形状记忆合金低轮廓端口制造技术

技术编号:39990667 阅读:21 留言:0更新日期:2024-01-09 02:14
本文公开的实施方案涉及一种端口系统,其包括限定贮存器的主体和端口杆。主体和杆中的一者可由形状记忆材料形成并且可在扩展构造与塌缩构造之间转变。处于塌缩构造的端口主体和贮存器中的一者可提供端口的减小的总尺寸或外轮廓,以用于皮下放置和/或进入事件之间。端口可需要较小的切口部位、需要更少的缝线或根本不需要缝线,从而改善患者恢复时间、患者舒适度、减少疤痕并改善美观性。处于塌缩构造的端口杆可小于导管内腔直径,并且可转变为大于导管内腔直径的扩展构造,以便于在它们之间形成不透流体的密封。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

1、简而言之,本文公开的实施方案涉及包括可塌缩贮存器的端口系统及其相关方法。端口可包括限定贮存器并且由形状记忆材料(例如金属、合金或镍钛诺)制成的主体。端口主体可在扩展构造与塌缩构造之间转变。有利地,端口可转变为塌缩构造以提供用于插入和/或在进入事件之间的减小的总尺寸或外轮廓。端口可需要更小的切口部位,需要更少的缝线或根本不需要缝线来闭合切口部位,从而改善患者恢复时间、患者舒适度、减少疤痕并改善美观性。

2、本文公开了一种皮下进入系统,包括:导管,限定内腔;以及端口,具有端口杆,该端口杆配置为接合导管并且提供与导管的流体连通;主体,包含形状记忆材料并且限定与端口杆流体连通的贮存器,主体可在扩展构造与塌缩构造之间转变,该塌缩构造限定更小的总轮廓;以及针可穿透隔膜,布置在贮存器上并且配置为提供到贮存器的经皮通道。

3、在一些实施方案中,端口杆包含形状记忆材料并且配置为在扩展构造与塌缩构造之间转变。在一些实施方案中,处于塌缩构造的端口杆限定第一杆外直径,并且处于扩展构造的端口杆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种皮下进入系统,包括:

2.根据权利要求1所述的皮下进入系统,其中所述端口杆包含所述形状记忆材料并且被配置为在扩展构造与塌缩构造之间转变。

3.根据权利要求2所述的皮下进入系统,其中处于所述塌缩构造的所述端口杆限定了第一杆外直径,并且处于所述扩展构造的所述端口杆限定了第二杆外直径,所述第二杆外直径大于所述第一杆外直径。

4.根据权利要求3所述的皮下进入系统,其中所述第一杆外直径小于所述导管在松弛状态下的内腔内直径,并且所述第二杆外直径大于所述导管在松弛状态下的所述内腔内直径。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的皮下进入系统,其中所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种皮下进入系统,包括:

2.根据权利要求1所述的皮下进入系统,其中所述端口杆包含所述形状记忆材料并且被配置为在扩展构造与塌缩构造之间转变。

3.根据权利要求2所述的皮下进入系统,其中处于所述塌缩构造的所述端口杆限定了第一杆外直径,并且处于所述扩展构造的所述端口杆限定了第二杆外直径,所述第二杆外直径大于所述第一杆外直径。

4.根据权利要求3所述的皮下进入系统,其中所述第一杆外直径小于所述导管在松弛状态下的内腔内直径,并且所述第二杆外直径大于所述导管在松弛状态下的所述内腔内直径。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的皮下进入系统,其中所述形状记忆材料包括金属、复合材料或合金,并且包括镍、钛、锌、铜、金、铁、铝、铜铝镍合金、镍钛合金或镍钛诺中的一种。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的皮下进入系统,其中处于所述扩展构造的所述主体限定了第一端口高度、第一端口宽度或第一端口长度中的一个,并且其中处于所述塌缩构造的所述主体限定了第二端口高度、第二端口宽度或第二端口长度中的一个。

7.根据权利要求6所述的皮下进入系统,其中满足以下之一:所述第二端口高度小于所述第一端口高度、所述第二端口宽度小于所述第一端口宽度或所述第二端口长度小于所述第一端口长度。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的皮下进入系统,其中处于所述扩展构造的所述主体限定了第一端口体积,并且处于所述塌缩构造的所述主体限定了第二端口体积,所述第二端口体积小于所述第一端口体积。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的皮下进入系统,其中处于所述扩展构造的所述贮存器限定了第一贮存器高度、第一贮存器宽度或第一贮存器长度中的一个,并且其中处于所述塌缩构造的所述贮存器限定了第二贮存器高度、第二贮存器宽度或第二贮存器长度中的一个。

10.根据权利要求9所述的皮下进入系统,其中满足以下之一:所述第二贮存器高度小于所述第一贮存器高度、所述第二贮存器宽度小于所述第一贮存器宽度或所述第二贮存器长度小于所述第一贮存器长度。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的皮下进入系统,其中处于所述扩展构造的所述贮存器限定了第一贮存器体积,并且处于所述塌缩构造的所述贮存器限定了第二贮存器体积,所述第二贮存器体积小于所述第一贮存器体积。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的皮下进入系统,其中所述主体在第一温度下能够从所述塌缩构造转变为所述扩展构造,并且所述主体在第二温度下能够从所述扩展构造转变为所述塌缩构造。

13.根据权利要求12所述的皮下进入系统,其中所述第一温度等于或大于98.6℉(37℃),并且所述第二温度小于98.6℉(37℃)。

14.根据权利要求12所述的皮下进入系统,其中所述第一温度大于98.6℉(37℃),并且所述第二温度等于或小于98.6℉(37℃)。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的皮下进入系统,其中所述主体在所述第二温度下被配置为能够塑性变形。

16.根据权利要求12至15中任一项所述的皮下进入系统,其中所述主体在所述第一温度下处于奥氏体相,并且所述主体在所述第二温度下处于马氏体相。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的皮下进入系统,其中处于所述塌缩构造的所述主体包括布置在所述主体的外表面上的折叠部分。

18.根据权利要求17所述的皮下进入系统,其中所述折叠部分包括多个褶皱,所述多个褶皱布置在所述主体的外表面上并且配置为允许所述主体在所述扩展构造与所述塌缩构造之间转变。

19.根据权利要求1至18中任一项所述的皮下进入系统,其中所述主体包括由所述形状记忆材料形成的框架、外壳、蜂窝结构或外骨骼形态中的一种。

20.根据权利要求19所述的皮下进入系统,还包括不同于所述形状记忆材料并且布置在...

【专利技术属性】
技术研发人员:C·安得森B·R·登斯利J·霍耶I·N·托马斯D·菲乌梅弗雷多
申请(专利权)人:巴德血管外围设备公司
类型:发明
国别省市:

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