【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于聚苯醚高频高速板用铜箔，具体涉及一种超低轮廓rtf铜箔、制备方法及一种超低轮廓rtf铜箔瘤化处理用电解液。
技术介绍
1、随着社会的发展，人们对高频高速的要求越来越高，区块链、物联网、云计算/服务器和智能手机等的发展均需要高频高速pcb技术的支持。作为高频高速pcb的主要原料高频高速覆铜板是研究重点，铜箔、树脂、玻纤布作为覆铜板的三大原材料，其质量的好坏直接影响pcb讯号传输。适用于生产高频高速覆铜板的树脂材料有很多，如聚四氟乙烯(ptfe)、聚苯醚(ppo/ppe)、氰酸酯(ce)、聚酰亚胺(pi)、液晶高分子(lcp)等，其对应的介电性能为聚四氟乙烯(ptfe)介电常数dk为2.1，介质损耗df为0.0005；聚苯醚(ppo/ppe)介电常数dk为2.5，介质损耗df为0.0007；氰酸酯(ce)介电常数dk为2.9，介质损耗df为0.0030；聚酰亚胺(pi)介电常数dk为3.1，介质损耗df为0.0028；液晶高分子(lcp)介电常数dk为3.3，介质损耗df为0.0020，根据各材料的介电性能可以看出ptfe树脂具有优异的介电性能，成形工艺复杂，目前难于大批量应用；ce、pi、lcp等介电性能相对较差，难与满足越来越高频高速的要求，而聚苯醚(ppo/ppe)具有很好的介电性能，且适合热压成形，生产工艺相对简单，适合大批量高频高速覆铜板的生产。
2、电子铜箔作为覆铜板不可或缺的基础材料之一，同时也是印制电路板(pcb)中的导电材料，铜箔的特性对pcb性能有明显影响，特别是应用于高频高速线路板时，
3、d1:中国专利201210031937.6公开了一种电解铜箔用添加剂及甚低轮廓电解铜箔表面处理工艺，该添加剂由三种组分组成：硫酸亚钛；硫酸钛；钼酸盐。其在电镀液中的含量分别为50～150mg/l、150～250mg/l、70～118mg/l(钼酸根).该添加剂用于添加在微晶粗化槽中，三种组分，共同配合使用使处理后的铜箔粗化层晶粒小而密集，达到微晶效果。本专利技术还在表面处理的粗化槽中找出各种添加剂的添加量及合适的电镀工艺条件(铜酸含量、温度、电流密度)，使处理后的18微米甚低轮廓电解铜箔可以满足以下技术指标：抗剥离强度≥1.0kg/cm、表面粗糙度rz值≤5.1μm。
4、上述专利制备出的18微米电解铜箔具有抗剥离强度高，有较低的表面粗糙度等优势，但是上述专利的技术方案并没有针对电解铜箔的毛面和光面的粗糙度进行研究开发，并且用于生产35微米的电解铜箔时，光面和毛面的表面粗糙度会比18微米电解铜箔有所增加。
5、当采用聚苯醚(ppo/ppe)树脂作为超高频板的原材料时，若采用传统的普通铜箔(std或the铜箔)压制成覆铜板，再制得线路板，因受其凹凸不平的微观表面形态的影响，使其信号传输损失较大，而采用上述专利的铜箔压制成覆铜板时，由于上述专利制备的电解铜箔表面粗糙度最大可达到rz值5.1μm，也会因为表面凹凸不平的微观形态影响到与聚苯醚结合后的信号传输损失。
6、若采用hvlp铜箔这类高端的铜箔与(ppo/ppe)接合成覆铜板再制得的线路板后，信号传输损失满足要求。
7、正如d2：中国专利202010366003.2公开的一种第五代移动通信板用铜箔添加剂、铜箔及其生产工艺，通过在铜箔电沉积前在电解液中添加添加剂a，使制备得到的电解铜箔具有超低的粗糙度，在表面处理过程中，通过在粗化处理阶段电解液中添加添加剂b，使铜箔微观表面生成一层均匀、细致的镏状层，增大铜箔的微观比表面积，防氧化能力增强，增加了铜箔与5g高频高速板压合后的结合力。
8、上述专利制备得到的hvlp铜箔，最终得到的电解铜箔的毛面粗糙度rz≤1.5μm，12μm铜箔结合力≥0.3kgf/cm，18μm铜箔结合力≥0.4kgf/cm，35μm铜箔结合力≥0.5kgf/cm，具有优良的性能，可以用于制造5g高频高速板，其与聚苯醚树脂接合成覆铜板也是适用的；但是因hvlp铜箔生产工艺相对复杂，添加剂使用量较多，设备精度要求较高，总生产成本较高，不适应低成本、高效益的社会发展需求。
