【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种高压发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点，发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器之指示灯或光源。传统led芯片是在大电流低电压下工作，高压芯片(hv led)则是在小电流高电压下工作。近年来，led照明灯具设计更倾向于简便化和轻薄化，而高压芯片以其灵活性，多样性及其低成本性等优势逐渐为市场所看好。与传统低压led芯片相比，高压led芯片具有封装成本低、暖白光效高、驱动电源效率高，线路损耗低等优势。鉴于此，有必要寻求一种优化的高压发光二极管。
2、复合式图形化蓝宝石衬底是在蓝宝石衬底表面沉积一定膜厚的sio2通过pss黄光及刻蚀工艺制程，最终形成al2o3和sio2两种材料组成的复合式图形衬底。在已知技术中，高压led芯片一般是采用常规蓝宝石作为生长衬底。然而相较于常规的蓝宝石衬底，复合式图形化蓝宝石衬底应用在芯片中具有外延亮度极大提升、反向漏电流减小、led寿命延长的优势，然而却无法应用在高压led芯片上。
3、因此，如何将复合式图形化蓝宝石衬底应用在高压led芯片上是目前亟需解决的技术难题之一。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种高压发光二极管，以解决上述
技术介绍
中的至少一个问题。在一实施例中，所述高压发光二极管包括复合衬底、多个发光单元。
2、所述复合衬底包括蓝宝石衬底和位于蓝宝石衬底上的多个第一凸起；多个发光单元位于所述复
3、本专利技术提供的高压发光二极管通过对复合衬底的设计使得其可以应用于高压发光二极管，不仅提高芯片制程的可靠性，还极大提升了整个高压发光二极管的亮度。
4、本专利技术还提供一种发光装置，采用如上任一实施例所述的高压发光二极管。
5、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。
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1.一种高压发光二极管，其特征在于，所述高压发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第一凸起的形状为凸台状，且所述第一凸起的材料为Al2O3。
3.根据权利要求1所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第一凸起的高度H1介于0.1～1微米之间。
4.根据权利要求1所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第一凸起的最大宽度L1介于1.5～4微米之间。
5.根据权利要求1所述的高压发光二极管，其特征在于：相邻所述第一凸起的间距D1介于0.5～2微米之间。
6.根据权利要求1～5任一项所述的高压发光二极管，其特征在于：所述高压发光二极管的外边缘区域设置有切割道，所述切割道底部形成位于所述复合衬底上且未覆盖有发光单元的第二区域；
7.根据权利要求6所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第二凸起的形状为锥状。
8.根据权利要求6所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第二凸起包括由第二区域向上堆叠的第一层和第二层，所述第一层的材料为Al2O3，所述第二层的材料为SiO2。
...【技术特征摘要】
1.一种高压发光二极管，其特征在于，所述高压发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第一凸起的形状为凸台状，且所述第一凸起的材料为al2o3。
3.根据权利要求1所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第一凸起的高度h1介于0.1～1微米之间。
4.根据权利要求1所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第一凸起的最大宽度l1介于1.5～4微米之间。
5.根据权利要求1所述的高压发光二极管，其特征在于：相邻所述第一凸起的间距d1介于0.5～2微米之间。
6.根据权利要求1～5任一项所述的高压发光二极管，其特征在于：所述高压发光二极管的外边缘区域设置有切割道，所述切割道底部形成位于所述复合衬底上且未覆盖有发光单元的第二区域；
7.根据权利要求6所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第二凸起的形状为锥状。
8.根据权利要求6所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第二凸起包括由第二区域向上堆叠的第一层和第二层，所述第一层的材料为al2o3，所述第二层的材料为sio2。
9.根据权利要求8所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第一层为凸台状，所述第二层为锥状。
10.根据权利要求8所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第二层的高度与所述第二凸起的高度的比值介于0.5～1。
11.根据权利要求6所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第二凸起的高度h2介于1～3微米之间。
12.根据权利要求6所述的高压发光二极管，其特征在于：所述第二凸起的最大宽度l2介于1.5～4微米之间。
13.根据权利要求6所述的高压发光二极管，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王庆，洪灵愿，陈大钟，龚明川，何敏游，曾江斌，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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