半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属间介电层于基底上，然后形成一第一图案化掩模于第一金属间介电层上，其中第一图案化掩模包含一第一开口沿着一第一方向延伸。接着形成一第二图案化掩模于第一图案化掩模上，其中第二图案化掩模包含一第二开口沿着一第二方向延伸并与该第一开口交错而形成一第三开口，之后再形成一第一金属内连线于第三开口内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件及其制作方法，尤其是涉及一种磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,mram)及其制作方法。

技术介绍

1、已知，磁阻(magnetoresistance,mr)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(mram)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。

2、上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,gps)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresista本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内连线依据上视角度包含正方形。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内连线依据上视角度包含长方形。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内连线包含钨。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该磁性隧穿结依据上视角度包含正圆形。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该磁性隧穿结依据上视角度包含椭圆形。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该磁性隧穿结重叠该金属内连线边缘。

【技术特征摘要】

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内连线依据上视角度包含正方形。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内连线依据上视角度包含长方形。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该金属内...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴家荣，黄瑞民，张翊凡，蔡雅卉，王裕平，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：