9、因此需要开发一种适合于聚苯醚高频高速板用的超低轮廓铜箔，所述的超低轮廓的铜箔，性能能够满足聚苯醚高频高速板制造需求的同时，还兼具低成本高效益的优势，以满足客户的需求。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种超低轮廓rtf铜箔的制备方法，以解决现有技术中并没有开发出一种适合于聚苯醚高频高速板用的超低轮廓铜箔的技术问题，满足聚苯醚高频高速板的制造要求，同时还兼具低成本高效益的优势。
2、针对上述目的，本专利技术还提供了一种超低轮廓rtf铜箔瘤化处理用电解液，在生箔进行硫化处理时采用该电解液可以有效生成一层超微细化、均匀的铜瘤化层，有效控制了铜箔光面和毛面的粗糙度，使得制备得到的超低轮廓rtf铜箔能够满足聚苯醚高频高速板的需求。
3、进一步的，本专利技术还提供了一种超低轮廓rtf铜箔，该超低轮廓rtf铜箔的光面粗糙度rz≤1.3μm，毛面粗糙度rz<2.5μm，能够与聚苯醚树脂压制成符合客户需求的覆铜板。
4、基于上述目的，本专利技术提供了一种超低轮廓rtf铜箔瘤化处理用电解液，包括以下组分：cuso4、h2so4、锡酸钠和葡萄糖。
5、优选的，所述cuso4的浓度为20～200g/l，所述h2so4的浓度为50～200g/l，所述锡酸钠的浓度为0.01～0.5g/l，所述葡萄糖的浓度为1～10g/l。
6、进一步优选的，所述cuso4的浓度为70～100g/l，所述h2so4的浓度为80～130g/l，所述锡酸钠的浓度为0.02～0.1g/l，所述葡萄糖的浓度为2～6g/l。
7、本专利技术还提供了一种超低轮廓rtf铜箔的制备方法，将光面粗糙度ra≤0.15μm，毛面粗糙度rz≤2.5μm的生箔采用上述的超低轮廓rtf铜箔瘤化处理用电解液对生箔光面进行瘤化处理得到，其中瘤化处理的电流密度为5～20a/dm2，瘤化处理时间为1～10s。
8、优选的，瘤化处理的电流密度为10～15a/dm2，瘤化处理时间为3～8s。
9、进一步的，所述生箔通过在硫酸铜电解液中电沉积得到，电沉积电流密度为30-90a/dm2，所述硫酸铜电解液的组成包括cuso4、h2so4、和cl-。
10、优选的，电沉积电流密度为40-80a/dm2。
11、更进一步的，所述硫酸铜电解液中，cuso4的浓度为150～400g/l，h2so4的浓度为60～180g/l，cl-的浓度为10～100mg/l。
12、进一步优选的，所述硫酸铜电解液中，cuso4的浓度为250～320g/l，h2so4的浓度为80～120g/l，cl-的浓度为30～70mg/l。
13、更进一步的，所述硫酸铜电解液中加入有添加剂，所述添加剂的浓度为0本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种超低轮廓RTF铜箔瘤化处理用电解液，其特征在于，包括以下组分：CuSO4、H2SO4、锡酸钠和葡萄糖，所述CuSO4的浓度为20～200g/L，所述H2SO4的浓度为50～200g/L，所述锡酸钠的浓度为0.01～0.5g/L，所述葡萄糖的浓度为1～10g/L。
2.根据权利要求1所述的超低轮廓RTF铜箔瘤化处理用电解液，其特征在于，所述CuSO4的浓度为70～100g/L，所述H2SO4的浓度为80～130g/L，所述锡酸钠的浓度为0.02～0.1g/L，所述葡萄糖的浓度为2～6g/L。
3.一种超低轮廓RTF铜箔的制备方法，其特征在于，将光面粗糙度Ra≤0.15μm，毛面粗糙度Rz≤2.5μm的生箔采用权利要求1或2所述的超低轮廓RTF铜箔瘤化处理用电解液对生箔光面进行瘤化处理得到，其中瘤化处理的电流密度为5～20A/dm2，瘤化处理时间为1～10s。
4.根据权利要求3所述的超低轮廓RTF铜箔的制备方法，其特征在于，所述生箔通过在硫酸铜电解液中电沉积得到，电沉积电流密度为30-90A/dm2，所述硫酸铜电解液的组成包括CuSO4、
5.根据权利要求4所述的超低轮廓RTF铜箔的制备方法，其特征在于，所述硫酸铜电解液中，CuSO4的浓度为150～400g/L，H2SO4的浓度为60～180g/L，Cl-的浓度为10～100mg/L。
