【技术实现步骤摘要】
本申请涉及信息处理领域，尤其涉及一种闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质。
技术介绍
1、在闪存芯片中，存储单元是用来存储数据的基本单元。每个存储单元都包含一个薄膜电容器，用于存储电荷。当电荷被写入存储单元时，它会保持在电容器中，以表示存储的数据。
2、然而，在闪存芯片使用的过程中，闪存芯片的温度会逐渐升高，而温度升高会导致闪存芯片存储单元中电荷泄漏增加，从而导致存储单元中的电荷减少，造成数据的误差和丢失。
技术实现思路
1、本申请提供了一种闪存芯片的信息记录方法、装置、电子设备及介质，可以在闪存芯片的温度达到存储单元中电荷损失的最大阈值时，发出预警信息和散热指令，并依据该散热指令开启散热装置，从而降低闪存芯片的温度，有效的避免了因为闪存芯片的温度过高造成的数据的误差和损失。
2、为实现上述目的，第一方面，本申请提供了一种闪存芯片的信息记录方法，具体包括：
3、确定闪存芯片的芯片类型，该芯片类型包括slc、mlc、tlc、qlc；
4、确定该闪存芯片的存储单元中电荷损失的最大阈值；
5、向温度阈值计算大模型输入该芯片类型和该最大阈值，得到该芯片类型对应的温度阈值；
6、通过温度传感器实时监测该闪存芯片的温度值；
7、若该闪存芯片的温度值大于或等于该温度阈值，则生成散热指令，同时发出预警信息；
8、依据该散热指令开启散热装置，通过该散热装置对闪存芯片进行散热处理，该散热装置包括散热
9、通过上述实施例，可以在闪存芯片的温度达到存储单元中电荷损失的最大阈值时，发出预警信息和散热指令，依据散热指令开启散热装置，从而降低闪存芯片的温度，有效的避免了因为闪存芯片的温度过高导致闪存芯片存储单元中电荷泄漏增加，从而导致存储单元中的电荷减少，造成数据的误差和丢失的问题。
10、在一实施例中，在确定闪存芯片的芯片类型的步骤之前，还包括：
11、收集不同类型闪存芯片在不同温度下存储单元中电荷泄露速度的测试结果，并将该测试结果作为训练数据集；
12、使用该训练数据集对温度阈值计算大模型进行训练、评估、优化，使得向该完成训练的温度阈值计算大模型中输入闪存芯片的芯片类型和存储单元电荷损失的最大阈值后，输出该闪存芯片的芯片类型对应的温度阈值。
13、通过上述实施例，可以得到温度阈值计算大模型，通过该温度阈值计算大模型可以依据闪存芯片的芯片类型和存储单元电荷损失的最大阈值得到该闪存芯片类型对应的温度阈值。
14、在一实施例中，在通过传感器实时监测该闪存芯片的温度值的步骤之后，还包括：
15、记录监测到的闪存芯片的温度值，得到温度变化曲线；
16、依据该温度变化曲线和该温度阈值预估闪存芯片的升温时间，该升温时间为该闪存芯片从当前温度升高到该温度阈值需要的时间。
17、通过上述实施例，可以依据监测到闪存芯片的温度值得到闪存芯片的第一温度变化曲线，并依据该第一温度变化曲线和该温度阈值预计预估该闪存芯片的温度上升到该温度阈值所需要的时间，优化了用户体验。
18、在一实施例中，依据该散热指令开启散热装置，通过该散热装置对闪存芯片进行散热处理的步骤之后，具体还包括：
19、发出该闪存芯片的预估的散热时长信息，该散热时长为所述闪存芯片从当前温度下降到正常温度所需要的时间，该正常温度为闪存芯片可以正常工作的温度。
20、通过上述实施例，可以在开启散热装置之后，发出该闪存芯片的预估的散热时长信息，使得用户可以方便的了解到在开启散热装置后闪存芯片需要的散热时长，优化了用户的使用体验。
21、在一实施例中，该发出该闪存芯片的预估的散热时长信息的步骤，具体包括：
22、记录在开启散热装置后监测到的闪存芯片的温度值，得到第二温度变化曲线；
23、依据所述第二温度变化曲线和所述正常温度值预估闪存芯片的散热时长。
24、通过上述实施例，可以依据在开启散热装置后监测到的闪存芯片的温度值得到该闪存芯片在开启散热装置后的第二温度变化曲线，并依据该第二温度曲线和正常温度值预估该闪存芯片的散热时长。
25、在一实施例中，在依据该散热指令开启散热装置，通过该散热装置对闪存芯片进行散热处理的步骤之后，具体还包括：
26、在监测到该闪存芯片的温度下降到该正常温度之后，则关闭该散热装置。
27、通过上述实施例，可以在该闪存芯片的温度下降到该正常温度之后，关闭该散热装置，从而在不影响闪存芯片的散热效果的前提下低了能源消耗。
28、在一实施例中，该若该闪存芯片的温度值大于或等于该温度阈值，则生成散热指令，同时发出预警信息的步骤，还包括：
29、降低该闪存芯片的读写速度，从而减少该闪存芯片热量的产生。
