一
4、根据本公开的一实施例，所述增益控制电路还包括第一电阻，所述第一电阻设置在所述第一直流电压和所述第一晶体管的栅极之间。
5、根据本公开的一实施例，所述增益控制电路还包括第三晶体管、第四晶体管、第二电流源、第三电流源和第二电阻，其中：所述第二电流源和所述第三晶体管串联在电源电压和地之间；所述第三电流源、所述第二电阻和所述第四晶体管串联在所述电源电压和地之间；所述第三晶体管为二极管连接，为所述差分放大器提供所述第一直流电压；所述第四晶体管为二极管连接，为所述差分放大器提供所述第二直流电压。
6、根据本公开的一实施例，所述第三晶体管的漏极通过所述第一电阻耦接到所述第一晶体管的栅极，所述第四晶体管的漏极通过所述第二电阻耦接到所述第二晶体管的栅极。
7、根据本公开的一实施例，当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为nmos晶体管时，所述第一直流电压小于所述第二直流电压。
8、根据本公开的一实施例，当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为pmos晶体管时，所述第一直流电压大于所述第二直流电压。
9、根据本公开的一实施例，所述反馈路径包括第一电容。
10、根据本公开的一实施例，所述放大电路包括第五晶体管，所述第五晶体管的栅极作为所述放大电路的输入端，所述第五晶体管的漏极作为所述放大电路的输出端。
11、根据本公开的一实施例，所述电流镜包括第六晶体管和第七晶体管，所述第六晶体管设置为二极管连接，所述第六晶体管的栅极和所述第七晶体管的栅极相耦接，所述第六晶体管的漏极耦接所述第二晶体管的漏极，所述第七晶体管的漏极耦接所述第五晶体管的漏极。
12、根据本公开的一实施例，所述振荡器电路还包括输出信号放大电路，所述输出信号放大电路包括第二电容、第八晶体管和第四电流源，其中：所述放大电路的输入端或输出端耦接到所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端耦接到所述第八晶体管的栅极，所述第八晶体管的漏极耦接到所述振荡器电路的输出端和耦接到所述第四电流源。
13、根据本公开的一实施例，所述输出信号放大电路还包括第五电流源、第九晶体管和第三电阻，其中：所述第五电流源耦接到所述第九晶体管的漏极，所述第九晶体管设置为二极管连接，所述第九晶体管的栅极通过所述第三电阻耦接到所述第八晶体管的栅极。
14、根据本公开的一实施例，所述振荡器电路还包括输出信号放大电路，所述输出信号放大电路包括第二电容、第八晶体管、第三电容、第十一晶体管，其中：所述放大电路的输入端或输出端通过所述第二电容耦接到所述第八晶体管的栅极；所述放大电路的输入端或输出端通过所述第三电容耦接到所述第十一晶体管的栅极；所述第八晶体管的漏极和所述第十一晶体管的漏极分别耦接到所述振荡器电路的输出端。
15、根据本公开的一实施例，所述输出信号放大电路还包括第九晶体管、第五电流源、第四电阻、第十晶体管、第六电流源和第五电阻；所述第九晶体管的栅极耦接到所述第八晶体管的栅极，包括：所述第九晶体管设置为二极管连接，所述第五电流源耦接到所述第九晶体管的漏极，所述第九晶体管的栅极通过所述第四电阻耦接到所述第八晶体管的栅极；所述第十晶体管设置为二极管连接，所述第六电流源耦接到所述第十晶体管的漏极，所述第十晶体管的栅极通过所述第五电阻耦接到所述第十一晶体管的栅极。
16、根据本公开的一实施例，所述振荡器电路还包括反馈电阻，反馈电阻设置在第一端子和第二端子之间。
17、根据本公开的一实施例，所述第一晶体管和第二晶体管为nmos晶体管，所述第一直流电压小于所述第二直流电压。
18、根据本公开的一实施例，所述第一晶体管和第二晶体管为pmos晶体管，所述第一直流电压大于所述第二直流电压。
19、根据本公开的再一方面，提供一种振荡器电路，包括：放大电路，所述放大电路的输入端耦接外部晶体振荡器的第一端，所述放大电路的输出端耦接所述外部晶体振荡器的第二端；差分放大器，所述差分放大器包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管构成所述差分放大器的输入对管；电流镜，所述电流镜包括第六晶体管和第七晶体管，所述第六晶体管和所述第七晶体管构成所述电流镜的对管，所述第六晶体管连接所述第二晶体管，所述第七晶体管连接所述放大电路的输入端或输出端，所述电流镜用于将流过所述第二晶体管的电流镜像到所述放大电路；其中，所述第一晶体管的栅极通过第一电容耦接到所述放大电路的输入端或输出端，在所述外部晶体振荡器起振过程中，所述放大电路的输入端或输出端振荡幅度逐渐增大，流经所述第一晶体管电流逐渐增大且流经所述第二晶体管电流逐渐减小，镜像给所述放大电路的直流电流逐渐减小到所述晶体振荡器达到平衡状态。
