【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ssd产品测试领域，具体涉及一种快速获取ssd内部工作电压的方法。
技术介绍
1、随着ssd(固态硬盘)的快速发展，对于ssd可靠性要求越来越高。检查产品内部工作电压的稳定性是可靠性测试中必不可少的环节之一。尤其是一些企业级产品，以及军工产品，对产品的可靠性检查更为严格。所以需要使用更加高效、方便、准确的方式来测试ssd内部工作电压的方法尤为重要。
2、现有技术中通常是采用万用表、示波器或daq(数据采集系统)去测量ssd的内部工作电压，测量过程中需要一个或多个探针如测试引线、电流钳或其组合电耦接到待测ssd的电压测试输入端子上。采用这种测量方式步骤较为繁琐，并且如果ssd产品带有外壳或者处于封闭的使用环境中，测量将更为困难或根本无法准确获取测量数据。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种快速获取ssd内部工作电压的方法。所述方法包括：
2、步骤1，通过烧录器将mcu固件保存到所述mcu内部的spi flash
3、中，所述固件包括mcu对所述ssd基准电压标定的步骤；
4、步骤2，通过所述mcu的adc模块对所述ssd硬件内部工作电压进行信息采集；
5、步骤3，所述mcu依据所述基准电压将所述adc模块采集到的所述
6、信息处理成电压信息，并将所述电压信息发送给所述ssd的控制器；[8]步骤4，ssd固件解析控制器接收到的信息并反馈给主机；
7、步骤5，所述主机将接收到的所
8、进一步的，在步骤1之前还包括所述主机将需要获取ssd内部工作电压的信息通过发送vu命令方式传送给位于主机内部的ssd固件。
9、进一步的，所述vu命令的实现方式是所述固件根据sata协议或nvme协议，通过所述协议中的smart reserved预留字段将所述信息保存到所述字段中。
10、进一步的，当针对所述sata协议的ssd时，通过linux系统下的smartmontools工具，在其中添加固件支持的opcode函数以获得ssd硬件电学参数。
11、
12、进一步的，当针对所述nvme协议的ssd时，通过linux系统下nvme-cli工具，在其中添加固件支持的opcode函数来获得ssd硬件内部电学参数。
13、进一步的，所述mcu在收到经过解析的主机命令后，通过所述adc模块对所述ssd内部工作电压进行采集，并将采集到的信息处理后发送给所述ssd控制器，其中所述adc采集的电压vadc＝采集的频率×(基准电压/212)。
14、
15、进一步的，所述步骤1包括向所述mcu烧录程序，所述程序包括所述mcu对所述ssd的所述基准电压进行标定的步骤。
16、所述对基准电压进行标定的步骤包括：根据待测ssd中的存储数据，获得a样本，以ssd的存储单元在当前数据状态的电压无偏移情况下对应的读参考电压为参考电压，确定ssd的基准电压。
17、
18、基准电压标定步骤具体的包括：获得预先制定的所述ssd存储单元的读参考电压；其中，所述读参考电压的个数与所述ssd的存储单元能具备的数据状态的数量相对应；采用逐次减小各个所述读参考电压，和/或逐次增大各个所述读参考电压的方式，直至在利用调节后所得的各个读参考电压读取所述a样本数据时，所读取的0、1个数的比例与1的差值绝对值低于预定阈值时递归结束；将递归结束时对应的各个读参考电压的期望值作为所述ssd基准电压。所述标定步骤可以尽可能的减小存储单元数据状态电压概率分布的不确定性，为快速获取ssd内部电压提供一个较为稳定地基准数据。
19、进一步的，本专利技术还公开了一种电子设备，所述设备包括至少一个处理器，以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行上述步骤的快速获取ssd内部工作电压的方法。
20、进一步的，本专利技术还公开一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现上述所述的快速获取ssd内部工作电压的方法。
21、与现有技术相比，本专利技术在采用mcu内烧录的固件以及其内部的adc模块对ssd的内部工作电压进行采集和分析处理，不需要借用外部设备进行量测，测试工作大幅简化；并且由于mcu的多通路特点，其可以同时测试多个产品，解决了如何高效获取ssd内部工作电压的技术问题，为ssd产品在封闭环境、极端环境等条件下的研发和测试提供了便利。并且对基准电压的标定也可以避免ssd各存储单元的电压概率分布的不确定性来提供更为准确的内部电压测量。在方便研发人员解决ssd产品内部电子器件工作不稳定导致的问题的同时，便于在ssd使用过程中准确、定期或实时在线地检测其电压，节约了电子设备的使用资源。
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1.一种快速获取SSD内部工作电压的方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述VU命令的实现方式是所述固件根据SATA协议或NVMe协议，通过所述协议中的SMARTReserved预留字段将所述信息保存到所述字段中。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当针对所述SATA协议的SSD时，通过linux系统下的smartmontools工具，在其中添加固件支持的opcode函数以获得SSD硬件内部电学参数。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当针对所述NVMe协议的SSD时，通过linux系统下nvme-cli工具，在其中添加固件支持的opcode函数来获得SSD硬件内部电学参数。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MCU在收到经过解析的主机命令后，通过所述ADC模块对所述SSD内部工作电压进行采集，并将采集到的信息经处理后发送给所述SSD控制器，其中所述采集电压VADC＝采集的频率×(基准电压/212)。
7.根据权
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述标定的步骤包括：根据所述SSD中的存储数据，获得A样本数据，以所述SSD的存储单元在当前数据状态的电压无偏移情况下对应的读参考电压为参考电压，确定所述SSD的基准电压。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述标定的步骤具体为：获得预先制定的所述SSD存储单元的读参考电压；其中，所述读参考电压的个数与所述SSD的存储单元能具备的数据状态的数量相对应；采用逐次减小各个所述读参考电压，和/或逐次增大各个所述读参考电压的方式，直至在利用调节后所得的各个读参考电压读取所述A样本数据时，所读取的0、1个数的比例与1的差值绝对值低于预定阈值时递归结束；将递归结束时对应的各个读参考电压的期望值作为所述SSD的所述基准电压。
10.一种电子设备，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种快速获取ssd内部工作电压的方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述vu命令的实现方式是所述固件根据sata协议或nvme协议，通过所述协议中的smartreserved预留字段将所述信息保存到所述字段中。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当针对所述sata协议的ssd时，通过linux系统下的smartmontools工具，在其中添加固件支持的opcode函数以获得ssd硬件内部电学参数。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当针对所述nvme协议的ssd时，通过linux系统下nvme-cli工具，在其中添加固件支持的opcode函数来获得ssd硬件内部电学参数。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述mcu在收到经过解析的主机命令后，通过所述adc模块对所述ssd内部工作电压进行采集，并将采集到的信息经处理后发送给所述ssd控制器，其中所述采集电压vadc...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡海洋，李维祥，刘兴斌，邢培栋，
申请(专利权)人：武汉麓谷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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