【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超导电路制造，特别是涉及一种掩膜及其制造方法、斜蒸发镀膜方法、超导电路。
技术介绍
1、超导量子芯片是由很多超导电路组成的，而超导电路是由超导层按照一定规则中堆叠而成的。在超导电路的制备过程中，超导层大多采用蒸发工艺沉积而成，其中，斜蒸发是最常用的沉积工艺。
2、如图1所示，是现有技术进行斜蒸发镀膜的工艺步骤示意图。在进行斜蒸发沉积超导层时，参考图1(a)，先在衬底101上涂覆单层光刻胶102，并在光刻胶102上形成窗口103(图中仅示意性显示了部分窗口)；参考图1(b)，然后通过窗口103按照图示箭头方向b进行斜蒸发镀膜，在衬底101上形成超导膜104；参考图1(c)，最后剥离光刻胶102。如图1(c)，由于斜蒸发镀膜时，光刻胶102的侧壁上也会镀上一部分超导膜，并与超导膜104连为一体，而剥离光刻胶102后，侧壁上的超导膜会留下，从而造成超导膜104边缘翘起现象。本申请的专利技术人经过长期研究发现，超导膜的边缘翘起现象会影响超导量子芯片的性能。因此，如何避免超导材料沉积时出现超导膜边缘翘起现象是当前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种掩膜及其制造方法、斜蒸发镀膜方法、超导电路，以解决现有技术中超导膜会出现边缘翘起现象的问题，能够在进行超导膜沉积时，避免超导膜边缘翘起。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种掩膜，用于斜蒸发镀膜，包括：
3、第一光刻胶层，用于形成于衬底上，所述第一光刻胶层形成有暴露所
4、第二光刻胶层，形成于所述第一光刻胶层上，所述第二光刻胶层形成有暴露所述第一窗口的第二窗口，所述第一窗口朝向镀膜方向的边缘超出所述第二窗口的边缘，以构成底切结构。
5、优选的，所述第一窗口在镀膜方向以外的其它方向上的边缘与所述第二窗口的边缘平齐。
6、优选的，所述第二光刻胶层的厚度大于所述第一光刻胶层的厚度。
7、为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种掩模的制造方法，所述掩膜用于斜蒸发镀膜，包括：
8、在衬底上依次形成第一光刻胶层和第二光刻胶层；
9、在所述第一光刻胶层上形成暴露所述衬底的第一窗口以及在所述第二光刻胶层上形成暴露所述第一窗口的第二窗口；
10、其中，所述第一窗口朝向镀膜方向的边缘超出所述第二窗口的边缘，以构成底切结构。
11、优选的，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均为电子束光刻胶，所述第一光刻胶层的曝光剂量低于所述第二光刻胶层的曝光剂量。
12、优选的，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层在显影时采用的显影液相同，且所述第一光刻胶层的显影速度高于所述第二光刻胶层的显影速度。
13、优选的，所述在所述第一光刻胶层上形成暴露所述衬底的第一窗口以及在所述第二光刻胶层上形成暴露所述第一窗口的第二窗口，包括：
14、在所述第二光刻胶层上确定第一曝光区域以及在所述镀膜方向上连接所述第一曝光区域的第二曝光区域；
15、基于所述第二光刻胶层的曝光剂量对所述第一曝光区域曝光，以分别在所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层上形成第一图案和第二图案；
16、基于所述第一光刻胶层的曝光剂量对所述第二曝光区域曝光，以使所述第一图案朝向所述镀膜方向的边缘超出所述第二图案的边缘；
17、显影所述第一图案得到暴露所述衬底的第一窗口以及显影所述第二图案得到暴露所述第一窗口的第二窗口。
18、优选的，所述在所述第一光刻胶层上形成暴露所述衬底的第一窗口以及在所述第二光刻胶层上形成暴露所述第一窗口的第二窗口，包括：
19、在所述第二光刻胶层上确定第一曝光区域以及在所述镀膜方向上连接所述第一曝光区域的第二曝光区域；
20、基于所述第一光刻胶层的曝光剂量对所述第二曝光区域曝光，以在所述第一光刻胶层上形成第三图案；
21、基于所述第二光刻胶层的曝光剂量对所述第一曝光区域曝光，以在所述第一光刻胶层上形成连接所述第三图案的第一图案以及在所述第二光刻胶层上形成第二图案；
22、显影所述第一图案和所述第三图案得到暴露所述衬底的第一窗口以及显影所述第二图案得到暴露所述第一窗口的第二窗口。
