【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种平面结构毫米波宽带大功率负载，属于毫米波负载。
技术介绍
1、负载作为一种单端口无源器件，可作为独立器件用于测试系统中，也可与耦合器、功分器等结合用于功率合成、信号耦合等场合。
2、目前的大功率匹配负载多为矩形波导或同轴波导结构，其体积、重量较大，难以适应电子系统高度集成化的需求。而现有微带平面结构负载大多功率容量较小，工作频率较低，难以直接应用于毫米波频段。
3、毫米波频段大功率负载的设计难点在于：为了提高负载功率容量，需要尽量增加电阻材料的表面积从而提高散热效果。然而，电阻材料的表面积增大又会导致其寄生参数增加，从而恶化其高频性能，难以在毫米波频段同时实现宽带匹配与大功率容量。
4、因此，本专利技术针对上述难点提出了一种便于平面集成的毫米波频段宽带大功率负载结构，可有效解决上述难题。
技术实现思路
1、目的：为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种平面结构毫米波宽带大功率负载。
2、技术方案：为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：
3、一种平面结构毫米波宽带大功率负载，包括：键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、衰减器输出匹配电路、t型3db衰减器电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路，以及介质基片，并按照键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、t型3db衰减器电路、衰减器输出匹配电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路的顺序依次串联蚀刻于介质基片上，所述t型3db衰减器电路中的并联薄膜电阻的自由端连接
4、作为优选方案，所述第一阵列金属化接地通孔为t型3db衰减器电路提供接地。
5、作为优选方案，所述第二阵列金属化接地通孔为阶梯型负载电路提供接地。
6、作为优选方案，所述键合补偿电路由多根高低阻抗线串联而成。
7、作为优选方案，所述衰减器输入匹配电路由多段阻抗渐变微带线串联而成。
8、作为优选方案，所述衰减器输出匹配电路由多段阻抗渐变微带线串联而成。
9、作为优选方案，所述t型3db衰减器电路包括：第一串联薄膜电阻，第二串联薄膜电阻，微带线，并联薄膜电阻，所述微带线两侧分别连接有第一串联薄膜电阻，第二串联薄膜电阻，微带线底端连接有并联薄膜电阻。
10、作为优选方案，所述负载匹配电路由多段高低阻抗微带线串联而成。
11、作为优选方案，所述阶梯型负载电路由多片矩形形状的薄膜电阻按阶梯型结构连接而成，阶梯型结构底部的薄膜电阻设置为末端薄膜电阻。
12、作为优选方案，所述第一阵列金属化接地通孔由多个接地通孔并联而成。
13、作为优选方案，所述第二阵列金属化接地通孔由多个接地通孔并联而成。
14、有益效果：本专利技术提出的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，包括键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、t型3db衰减器电路、衰减器输出匹配电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路、阵列金属化接地通孔以及介质基片；键合补偿电路用于补偿外部键合金丝所引入的寄生电感，衰减器输入匹配电路与衰减器输出匹配电路以及负载匹配电路分别用于衰减器的输入输出匹配及阶梯形负载的宽带输入匹配；在信号传递过程中，由 t型3db衰减器中的薄膜电阻吸收一半输入功率，阶梯形负载电路中的薄膜电阻吸收另一半输入功率，并转化为热能，实现功率的分布耗散，避免热量单点过于集中，再由高热导率的介质基片提供散热通道，从而提高负载的承受功率及可靠性。
15、本专利技术提供的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，在平面结构上实现了毫米波频段下的宽带，大功率负载，解决了传统平面结构负载难以在毫米波频段下同时实现宽带匹配与高功率容量的问题。本专利技术具有带宽宽，频率高，功率容量大，回波好，易于集成的优点，在毫米波太赫兹测试仪器、通信、雷达系统等领域具有广泛的应用前景。
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1.一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：包括：键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、衰减器输出匹配电路、T型3dB衰减器电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路，以及介质基片，所述键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、T型3dB衰减器电路、衰减器输出匹配电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路依次串联蚀刻于介质基片上，所述T型3dB衰减器电路中的并联薄膜电阻的自由端连接有第一阵列金属化接地通孔，所述阶梯型负载电路中的末端薄膜电阻的自由端连接有第二阵列金属化接地通孔。
2.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述第一阵列金属化接地通孔为T型3dB衰减器电路提供接地；所述第二阵列金属化接地通孔为阶梯型负载电路提供接地。
3.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述键合补偿电路由多根高低阻抗线串联而成。
4.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述衰减器输入匹配电路由多段阻抗渐变微带线串联而成。
5.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征
6.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述T型3dB衰减器电路包括：第一串联薄膜电阻，第二串联薄膜电阻，微带线，并联薄膜电阻，所述微带线两侧分别连接有第一串联薄膜电阻，第二串联薄膜电阻，微带线底端连接有并联薄膜电阻。
7.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述负载匹配电路由多段高低阻抗微带线串联而成。
8.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述阶梯型负载电路由多片矩形形状的薄膜电阻按阶梯型结构连接而成，阶梯型结构底部的薄膜电阻设置为末端薄膜电阻。
9.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述第一阵列金属化接地通孔由多个接地通孔并联而成。
10.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述第二阵列金属化接地通孔由多个接地通孔并联而成。
...【技术特征摘要】
1.一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：包括：键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、衰减器输出匹配电路、t型3db衰减器电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路，以及介质基片，所述键合补偿电路、衰减器输入匹配电路、t型3db衰减器电路、衰减器输出匹配电路、负载匹配电路、阶梯型负载电路依次串联蚀刻于介质基片上，所述t型3db衰减器电路中的并联薄膜电阻的自由端连接有第一阵列金属化接地通孔，所述阶梯型负载电路中的末端薄膜电阻的自由端连接有第二阵列金属化接地通孔。
2.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述第一阵列金属化接地通孔为t型3db衰减器电路提供接地；所述第二阵列金属化接地通孔为阶梯型负载电路提供接地。
3.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述键合补偿电路由多根高低阻抗线串联而成。
4.根据权利要求1所述的一种平面结构毫米波宽带大功率负载，其特征在于：所述衰减器输入匹配电路由多段阻抗渐变微带线串联而成。
5.根据权利要求1所述的...
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