【技术实现步骤摘要】
本申请涉及传感器，尤其是涉及一种溅射薄膜绝压传感器芯体及其制备方法。
技术介绍
1、溅射薄膜压力传感器是利用薄膜技术在不锈钢弹性体上直接制作薄膜应变电阻，并组成惠斯通测量电桥的一体化敏感元件，具有蠕变小、精度高、耐高温、量程大、抗冲击等优点，广泛应用于高精度、大压力和高温等恶劣环境。
2、然而，与其他金属弹性体压力传感器一样，溅射薄膜压力传感器只能测量表压或差压，无法实现绝对压力的测量，限制了其应用范围。为了实现对绝对压力的测量，目前，在溅射薄膜的弹性体的背压一面，通过在真空环境焊接金属罩，能够在一定程度上解决绝对压力测量的问题，但金属罩焊接的气密性和腔室内的真空度很难保证，仍然可能存在绝对压力无法测量的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种溅射薄膜绝压传感器芯体，以解决现有的溅射薄膜压力传感器无法实现对绝对压力测量的问题。
2、根据本申请的一方面提供一种溅射薄膜绝压传感器芯体，所述溅射薄膜绝压传感器芯体包括基座和asic芯片组件，所述asic芯片组件包括asic芯片和玻璃罩，所述基座包括弹性体，所述弹性体包括膜片和引压口，所述引压口自所述基座的一端延伸至所述膜片，所述玻璃罩与所述基座键合，所述玻璃罩与所述膜片的背对所述引压口的一侧围设出真空腔，所述asic芯片与所述玻璃罩的背对所述膜片的一侧连接。
3、优选地，所述弹性体上还形成有过渡层、绝缘层和电阻膜，在所述引压口指向所述膜片的一侧，所述绝缘层、所述过渡层和所述玻璃罩依次设置，所述
4、优选地，所述弹性体还包括衔接部，所述衔接部环绕所述膜片设置，所述衔接部远离所述膜片的一侧形成有贴合面；
5、所述基座还包括固定部，所述固定部环绕所述衔接部设置，所述膜片和所述衔接部相对所述固定部朝向所述asic芯片凸出。
6、优选地，所述溅射薄膜绝压传感器芯体还包括转接线路板，所述转接线路板固定于所述固定部，所述转接线路板与所述贴合面贴合，所述转接线路板与所述asic芯片连接。
7、优选地，所述电阻膜包括薄膜电极、薄膜电阻和电阻引线，所述电阻引线连接所述薄膜电阻和所述薄膜电极，所述薄膜电极与所述asic芯片连接。
8、优选地，所述薄膜电阻在所述弹性体上的正投影位于所述膜片上，所述薄膜电极在所述弹性体上的正投影位于所述衔接部上。
9、优选地，所述膜片在所述玻璃罩上的正投影位于所述真空腔内，所述asic芯片组件在所述弹性体上的正投影的边缘位于所述衔接部上。
10、优选地，所述溅射薄膜绝压传感器芯体还包括信号线，所述转接线路板通过所述信号线与所述溅射薄膜绝压传感器芯体的外部连接。
11、优选地，所述溅射薄膜绝压传感器芯体还包括第一键合线和第二键合线，所述第一键合线连接所述薄膜电极和所述asic芯片，所述第二键合线连接所述asic芯片和所述转接线路板。
12、根据本申请的另一方面提供一种溅射薄膜绝压传感器芯体的制造方法，所述溅射薄膜绝压传感器芯体的制造方法用于制造上述的溅射薄膜绝压传感器芯体，所述溅射薄膜绝压传感器芯体的制造方法包括：
13、s1、加工基座，使得所述基座形成弹性体和固定部，弹性体具有膜片和衔接部；
14、s2、利用离子束溅射镀膜的方式在不锈钢弹性体上依次沉积绝缘膜、电阻膜和过渡膜；
15、s3、将玻璃罩与asic芯片进行玻璃-硅阳极键合，形成asic芯片组件；
16、s4、将所述asic芯片组件与所述基座进行玻璃-不锈钢阳极键合；
17、s5、将信号线和转接电路板连接，通过所述衔接部定位，将所述转接电路板固定到所述固定部上；
18、s6、将所述asic芯片与所述电阻膜连接，将所述asic芯片与所述转接电路板连接。
19、在本申请的溅射薄膜绝压传感器芯体中，玻璃罩作为asic芯片的衬底，玻璃罩与膜片的背对引压口的一侧围设出真空腔，玻璃罩与基座键合，能够保证真空腔的气密性和真空度，该真空腔能够作为溅射薄膜绝压传感器芯体的真空参考腔体，使得溅射薄膜绝压传感器芯体能够实现对绝对压力的测量。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述溅射薄膜绝压传感器芯体包括基座和ASIC芯片组件，所述ASIC芯片组件包括ASIC芯片和玻璃罩，所述基座包括弹性体，所述弹性体包括膜片和引压口，所述引压口自所述基座的一端延伸至所述膜片，所述玻璃罩与所述基座键合，所述玻璃罩与所述膜片的背对所述引压口的一侧围设出真空腔，所述ASIC芯片与所述玻璃罩的背对所述膜片的一侧连接。