6.根据权利要求4或5所述的超低轮廓RTF铜箔的制备方法，其特征在于，所述硫酸铜电解液中加入有添加剂，所述添加剂的浓度为0.005-0.1g/L，所述添加剂为醇硫基丙烷磺酸钠、噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠、苯基二硫丙烷磺酸钠、N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠、聚乙二醇、己基苄基胺盐和聚乙烯亚胺盐中的两种添加剂。
7.根据权利要求3所述的超低轮廓RTF铜箔的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：将瘤化处理后的铜箔依次进行耐热层处理、防氧化层处理和有机层处理。
8.根据权利要求7所述的超低轮廓RTF铜箔的制备方法，其特征在于，所述耐热层处理的具体步骤为：采用无磁性元素的电镀液对瘤化处理后的铜箔的光面和毛面进行电镀，得到耐热层包覆的铜箔，其中电镀的电流密度为0.1～2A/dm2。
9.根据权利要求8所述的超低轮廓RTF铜箔的制备方法，其特征在于，所述电镀液包括如下浓度的组分：30～120g/L的ZnSO4，0.01～0.5g/L的硫酸铟，50～200g/L的酒石酸钾钠。
10.根据权利要求7所述的超低轮廓RTF铜箔的制备方法，其特征在于，所述防氧化层处理的具体步骤为：采用铬镀液对耐热层处理后的铜箔的光面和毛面进行电镀，得到防氧化层包覆的铜箔，其中铬镀液的Cr6+的浓度为1～10g/L，pH为2～6，电镀的电流密度为1～5A/dm2。
11.根据权利要求7所述的超低轮廓RTF铜箔的制备方法，其特征在于，所述有机层处理的具体步骤为：将防氧化层处理后的铜箔的光面表面喷涂覆盖硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂的质量分数为0.5％～1.5％。
12.一种超低轮廓RTF铜箔，其特征在于，采用如权利要求3-11任一所述的超低轮廓RTF铜箔的制备方法制备得到。
13.根据权利要求12所述的超低轮廓RTF铜箔，其特征在于，所述超低轮廓RTF铜箔的光面粗糙度Rz≤1.3μm，毛面粗糙度Rz≤2.5μm。
...【技术特征摘要】
1.一种超低轮廓rtf铜箔瘤化处理用电解液，其特征在于，包括以下组分：cuso4、h2so4、锡酸钠和葡萄糖，所述cuso4的浓度为20～200g/l，所述h2so4的浓度为50～200g/l，所述锡酸钠的浓度为0.01～0.5g/l，所述葡萄糖的浓度为1～10g/l。
2.根据权利要求1所述的超低轮廓rtf铜箔瘤化处理用电解液，其特征在于，所述cuso4的浓度为70～100g/l，所述h2so4的浓度为80～130g/l，所述锡酸钠的浓度为0.02～0.1g/l，所述葡萄糖的浓度为2～6g/l。
3.一种超低轮廓rtf铜箔的制备方法，其特征在于，将光面粗糙度ra≤0.15μm，毛面粗糙度rz≤2.5μm的生箔采用权利要求1或2所述的超低轮廓rtf铜箔瘤化处理用电解液对生箔光面进行瘤化处理得到，其中瘤化处理的电流密度为5～20a/dm2，瘤化处理时间为1～10s。
4.根据权利要求3所述的超低轮廓rtf铜箔的制备方法，其特征在于，所述生箔通过在硫酸铜电解液中电沉积得到，电沉积电流密度为30-90a/dm2，所述硫酸铜电解液的组成包括cuso4、h2so4、和cl-。
5.根据权利要求4所述的超低轮廓rtf铜箔的制备方法，其特征在于，所述硫酸铜电解液中，cuso4的浓度为150～400g/l，h2so4的浓度为60～180g/l，cl-的浓度为10～100mg/l。
6.根据权利要求4或5所述的超低轮廓rtf铜箔的制备方法，其特征在于，所述硫酸铜电解液中加入有添加剂，所述添加剂的浓度为0.005-0.1g/l，所述添加剂为醇硫基丙烷磺酸钠、噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠、苯基二硫丙烷磺酸...
【专利技术属性】
技术研发人员：林家宝，
申请(专利权)人：建滔连州铜箔有限公司，
类型：发明
国别省市：
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