【技术实现步骤摘要】
本申请涉及led芯片转移，尤其涉及一种芯片的转移方法。
技术介绍
1、随着传统平板显示和微型投影显示技术的发展，未来可期的主流核心显示技术-微型发光二极管(micro-led)技术，因其具有显著的性能优势越来越引起人们的广泛关注。micro-led可视为微小化的led，可单独点亮，具有低能耗、高亮度、高清晰度与长寿命等优势，其未来将成为与有机发光显示技术并驾齐驱的新型显示技术。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种芯片的转移方法，能够控制芯片的飞溅方向。
2、本申请实施例提供了一种芯片的转移方法，包括：
3、在待转移基板的基底一侧设置多个发光芯片；
4、控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射发光芯片，倾斜方向与基底所在平面的夹角为锐角。
5、在一些实施例中，发光芯片在第一方向上具有相对的第一端和第二端，第一方向平行于基底所在平面且激光源在基底上的正投影在第一方向上位于发光芯片第一端远离第二端的一侧。
6、在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射发光芯片中，由第一端指向第二端的方向上，向发光芯片上的不同位置发射强度呈逐渐减小趋势的激光。
7、在一些实施例中，由第一端指向第二端的方向上，激光源照射在发光芯片上的激光强度呈线性减小或梯度减小。
8、在一些实施例中，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射发光芯片中，向发光芯片在第二方向上的不同位置发射不同强度的激光；
9、其中，第一方向与第二方向相交，
10、在一些实施例中，还包括：
11、提供收集装置，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射发光芯片中，收集装置收集从基底脱离的发光芯片，收集装置设置于发光芯片背离激光源的一侧。
12、在一些实施例中，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射发光芯片中，激光源发射的激光强度范围为5mw-30mw。
13、在一些实施例中，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射发光芯片中：
14、倾斜方向与基底的夹角范围为30°-70°。
15、在一些实施例中，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射发光芯片中，向不同颜色光线的发光芯片发射强度不同的激光。
16、在一些实施例中，发光芯片包括红色发光芯片，激光源照射在红色发光芯片的激光强度大于照射其他颜色发光芯片的激光强度。
17、在一些实施例中，发光芯片包括发光层以及位于发光层一侧的导电层，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射发光芯片中，向发光层背离导电层的一侧照射激光。
18、在一些实施例中，待转移基板还包括设置于发光芯片与基底之间的粘接部，粘接部用于粘接基底和发光芯片；
19、粘接部包括多个与发光芯片在基底正投影重合粘接子部，粘接子部在第一方向上具有相对的第五端和第六端，第一方向平行于基底所在平面且激光源在基底上的正投影在第一方向上位于第五端远离第六端的一侧；
20、其中，由第五端指向第六端的方向上，粘接子部的粘性呈逐渐减小的趋势。
21、在一些实施例中，粘接部包括光敏胶，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射发光芯片中，粘接部的粘性随激光源的照射而降低。
22、本申请实施例提供一种芯片的转移方法，通过控制激光沿倾斜方向照射发光芯片，使得作用在发光芯片上的作用力会呈倾斜角度对发光芯片进行轰击，从而控制发光芯片在特定方向范围内飞溅离开基底，从而有利于后续对发光芯片的收集。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片的转移方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述发光芯片在第一方向上具有相对的第一端和第二端，所述第一方向平行于所述基底所在平面且所述激光源在所述基底上的正投影在所述第一方向上位于所述第一端远离所述第二端的一侧；
3.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射所述发光芯片中，向所述发光芯片在第二方向上的不同位置发射不同强度的激光；
4.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射所述发光芯片中，所述激光源发射的激光强度范围为5mw-30mw。
6.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射所述发光芯片中：
7.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述发光芯片包括发光层以及位于所述发光层一侧的导电层，在所述控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射所
9.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述待转移基板还包括设置于所述发光芯片与所述基底之间的粘接部，所述粘接部用于粘接所述基底和所述发光芯片；
10.根据权利要求9所述的转移方法，其特征在于，所述粘接部包括光敏胶，在所述控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射所述发光芯片中，所述粘接部的粘性随所述激光源的照射而降低。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片的转移方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述发光芯片在第一方向上具有相对的第一端和第二端，所述第一方向平行于所述基底所在平面且所述激光源在所述基底上的正投影在所述第一方向上位于所述第一端远离所述第二端的一侧；
3.根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射所述发光芯片中，向所述发光芯片在第二方向上的不同位置发射不同强度的激光；
4.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，在控制激光源发出的激光沿倾斜方向照射所述发光芯片中，所述激光源发射的激光强度范围为5mw-30mw。
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：盛翠翠，李蒙蒙，高文龙，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。