基于I2C总线的DDR5内存温度监测装置及方法制造方法及图纸

本申请提供了一种基于I<supgt;2</supgt;C总线的DDR5内存温度监测装置及方法，该芯片功耗估计装置包括：增强型I<supgt;2</supgt;C控制装置，其用于经由I<supgt;2</supgt;C总线访问目标DDR5的片上温度传感器以获取所述目标DDR5的温度信息，所述目标DDR5为一个或多个DDR5中至少一个；温度状态确定模块，其基于所述温度信息确定所述目标DDR5的温度状态；以及动态随机存储控制器，其用于接收所述温度状态确定模块反馈的所述目标DDR5的温度状态，并根据所述温度状态进行针对所述目标DDR5的功耗管理。本申请可以减少支持DDR5内存时SoC芯片对I<supgt;3</supgt;C的依赖，降低I<supgt;2</supgt;C控制器的操作负担。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及内存器件的温度监测领域，尤其涉及一种基于i2c总线的ddr5内存温度监测装置及方法。

技术介绍

1、内存技术经历着不断更新迭代，如今，双倍数据速率(ddr)同步动态随机存取存储器(sdram或直接称为dram)技术，已成为几乎所有从高性能数据中心到注重功耗/面积的移动应用中的普遍的存储器。

2、jedec(全球微电子产业的领导标准机构)目前在ddr内存类别中的最新一代是ddr5。ddr5内存将以较ddr4内存更低的i/o电压(1.1v)和更高的密度(基于16gbdram晶粒)支持更高的数据速率(高达6400mb/s)。

3、相比ddr4的dimm(dual in line memory module)，ddr5的dimm上所需的和数据传输相关的关键芯片更多，其中包括寄存时钟驱动器(rcd)、数据缓冲器(db)、串行检测集线器及存储器(spd hub and memory)以及多组温度传感器(temperature sensor，ts)。温度传感器可详细记录内存温度数据，即时监控内存温度。研发人员在设计系统风道时，也能借此精本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于I2C总线的DDR5内存温度监测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述初始化模块，用于在接收到第一初始化配置信号的情况下，执行所述第一初始化操作，其中，所述第一初始化配置信号是输入输出系统BIOS在上电自检阶段初始化生成的。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一初始化操作所配置的寄存器还包括：

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一初始化操作所配置的寄存器还包括：

6.根据权利要求1中所述的装置，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种基于i2c总线的ddr5内存温度监测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述初始化模块，用于在接收到第一初始化配置信号的情况下，执行所述第一初始化操作，其中，所述第一初始化配置信号是输入输出系统bios在上电自检阶段初始化生成的。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一初始化操作所配置的寄存器还包括：

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一初始化操作所配置的寄存器还包括：

6.根据权利要求1中所述的装置，其特征在于，

7.根据权利要求1中所述的装置，其特征在于，所述温度状态包括第一状态、第二状态和第三状...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘景龙，冯群超，葛利，魏羽羽，
申请(专利权)人：上海兆芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：