【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是体声波谐振器、体声波谐振器的制备方法以及滤波器。
技术介绍
1、现如今，随着高数据传输速率和更大通信带宽的需求的不断增长，极大地推动了射频前端技术的发展。而基于压电谐振器的声学滤波器在射频前端模块中发挥着重要的作用，因此对其提出了更高的频率，更大的带宽和更小的带内插损等要求。
2、当前，基于铌酸锂的横向激励体声波谐振器已成为提供更高频率和更大带宽射频滤波器的有前途的解决方案。针对横向激励体声波谐振器的工艺制程，现阶段比较常用的制备工艺路线主要有两种：1、正面释放；2、背腔刻蚀。但是，针对正面释放，由于谐振器有源区面积较大，往往会导致薄膜与硅衬底粘连；针对背腔刻蚀，由于铌酸锂薄膜内部较高的残余应力，最终释放后器件表面会出现严重的翘曲变形，在释放过程中腐蚀液的作用下容易出现薄膜破裂的现象。
技术实现思路
1、本申请提供了一种体声波谐振器、体声波谐振器的制备方法以及滤波器，该体声波谐振器具有较高的机械稳定性，可以解决谐振器薄膜破裂问题，且相关的制备工艺具有较好
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器包括层叠设置的第一芯片和第二芯片；其中，所述第一芯片和所述第二芯片之间形成有空腔，所述第一芯片和所述第二芯片上设置凹槽作为对准标识，在所述第一芯片和所述第二芯片上的所述对准标识对准时，所述第一芯片和所述第二芯片通过晶圆键合技术键合在一起。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，在所述第一芯片和所述第二芯片上的所述对准标识对准时，利用卡箍将所述第一芯片和所述第二芯片固定，并通过所述晶圆键合技术键合在一起。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器还包括：通过所...
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器包括层叠设置的第一芯片和第二芯片；其中，所述第一芯片和所述第二芯片之间形成有空腔，所述第一芯片和所述第二芯片上设置凹槽作为对准标识，在所述第一芯片和所述第二芯片上的所述对准标识对准时，所述第一芯片和所述第二芯片通过晶圆键合技术键合在一起。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，在所述第一芯片和所述第二芯片上的所述对准标识对准时，利用卡箍将所述第一芯片和所述第二芯片固定，并通过所述晶圆键合技术键合在一起。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器还包括：通过所述晶圆键合技术形成在所述第一芯片和所述第二芯片之间的键合层，所述键合层中设置有由所述第一芯片和所述第二芯片上的凹槽形成的空气反射孔。
4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述空腔内置有声波反射层；所述声波反射层包括交替层叠设置的第一声阻抗层和第二声阻抗层；...
【专利技术属性】
技术研发人员：温志伟，刘文娟，孙博文，孙成亮，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。