【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及一种电子装置，尤其涉及一种调变装置。
技术介绍
1、在制造电子装置的期间，基板上金属层的离子容易扩散到上方的元件区，导致元件特性劣化。此外，元件中半导体层的晶粒粗糙度可能受到下方金属层的粗糙度的影响而增加，导致载子迁移率降低。另外，元件容易与下方金属层电性耦合而导致阈值电压偏移。
技术实现思路
1、本揭露提供一种调变装置，其有助于改善金属层对于驱动元件的影响。
2、根据本揭露的一个实施例，调变装置包括基板、金属层、至少一个驱动元件以及调变单元。金属层设置在基板上且具有至少一个孔洞。至少一个驱动元件设置在基板上且重叠于至少一个孔洞。调变单元电连接于至少一个驱动元件。
3、根据本揭露的另一个实施例，调变装置包括基板、金属层、至少一个驱动元件以及调变单元。金属层设置在基板上且包括第一部分以及第二部分，其中第一部分的厚度大于第二部分的厚度。至少一个驱动元件设置在基板上且重叠于第二部分。调变单元电连接于至少一个驱动元件。
4、为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【技术保护点】
1.一种调变装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的调变装置，其特征在于，所述金属层的厚度在0.5μm至2μm之间。
3.根据权利要求1所述的调变装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的调变装置，其特征在于，所述至少一个驱动元件包括薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的半导体图案与所述金属层的最短距离大于3μm。
5.根据权利要求1所述的调变装置，其特征在于，所述至少一个驱动元件包括集成电路，且所述集成电路与所述金属层的最短距离大于3μm。
6.根据权利要求1所述的调变装置，其特征在于，所述至少一个孔洞的尺寸大于4μm且小于3cm。
7.根据权利要求1所述的调变装置，其特征在于，所述至少一个孔洞包括多个孔洞，且相邻两个孔洞之间的最小距离大于3.5μm。
8.一种调变装置，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的调变装置，其特征在于，所述第一部分的所述厚度小于所述第二部分的所述厚度的四倍。
10.根据权利要求8所述的调变装置，其特征在于，所述金属层具有开口，
...【技术特征摘要】
1.一种调变装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的调变装置，其特征在于，所述金属层的厚度在0.5μm至2μm之间。
3.根据权利要求1所述的调变装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的调变装置，其特征在于，所述至少一个驱动元件包括薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的半导体图案与所述金属层的最短距离大于3μm。
5.根据权利要求1所述的调变装置，其特征在于，所述至少一个驱动元件包括集成电路，且所述集成电路与所述金属层的最短距离大于3μm。
【专利技术属性】
技术研发人员：曾嘉平，吴彦徵，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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