一种高质量异质外延方法及其制备得到的外延层结构技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种高质量异质外延方法。该方法是首先在衬底上制作沟槽结构，接着异质外延外延层，最后通过激光扫描外延层对其进行退火处理，使外延层中的应力释放或再次分配，退火后外延层中的缺陷将集中于沟槽内的外延材料部分，而沟槽上方以及沟槽上方附近的外延层的缺陷密度将大幅度降低，从而使得外延层的质量得到提高，并且由于所形成的沟槽结构中存在高密度缺陷，载流子无法通过沟槽结构，所形成的沟槽结构可以起到隔离电信号的作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种高质量异质外延方法及其制备得到的外延层。

技术介绍

1、功率器件和功率集成电路往往在生长于半导体衬底(晶圆)上的外延层中形成，以sic、ga2o3制备的功率器件如二极管、晶体管和功率集成电路具有更小的面积以及更优异的电气特性，在如今具有更高功率以及更低功耗需求的电力电子应用中，sic和ga2o3材料具有更重大的研究意义以及更广阔的市场应用前景，生产高质量、更大尺寸的sic、ga2o3一直是业界不懈追求的目标。

2、然而，当前的sic、ga2o3的单晶衬底和外延生长技术尚不成熟。以sic为例，单晶生长的sic衬底存在晶体缺陷密度高、生长过程中多型体(3c-sic、4h-sic、6h-sic等)控制较差等难题，这使得高质量、大尺寸(＞8英寸)的sic单晶衬底制备困难、价格昂贵，严重限制了sic、ga2o3在集成器件领域的使用。

3、因此，开发一种能够适用于sic、ga2o3的高质量异质外延方法具有重要意义。

技术实现思路

1、基于此，本专利技术提供了一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高质量异质外延方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高质量异质外延方法，其特征在于，步骤S1中还包括对沟槽结构进行离子注入的步骤，且离子注入的杂质类型与衬底本身的掺杂类型相反。

3.根据权利要求2所述的高质量异质外延方法，其特征在于，所述离子注入的位置包括但不限于沟槽结构底部和/或沟槽结构周边。

4.根据权利要求1所述的高质量异质外延方法，其特征在于，所述沟槽结构横截面的形状包括但不限于方形、长条形、圆形、六边形或其它不规则形状。

5.根据权利要求1～4任一项所述的高质量异质外延方法，其特征在于，所述沟槽结构为连...

【技术特征摘要】

1.一种高质量异质外延方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高质量异质外延方法，其特征在于，步骤s1中还包括对沟槽结构进行离子注入的步骤，且离子注入的杂质类型与衬底本身的掺杂类型相反。

3.根据权利要求2所述的高质量异质外延方法，其特征在于，所述离子注入的位置包括但不限于沟槽结构底部和/或沟槽结构周边。

4.根据权利要求1所述的高质量异质外延方法，其特征在于，所述沟槽结构横截面的形状包括但不限于方形、长条形、圆形、六边形或其它不规则形状。

5.根据权利要求1～4任一项所述的高质量异质外延方法，其特征在于，所述沟槽结构为连续结构或间断结构。

6.根据权利要求1～4任一项所述的高质量异质外延方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴阳阳，袁俊，陈伟，王宽，徐少东，郭飞，成志杰，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：