30、通过上述实施例，可以在闪存芯片的温度值大于或等于温度阈值时通过降低该闪存芯片的读写速度以减轻闪存芯片的负担和热量产生，有助于闪存芯片的温度快速降低到正常温度。
31、为实现上述目的，第二方面，本专利技术提供一种电子设备，用于实现上述一种闪存芯片的信息记录方法，具体包括：
32、类型确定模块，用于确定闪存芯片的芯片类型，该芯片类型包括slc、mlc、tlc、qlc；
33、阈值确定模块，用于确定该闪存芯片的存储单元中电荷损失的最大阈值；
34、阈值获取模块，用于向温度阈值计算大模型输入该闪存芯片的芯片类型和最大阈值，得到该闪存芯片的芯片类型对应的温度阈值；
35、温度监测模块，用于通过温度传感器实时监测该闪存芯片的温度值；
36、温度预警模块，用于若该闪存芯片的温度值大于或等于该温度阈值，则生成散热指令，同时发出预警信息；
37、降温处理模块，用于依据该散热指令开启散热装置，通过该散热装置对闪存芯片进行散热处理，该散热装置包括散热器、风扇和冷却液。
38、本实施例的一种电子设备，可以实现上述实施例提供的一种闪存芯片的信息记录方法的有益效果，此处不再赘述。
39、为实现上述目的，第二方面，本专利技术提供一种电子设备，用于实现上述一种闪存芯片的信息记录方法，具体还包括一个或多个处理器和存储器，该存储器与该一个或多个处理器耦合，该存储器用于存储计算机程序代码，该计算机程序代码包括计算机指令，该一个或多个处理器调用该计算机指令以使得该电子设备可以实现上述实施例提供的一种闪存芯片的信息记录方法的有益效果，此处不再赘述。
40、为实现上述目的，第三方面，本专利技术提供一种计算机可读存储介质，包括
41、指令，当该指令在电子设备上运行时，使得该电子设备可以实现上述实施例提供的一种闪存芯片的信息记录方法的有益效果，此处不再赘述。
42、本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种闪存芯片的信息记录方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述确定闪存芯片的芯片类型的步骤之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述通过传感器实时监测所述闪存芯片的温度值的步骤之后，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述散热指令开启散热装置，通过所述散热装置对闪存芯片进行散热处理的步骤之后，具体还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述发出所述闪存芯片的预估的散热时长信息的步骤，具体包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述散热指令开启散热装置，通过所述散热装置对闪存芯片进行散热处理的步骤之后，具体还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述若所述闪存芯片的温度值大于或等于所述温度阈值，则生成散热指令，同时发出预警信息的步骤，还包括：
8.一种电子设备，其特征在于，包括：
9.一种电子设备，其特征在于，还包括：一个或多个处理器和存储器；
10.
...【技术特征摘要】
1.一种闪存芯片的信息记录方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述确定闪存芯片的芯片类型的步骤之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述通过传感器实时监测所述闪存芯片的温度值的步骤之后，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述散热指令开启散热装置，通过所述散热装置对闪存芯片进行散热处理的步骤之后，具体还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述发出所述闪存芯片的预估的散热时长信息的步骤，具体包括：
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡治国，
申请(专利权)人：鑫硕泰深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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