20、根据本公开的一实施例，所述振荡器电路还包括第一电阻，所述第一电阻连接所述第一晶体管栅极，所述第一电阻用于稳定输入到所述第一晶体管栅极的第一直流电压。
21、根据本公开的一实施例，向所述第二晶体管栅极输入第二直流电压，并且当所述差分放大器的输入本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种振荡器电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述增益控制电路还包括第一电阻，所述第一电阻设置在所述第一直流电压和所述第一晶体管的栅极之间。
3.根据权利要求2所述的振荡器电路，其特征在于，所述增益控制电路还包括第三晶体管、第四晶体管、第二电流源、第三电流源和第二电阻，其中：
4.根据权利要求3所述的振荡器电路，其特征在于，所述第三晶体管的漏极通过所述第一电阻耦接到所述第一晶体管的栅极，所述第四晶体管的漏极通过所述第二电阻耦接到所述第二晶体管的栅极。
5.根据权利要求3所述的振荡器电路，其特征在于，当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为NMOS晶体管时，所述第一直流电压小于所述第二直流电压。
6.根据权利要求3所述的振荡器电路，其特征在于，当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为PMOS晶体管时，所述第一直流电压大于所述第二直流电压。
7.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述反馈路径包括第一电容。<...
【技术特征摘要】
1.一种振荡器电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述增益控制电路还包括第一电阻，所述第一电阻设置在所述第一直流电压和所述第一晶体管的栅极之间。
3.根据权利要求2所述的振荡器电路，其特征在于，所述增益控制电路还包括第三晶体管、第四晶体管、第二电流源、第三电流源和第二电阻，其中：
4.根据权利要求3所述的振荡器电路，其特征在于，所述第三晶体管的漏极通过所述第一电阻耦接到所述第一晶体管的栅极，所述第四晶体管的漏极通过所述第二电阻耦接到所述第二晶体管的栅极。
5.根据权利要求3所述的振荡器电路，其特征在于，当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为nmos晶体管时，所述第一直流电压小于所述第二直流电压。
6.根据权利要求3所述的振荡器电路，其特征在于，当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为pmos晶体管时，所述第一直流电压大于所述第二直流电压。
7.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述反馈路径包括第一电容。
8.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述放大电路包括第五晶体管，所述第五晶体管的栅极作为所述放大电路的输入端，所述第五晶体管的漏极作为所述放大电路的输出端。
9.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述电流镜包括第六晶体管和第七晶体管，所述第六晶体管设置为二极管连接，所述第六晶体管的栅极和所述第七晶体管的栅极相耦接，所述第六晶体管的漏极耦接所述第二晶体管的漏极，所述第七晶体管的漏极耦接所述第五晶体管的漏极。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的振荡器电路，其特征在于，还包括输出信号放大电路，所述输出信号放大电路包括第二电容、第八晶体管和第四电流源，其中：
11.根据权利要求10所述的振荡器电路，其特征在于，所述输出信号放大电路还包括第五电流源、第九晶体管和第三电阻，其中：
12.根据权利要求1至9中任意一项所述的振荡器电路，其特征在于，还包括输出信号放大电路，所述输出信号放大电路包括第二电容、第八晶体管、第三电...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘云超，刘三林，
申请(专利权)人：兆易创新科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。