【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光元件制造，特别是涉及一种发光元件。
技术介绍
1、发光元件(英文light emitting diode，简称led)包含有不同的发光材料及发光部件，是一种固态半导体发光元件。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、 具有良好的光电特性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。
2、其中，用于车用、背光、植物照明以及大功率照明等领域的发光元件通常是以反射率最高的金属ag作为主要反射镜材料，但金属蒸镀常用的方法为使用负性光刻胶加金属剥离的方式进行。但为获得较好的粘附性，ag反射镜一般采用磁控溅射方法蒸镀，因为磁控溅射的特性，金属的侧镀会比较大，负性光刻胶加金属剥离的方法会导致ag反射镜尾端出现粘附性差、翘起、卷边等异常。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供了一种发光元件，以保证溅镀后的ag反射镜尾端无翘起、卷边、粘附性差等异常。
2、为了实现上述目的及其他相关目的，本申请提供了一种发光元件
【技术保护点】
1.一种发光元件，包括：
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为100nm~600nm。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一绝缘层具有与所述半导体叠层接触的下表面、与所述下表面相对的上表面以及连接所述上表面和所述下表面之间的侧表面，所述侧表面和所述下表面之间的夹角为10°~45°。
4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述第一绝缘层的下表面与所述第二半导体层的边缘之间的距离介于2~15um。
5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述反射层包括一尾端，所...
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包括：
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为100nm~600nm。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一绝缘层具有与所述半导体叠层接触的下表面、与所述下表面相对的上表面以及连接所述上表面和所述下表面之间的侧表面，所述侧表面和所述下表面之间的夹角为10°~45°。
4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述第一绝缘层的下表面与所述第二半导体层的边缘之间的距离介于2~15um。
5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述反射层包括一尾端，所述尾端包括倾斜面和与所述第二半导体层表面接触的第一表面，所述倾斜面与所述第一表面之间具有一角度，所述角度介于5°~20°。
6.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述反射层底层金属为ag。
7.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括阻挡层，所述阻挡层形成于所述反射层上与所述反射层接触，所述阻挡层还包括部分所述阻挡层与所述半导体叠层接触，部分所述阻挡层与所述第一绝缘层的侧表面和上表面接触。
【专利技术属性】
技术研发人员：朱秀山，李燕，荆琪，包志豪，陈剑斌，李俊贤，蔡吉明，凃如钦，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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