23、为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种斜蒸发镀膜方法，包括：
24、在衬底上形成前述的掩膜，或者根据前述的掩模的制造方法形成掩膜于所述衬底上；
25、通过所述第一窗口和所述第二窗口在所述镀膜方向上进行斜蒸发镀膜，形成膜层于所述衬底上。
26、为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种超导电路，包括超导焊盘和由具有交叠区域的两条超导线构成的约瑟夫森结，每一所述超导线均对应连接有所述超导焊盘，所述超导线和/或所述超导焊盘采用权利要求9所述的斜蒸发镀膜方法得到。
27、区别于现有技术的情况，本专利技术提供的掩膜包括第一光刻胶层和第二光刻胶层，第一光刻胶层用于形成于衬底上，形成有暴露衬底的第一窗口，第二光刻胶层形成于第一光刻胶层上，形成有暴露第一窗口的第二窗口，第一窗口朝向镀膜方向的边缘超出第二窗口的边缘，以构成底切结构，利用该掩膜进行斜蒸发镀膜超导膜时，由于第一光刻胶层的侧壁被第二光刻胶层遮挡，膜层只会镀在第二光刻胶层的侧壁上，而第二光刻胶层又与衬底具有间隙，所以第二光刻胶层的侧壁上的膜层不与衬底上的膜层连接，剥离光刻胶时，第二光刻胶层的侧壁上的膜层会一并去除，从而能够在进行超导膜沉积时，避免超导膜边缘翘起。
28、本专利技术提供的掩膜的制造方法、斜蒸发镀膜方法以及超导电路与前述的掩膜属于相同的专利技术构思，具有相同的技术效果，此处不再赘述。
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1.一种掩膜，用于斜蒸发镀膜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述第一窗口在镀膜方向以外的其它方向上的边缘与所述第二窗口的边缘平齐。
3.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度大于所述第一光刻胶层的厚度。
4.一种掩模的制造方法，所述掩膜用于斜蒸发镀膜，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均为电子束光刻胶，所述第一光刻胶层的曝光剂量低于所述第二光刻胶层的曝光剂量。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层在显影时采用的显影液相同，且所述第一光刻胶层的显影速度高于所述第二光刻胶层的显影速度。
7.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一光刻胶层上形成暴露所述衬底的第一窗口以及在所述第二光刻胶层上形成暴露所述第一窗口的第二窗口，包括：
8.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一光刻胶层上形成暴露所述衬底的第
9.一种斜蒸发镀膜方法，其特征在于，包括：
10.一种超导电路，其特征在于，包括超导焊盘和由具有交叠区域的两条超导线构成的约瑟夫森结，每一所述超导线均对应连接有所述超导焊盘，所述超导线和/或所述超导焊盘采用权利要求9所述的斜蒸发镀膜方法得到。
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜，用于斜蒸发镀膜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述第一窗口在镀膜方向以外的其它方向上的边缘与所述第二窗口的边缘平齐。
3.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度大于所述第一光刻胶层的厚度。
4.一种掩模的制造方法，所述掩膜用于斜蒸发镀膜，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均为电子束光刻胶，所述第一光刻胶层的曝光剂量低于所述第二光刻胶层的曝光剂量。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层在显影时采用的显影液相同，且所述第一光刻胶...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，贾志龙，
申请(专利权)人：本源量子计算科技合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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