一种剥离型纳米蒙脱土及制备方法、导电胶和导电浆料技术

一种剥离型纳米蒙脱土及制备方法、导电胶和导电浆料，属于纳米粉体材料生产技术领域。剥离型纳米蒙脱土的制备方法包括：将片层间含有季铵盐‑炔丙基卤化物的插层型蒙脱土，与叠氮基多面体低聚倍半硅氧烷和卤化铜混合，然后经过数次“冷冻‑解冻‑抽真空”循环后，加入胺类化合物，再次经过数次“冷冻‑解冻‑抽真空”循环，制得剥离型纳米蒙脱土。制得的剥离型纳米蒙脱土可应用于粘度高、固含量高的电子导电胶或电子导电浆料中，使导电胶或导电浆料具有更好的润湿性，以增强导电胶膜与其它电子胶粘剂、粘接基材的浸润性和相容性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及纳米粉体材料生产，具体而言，涉及一种剥离型纳米蒙脱土及制备方法、导电胶和导电浆料。

技术介绍

1、蒙脱土作为一种价廉易得的纳米材料，它的晶体结构是由两层硅氧四面体片中间夹一层铝(镁)氧八面体片构成的2:1型层状硅酸盐结构，结构单元层之间以分子间力连接，结构比较松散，水分子或其他有机分子可以进去层间，使蒙脱土具有吸水膨胀性、分散性、吸附性高等性能，也是蒙脱土易于造浆、活化、有机化的原因所在。

2、蒙脱土的有机化一般有插层和剥离两种，即插层型蒙脱土和剥离型纳米蒙脱土。未有机化的蒙脱土及插层型蒙脱土仍是层状结构，其层间距为1.25-4.50nm，可用于粘度低、固含量低的油墨、涂料中。剥离型纳米蒙脱土则是无定形单层片状分散结构，原来的蒙脱土层间结构被剥离成一片一片的单层结构。

技术实现思路

1、基于上述的不足，本申请提供了一种剥离型纳米蒙脱土及制备方法、导电胶和导电浆料，以部分或全部地改善、甚至解决相关技术中剥离型纳米蒙脱土的制备问题。

2、本申请是这样实现的：</p>

3、在第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种剥离型纳米蒙脱土的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的剥离型纳米蒙脱土的制备方法，其特征在于，在将所述第一混合溶液与所述胺类化合物搅拌混合之前，对所述第一混合溶液进行5-10次的所述冷冻、解冻和抽真空操作，且每次进行所述冷冻、解冻和抽真空操作的条件为：所述冷冻的温度为不高于-100℃，所述冷冻的时间为0.5-1h；所述解冻的温度为20-30℃，所述解冻的时间与所述抽真空的时间共为0.5-1h。

3.根据权利要求2所述的剥离型纳米蒙脱土的制备方法，其特征在于，所述剥离型纳米蒙脱土的制备方法还包括：

4.根据权利要求1所述的剥离型...

【技术特征摘要】

1.一种剥离型纳米蒙脱土的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的剥离型纳米蒙脱土的制备方法，其特征在于，在将所述第一混合溶液与所述胺类化合物搅拌混合之前，对所述第一混合溶液进行5-10次的所述冷冻、解冻和抽真空操作，且每次进行所述冷冻、解冻和抽真空操作的条件为：所述冷冻的温度为不高于-100℃，所述冷冻的时间为0.5-1h；所述解冻的温度为20-30℃，所述解冻的时间与所述抽真空的时间共为0.5-1h。

3.根据权利要求2所述的剥离型纳米蒙脱土的制备方法，其特征在于，所述剥离型纳米蒙脱土的制备方法还包括：

4.根据权利要求1所述的剥离型纳米蒙脱土的制备方法，其特征在于，所述插层型蒙脱土的制备方法包括：

5.根据权利要求4所述的剥离型纳米蒙脱土的制备方法，其特征在于，所述季铵盐包括单、双或三烷基卤化铵，每个烷基的碳原子数不低于10；

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔会旺，史卫利，卢春晖，
申请(专利权)人：无锡帝科电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：