【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体加工设备，具体地，涉及一种多晶硅还原炉。
技术介绍
1、多晶硅还原炉是多晶硅生产工艺中使用的重要设备。通常，多晶硅包括底盘和钟罩，钟罩设置在底盘上，在底盘和钟罩之间形成还原炉腔。
2、底盘上设置有多对电极孔、多个进气孔和多个出气孔，将多对电极分别设置在多对电极孔中。
3、在进行还原工艺时，如何确保还原气体能够与硅棒表面发生充分反应，成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开针对现有技术中存在的上述不足，提供一种多晶硅还原炉，可以提高还原气体与硅棒表面发生反应的程度。
2、为了实现上述目的，本公开提供一种多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉包括底盘和钟罩，所述钟罩设置在所述底盘上，形成还原炉腔，所述底盘包形成有多个进气孔、多个出气孔和多个电极孔，所述进气孔、所述出气孔、所述电极孔均沿所述底盘的厚度方向贯穿所述底盘，其中，在从所述底盘的中心至所述底盘的边缘的方向上，多个所述电极孔排成多个圈，多个所述出气孔设置在最外围的一圈所述电极孔与所述底盘的外边缘之间，多个所述进气孔位于最外围的一圈所述电极孔所围成的圈的内部。
3、可选地，多个所述电极孔分布在以所述底盘的中心为圆心的多个同心圆上；
4、多个所述进气孔包括第一进气孔和多个第二进气孔；
5、所述第一进气孔设置在所述底盘的中心；
6、多个所述第二进气孔分布在以所述底盘的中心为圆心的多个同心圆上；
7、任意一圈所述第二进气
8、可选地，在径向方向上，从内至外，第i圈电极孔包括3i对所述电极孔，其中，i为圈数编号，1≤i≤n，其中，n为所述电极孔的总圈数，n≥2。
9、可选地，n＝5。
10、可选地，在径向方向上，从内至外：
11、第1圈所述电极孔与第2圈所述电极孔之间设置有3个所述第二进气孔；
12、第2圈所述电极孔与第3圈所述电极孔之间设置有3个所述第二进气孔；
13、第3圈所述电极孔与第4圈所述电极孔之间设置有9个所述第二进气孔；
14、第4圈所述电极孔与第5圈所述电极孔之间设置有12个所述第二进气孔。
15、可选地，所述底盘上设置有6个所述出气孔。
16、可选地，相邻两个所述电极孔之间的间距在300mm至600mm之间。
17、可选地，所述底盘内形成有第一冷却介质通道，所述第一冷却介质通道的入口和出口均形成在所述底盘背离所述钟罩的表面上。
18、可选地，所述钟罩的壁内设置有第二冷却介质通道，所述第二冷却介质通道的入口和所述第二冷却介质通道的出口中的一者形成在所述钟罩的顶部，所述第二冷却介质通道的入口和所述第二冷却介质通道的出口中的另一者形成在所述钟罩的底部。
19、可选地，所述钟罩上形成有沿厚度方向贯穿所述钟罩的壁的观察孔。
20、可选地，所述钟罩包括管部和封头，所述管部的第一端与所述底盘相连，以利用所述底盘将所述管部的第一端的开口封闭，所述管部的第二端与所述封头相连，以利用所述封头将所述管部的第二端的开口封闭。
21、可选地，所述封头包括封头本体和设置在所述封头本体的外表面上的吊耳，所述封头本体与所述管部的第二端相连，并将所述管部的第二端的开口封闭；
22、所述钟罩还包括连接凸缘，所述连接凸缘围绕所述管部的第一端设置，所述凸缘与所述底盘可拆卸地连接。
23、在利用本公开所提供的多晶硅还原炉进行多晶硅还原工艺时中，将硅棒设置在还原炉腔内，通过进气孔向还原炉腔内部通入还原性气体。出气孔处于底盘的外围区域，而进气孔处于底盘的中部位置，也就是进气孔和出气孔之间的距离相对较远，从而可以使得气体进入还原炉腔后，经过相对较远的路径才能到达出气孔。并且，通过进气孔进入还原炉腔内后，充分到达还原炉顶部，沿钟罩的内壁流向位于底盘最外围的出气孔并排出，不会形成进气出气短路，也不会影响还原炉腔内部的流场，提高还原气体与硅棒表面发生反应的程度、以及反应的均匀性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉包括底盘和钟罩，所述钟罩设置在所述底盘上，形成还原炉腔，所述底盘包形成有多个进气孔、多个出气孔和多个电极孔，所述进气孔、所述出气孔、所述电极孔均沿所述底盘的厚度方向贯穿所述底盘，其特征在于，在从所述底盘的中心至所述底盘的边缘的方向上，多个所述电极孔排成多个圈，多个所述出气孔设置在最外围的一圈所述电极孔与所述底盘的外边缘之间，多个所述进气孔位于最外围的一圈所述电极孔所围成的圈的内部；
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，多个所述进气孔还包括第一进气孔，所述第一进气孔设置在所述底盘的中心。
3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在径向方向上，从内至外，第i圈电极孔包括3i对所述电极孔，其中，i为圈数编号，1≤i≤N，其中，N为所述电极孔的总圈数，N≥2。
4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，N＝5。
5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在径向方向上，从内至外：
6.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘上设置有6个所述
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的多晶硅还原炉，其特征在于，相邻两个所述电极孔之间的间距在300mm至600mm之间。
8.根据权利要求1至6中任意一项所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘内形成有第一冷却介质通道，所述第一冷却介质通道的入口和出口均形成在所述底盘背离所述钟罩的表面上。
9.根据权利要求1至6中任意一项所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述钟罩的壁内设置有第二冷却介质通道，所述第二冷却介质通道的入口和所述第二冷却介质通道的出口中的一者形成在所述钟罩的顶部，所述第二冷却介质通道的入口和所述第二冷却介质通道的出口中的另一者形成在所述钟罩的底部。
10.根据权利要求1至6中任意一项所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述钟罩上形成有沿厚度方向贯穿所述钟罩的壁的观察孔。
11.根据权利要求1至6中任意一项所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述钟罩包括管部和封头，所述管部的第一端与所述底盘相连，以利用所述底盘将所述管部的第一端的开口封闭，所述管部的第二端与所述封头相连，以利用所述封头将所述管部的第二端的开口封闭。
12.根据权利要求11所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述封头包括封头本体和设置在所述封头本体的外表面上的吊耳，所述封头本体与所述管部的第二端相连，并将所述管部的第二端的开口封闭；
...【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉包括底盘和钟罩，所述钟罩设置在所述底盘上，形成还原炉腔，所述底盘包形成有多个进气孔、多个出气孔和多个电极孔，所述进气孔、所述出气孔、所述电极孔均沿所述底盘的厚度方向贯穿所述底盘，其特征在于，在从所述底盘的中心至所述底盘的边缘的方向上，多个所述电极孔排成多个圈，多个所述出气孔设置在最外围的一圈所述电极孔与所述底盘的外边缘之间，多个所述进气孔位于最外围的一圈所述电极孔所围成的圈的内部；
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，多个所述进气孔还包括第一进气孔，所述第一进气孔设置在所述底盘的中心。
3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在径向方向上，从内至外，第i圈电极孔包括3i对所述电极孔，其中，i为圈数编号，1≤i≤n，其中，n为所述电极孔的总圈数，n≥2。
4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，n＝5。
5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，在径向方向上，从内至外：
6.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘上设置有6个所述出气孔。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的多晶硅还原炉，其特征在于，相邻两个所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈奕峰，杨楠，邓家駸，范增涵，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。