2.根据权利要求1所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述弹性体上还形成有过渡层、绝缘层和电阻膜，在所述引压口指向所述膜片的一侧，所述绝缘层、所述过渡层和所述玻璃罩依次设置，所述电阻膜设置在所述过渡层和所述绝缘层之间，所述电阻膜与所述ASIC芯片连接。
3.根据权利要求2所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述弹性体还包括衔接部，所述衔接部环绕所述膜片设置，所述衔接部远离所述膜片的一侧形成有贴合面；
4.根据权利要求3所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述溅射薄膜绝压传感器芯体还包括转接线路板，所述转接线路板固定于所述固定部，所述转接线路板与所述贴合面贴合，所
5.根据权利要求4所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述电阻膜包括薄膜电极、薄膜电阻和电阻引线，所述电阻引线连接所述薄膜电阻和所述薄膜电极，所述薄膜电极与所述ASIC芯片连接。
6.根据权利要求5所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述薄膜电阻在所述弹性体上的正投影位于所述膜片上，所述薄膜电极在所述弹性体上的正投影位于所述衔接部上。
7.根据权利要求3所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述膜片在所述玻璃罩上的正投影位于所述真空腔内，所述ASIC芯片组件在所述弹性体上的正投影的边缘位于所述衔接部上。
8.根据权利要求4所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述溅射薄膜绝压传感器芯体还包括信号线，所述转接线路板通过所述信号线与所述溅射薄膜绝压传感器芯体的外部连接。
9.根据权利要求5所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述溅射薄膜绝压传感器芯体还包括第一键合线和第二键合线，所述第一键合线连接所述薄膜电极和所述ASIC芯片，所述第二键合线连接所述ASIC芯片和所述转接线路板。
10.一种溅射薄膜绝压传感器芯体的制造方法，其特征在于，所述溅射薄膜绝压传感器芯体的制造方法用于制造权利要求1-9中任一项所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，所述溅射薄膜绝压传感器芯体的制造方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述溅射薄膜绝压传感器芯体包括基座和asic芯片组件，所述asic芯片组件包括asic芯片和玻璃罩，所述基座包括弹性体，所述弹性体包括膜片和引压口，所述引压口自所述基座的一端延伸至所述膜片，所述玻璃罩与所述基座键合，所述玻璃罩与所述膜片的背对所述引压口的一侧围设出真空腔，所述asic芯片与所述玻璃罩的背对所述膜片的一侧连接。
2.根据权利要求1所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述弹性体上还形成有过渡层、绝缘层和电阻膜，在所述引压口指向所述膜片的一侧，所述绝缘层、所述过渡层和所述玻璃罩依次设置，所述电阻膜设置在所述过渡层和所述绝缘层之间，所述电阻膜与所述asic芯片连接。
3.根据权利要求2所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述弹性体还包括衔接部，所述衔接部环绕所述膜片设置，所述衔接部远离所述膜片的一侧形成有贴合面；
4.根据权利要求3所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述溅射薄膜绝压传感器芯体还包括转接线路板，所述转接线路板固定于所述固定部，所述转接线路板与所述贴合面贴合，所述转接线路板与所述asic芯片连接。
5.根据权利要求4所述的溅射薄膜绝压传感器芯体，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭佳欢，钟海，
申请(专利权)人：中航光电华亿沈阳电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。