一种IGBT模块MJ封装结构及其封装工艺制造技术

本发明专利技术提供的一种IGBT模块MJ封装结构及其封装工艺，包括陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板上设有电路；桥臂，多个桥臂纵向布置，每个桥臂包含上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂分别通过一颗IGBT芯片和FRD芯片组成；金属底板，金属底板边缘设有信号端子；所述桥臂焊接在陶瓷覆铜板上，所述陶瓷覆铜板固定在金属底板中部，桥臂通过键合导线与信号端子连接；本发明专利技术通过采用贴片电阻，贴片电阻能够直接焊接在覆铜板上，不但简化了工艺还提高了产品的可靠性；并且IGBT芯片上的键合点的为“Z”字型排布，减少该模块内部杂散电感，提高开关特性，降低模块的开关损耗，并使模块避免了由于受内部杂散电感影响而产生开通或者关断的损坏现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种igbt模块mj封装结构。

技术介绍

1、目前，1700v mj型igbt模块中栅极电阻为是硅基芯片电阻，电阻背面为可软钎焊的金属化成，正面是电阻的两个电极以及电极间的绝缘介质，由于市面上无固定型号的芯片电阻，芯片电阻需定制，导致其只能专项专用，提高了生产成本。还有部分产品用陶瓷电阻代替硅基电阻，电极镀层为锡铅或金，陶瓷电阻亦存在以下问题：1.锡铅镀层上键合铝丝，键合失效率较高，键合点推拉力较小，可靠性不高；2.金层上键合铝丝，在高温时au-al键合电阻会随时间增大，致使模块电参数变差，可靠性降低。并且现在的igbt芯片上的键合点为“一”型字排布，例如公开号为cn108074917b的一种多芯片并联的半桥型igbt模块，其陶瓷覆铜板上的芯片键合点在一条直线上，此种排布方式引起的杂散电感较大，模块在进行开通或关断时产生的电压尖峰会超过而定电压，进而坏igbt模块。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种igbt模块mj封装结构及其封装工艺。

2、本专利技术通过以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT模块MJ封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的IGBT模块MJ封装结构，其特征在于：所述IGBT芯片的集电极和发射极和FRD芯片并联，IGBT芯片的集电极和FRD芯片的阳极与陶瓷覆铜板接触。

3.如权利要求1所述的IGBT模块MJ封装结构，其特征在于：每个桥臂所在的陶瓷覆铜板为方形且相互绝缘。

4.如权利要求3所述的IGBT模块MJ封装结构，其特征在于：每个桥臂两端还在陶瓷覆铜板上划分出电阻安装板和信号引出板。

5.如权利要求4所述的IGBT模块MJ封装结构，其特征在于：所述信号引出板包括发射极信号引出板、集电...

【技术特征摘要】

1.一种igbt模块mj封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的igbt模块mj封装结构，其特征在于：所述igbt芯片的集电极和发射极和frd芯片并联，igbt芯片的集电极和frd芯片的阳极与陶瓷覆铜板接触。

3.如权利要求1所述的igbt模块mj封装结构，其特征在于：每个桥臂所在的陶瓷覆铜板为方形且相互绝缘。

4.如权利要求3所述的igbt模块mj封装结构，其特征在于：每个桥臂两端还在陶瓷覆铜板上划分出电阻安装板和信号引出板。

5.如权利要求4所述的igbt模块mj封装结构，其特征在于：所述信号引出板包括发射极信号引出板、集电极信号引出板，所述发射极信号引出板设在桥臂上端，集电极信号引出板设在桥臂下端。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：江加丽，周嵘，陈侃，王博，张亮，冉龙玄，莫宏康，赵冲冲，谭爽，吴俊德，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：发明
国别省市：