一种平面结构毫米波宽带大功率负载制造技术

本发明专利技术公开了一种平面结构毫米波宽带大功率负载，包括键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、T型3dB衰减器、衰减器输出匹配电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路、阵列金属化接地通孔以及介质基片；键合补偿电路用于补偿外部键合金丝所引入的寄生电感，衰减器输入匹配与输出匹配电路以及负载匹配电路分别用于衰减器的输入输出匹配及阶梯形负载的输入匹配，以实现宽带匹配；T型3dB衰减器与阶梯型负载电路各吸收一半功率，并转化为热能，实现功率的分布耗散，再由高热导率的介质基片提供散热通道，以实现高功率容量。本发明专利技术具有带宽宽，频率高，功率容量大，回波好，易于集成的优点，在毫米波测试仪器、通信、雷达系统等领域具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种平面结构毫米波宽带大功率负载，属于毫米波负载。

技术介绍

1、负载作为一种单端口无源器件，可作为独立器件用于测试系统中，也可与耦合器、功分器等结合用于功率合成、信号耦合等场合。

2、目前的大功率匹配负载多为矩形波导或同轴波导结构，其体积、重量较大，难以适应电子系统高度集成化的需求。而现有微带平面结构负载大多功率容量较小，工作频率较低，难以直接应用于毫米波频段。

3、毫米波频段大功率负载的设计难点在于：为了提高负载功率容量，需要尽量增加电阻材料的表面积从而提高散热效果。然而，电阻材料的表面积增大又会导致其寄生参数增加，从而恶化其高频性能，难以在毫米波频段同时实现宽带匹配与大功率容量。

4、因此，本专利技术针对上述难点提出了一种便于平面集成的毫米波频段宽带大功率负载结构，可有效解决上述难题。

技术实现思路

1、目的：为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种平面结构毫米波宽带大功率负载。

2、技术方案：为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：包括：键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、衰减器输出匹配电路、T型3dB衰减器电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路，以及介质基片，所述键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、T型3dB衰减器电路、衰减器输出匹配电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路依次串联蚀刻于介质基片上，所述T型3dB衰减器电路中的并联薄膜电阻的自由端连接有第一阵列金属化接地通孔，所述阶梯型负载电路中的末端薄膜电阻的自由端连接有第二阵列金属化接地通孔。

2.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述第一阵列金属化接地通孔为T型3dB衰减器电路提...

【技术特征摘要】

1.一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：包括：键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、衰减器输出匹配电路、t型3db衰减器电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路，以及介质基片，所述键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、t型3db衰减器电路、衰减器输出匹配电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路依次串联蚀刻于介质基片上，所述t型3db衰减器电路中的并联薄膜电阻的自由端连接有第一阵列金属化接地通孔，所述阶梯型负载电路中的末端薄膜电阻的自由端连接有第二阵列金属化接地通孔。

2.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述第一阵列金属化接地通孔为t型3db衰减器电路提供接地；所述第二阵列金属化接地通孔为阶梯型负载电路提供接地。

3.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述键合补偿电路由多根高低阻抗线串联而成。

4.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述衰减器输入匹配电路由多段阻抗渐变微带线串联而成。

5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张子涵，郭健，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：