基于TSV的多层双频SIW滤波器制造技术

本发明专利技术公开了基于TSV的多层双频SIW滤波器，包括从上至下依次设置的四层谐振腔，每层谐振腔中均分布有TSV阵列和耦合槽结构，其中第一层的TSV阵列结构和第四层的TSV阵列结构相同，第二层的TSV阵列结构与第三层的TSV阵列结构相同，第一层谐振腔的一侧设有输入RDL，第四层谐振腔的一侧设有输出RDL。本发明专利技术提供的滤波器结构能够实现层与层之间的耦合，实现了更好的性能以及更小的尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无线通信，涉及一种基于tsv的多层双频siw滤波器。

技术介绍

1、随着无线通信技术的发展，人类的生活已经与相关通信设备无法分隔。与此同时，频谱资源变得日益紧张，如何在有限的频谱资源内产生更大的应用空间，已经成为一个非常重要问题。近年来，随着5g毫米波频谱资源的开发，多协议系统逐渐被应用在通信领域中，同时对于双频甚至多频段器件的研究越来越多，双频带滤波器作为其中重要。

2、目前面对双频滤波器的研究一方面是单层滤波器，一方面是双层滤波器，更多的是围绕同层之间的腔体进行耦合的研究设计，即使是双层滤波器，其中也是更多的包含同层之间的耦合研究，这样的研究设计在尺寸设计上存在一定的局限。

3、基于tsv的siw滤波器具有结构紧凑、易于集成、体积小、高品质因数和优良的高频特性等特点。为了实现低频段频谱资源和空间资源的充分利用，提升频段选用灵活性，实现紧凑的低频段双频滤波器是十分重要的课题之一。因此，基于tsv的多层双频滤波器在低频段的研究具有非常深远的意义。

技术实现思路p>

1、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于TSV的多层双频SIW滤波器，其特征在于：包括从上至下依次设置的四层谐振腔，每层谐振腔中均分布有TSV阵列和耦合槽结构，其中第一层的TSV阵列结构和第四层的TSV阵列结构相同，第二层的TSV阵列结构与第三层的TSV阵列结构相同，第一层谐振腔的一侧设有输入RDL，第四层谐振腔的一侧设有输出RDL。

2.根据权利要求1所述的基于TSV的多层双频SIW滤波器，其特征在于：所述四层谐振腔的结构为：包括五层从上至下依次平行设置的金属层RDL，相邻两层金属层RDL之间形成一个谐振腔，五层金属层RDL两两之间依次从上至下形成第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔及第四谐振腔，所述输入R...

【技术特征摘要】

1.基于tsv的多层双频siw滤波器，其特征在于：包括从上至下依次设置的四层谐振腔，每层谐振腔中均分布有tsv阵列和耦合槽结构，其中第一层的tsv阵列结构和第四层的tsv阵列结构相同，第二层的tsv阵列结构与第三层的tsv阵列结构相同，第一层谐振腔的一侧设有输入rdl，第四层谐振腔的一侧设有输出rdl。

2.根据权利要求1所述的基于tsv的多层双频siw滤波器，其特征在于：所述四层谐振腔的结构为：包括五层从上至下依次平行设置的金属层rdl，相邻两层金属层rdl之间形成一个谐振腔，五层金属层rdl两两之间依次从上至下形成第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔及第四谐振...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凤娟，卢颖，刘静，杨媛，余宁梅，尹湘坤，朱樟明，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：